총 2,965개
-
전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.131. 건전지 내부저항 측정 건전지의 전압 측정값은 6.479V가 나왔고 10Ω 저항값은 11.086Ω, 저항 10Ω에 걸리는 전압은 6.422V가 나왔다. 건전지의 내부저항이 1Ω을 넘지 않을것이라고 생각했는데 R_a = {RV} over {V_0} -R을 이용하여 건전지의 내부저항이 1.184Ω임을 알 수 있었다. 건전지의 경우 사용할수록 전압은 낮아지고 내부저항은 높아지는 특성을 갖고 있고, 온도에 따라 저항값의 영향을 끼치기 때문이다. 이에 이번 내부저항의 실험값은 실제보다 커졌을 가능성이 높다고 판단된다. 2. DC Powe...2025.05.13
-
아주대학교 물리학실험2 옴의 법칙 결과보고서A+2025.05.011. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 만족하는 탄소저항과 만족하지 않는 다이오드의 특성을 확인하였다. 탄소저항은 전압과 전류의 관계가 선형적인 옴의 법칙을 만족하지만, 다이오드는 전압이 양일 때만 전류가 흐르는 비선형적인 특성을 보였다. 다이오드의 경우 문턱전압 이상에서 전류가 급격히 증가하는 지수함수 형태의 전압-전류 특성을 확인할 수 있었다. 2. 탄소저항 측정 실험 1에서 탄소저항의 표시 저항값과 측정값을 비교하였다. 33Ω 저항의 경우 측정값이 31Ω으로 약 6.06%의 오차가 있었고, 100Ω 저항의 경우 측정값이 83...2025.05.01
-
중앙대 전기회로설계실습 예비보고서62025.05.141. DMM 사용법 DMM을 사용하여 실험실 교류전원(220 V) power outlet(소켓) 두 개의 접지 사이의 전압을 측정하는 방법을 설계하였습니다. DMM의 측정모드를 전압측정모드로 바꾼 뒤 측정단위를 V로 전환하고, DMM의 한 선을 1번 교류전원 power outlet의 접지 단자에, 다른 선을 2번 교류전원 power outlet의 접지 단자에 연결하여 두 접지 단자 사이의 전압을 측정하는 방법입니다. 2. 계측기 입력 저항 Function Generator의 출력저항은 50ohm이며, DMM의 입력 저항은 10M o...2025.05.14
-
일반물리학 실험 2 - 옴의 법칙2025.01.271. 옴의 법칙 실험 결과를 통해 전류, 전압, 저항의 관계를 설명하였다. 전압이 감소함에 따라 전류도 감소하며, 전류에 저항값을 곱하면 전압값이 나온다. 전류-전압 그래프의 기울기는 저항값을 의미하며, 실험 결과와 디지털 멀티미터 측정값을 비교하여 디지털 멀티미터가 더 정확한 것으로 나타났다. 또한 옴의 법칙은 금속류 등 특정 물질에서만 성립하는 실험식이라는 점을 언급하였다. 2. 전기저항 도선 내부의 자유전자와 원자의 충돌로 인해 전기저항이 발생한다. 도선의 길이가 길수록, 단면적이 작을수록 전기저항이 증가한다. 실험 과정에서 ...2025.01.27
-
다이오드 응용 전자회로실험 결과보고서2025.11.131. 반파 및 전파 정류기(Half-wave and Full-wave Rectifier) 반파 정류기는 다이오드의 방향에 따라 양수 또는 음수 전압만 출력하며, 입력 전압이 VD,on(0.54V)보다 작을 때는 출력이 0이다. 전파 정류기는 양수와 음수 전압을 모두 출력하여 절댓값이 씌워져 양수로 변환된다. 실험 결과 반파 정류기는 사인파 입력 시 VD,on보다 큰 구간만 출력되고, 전파 정류기는 모든 구간이 위쪽으로 출력되는 특성을 확인했다. 2. 리플 전압(Ripple Voltage in Full-wave Rectifier) 캐...2025.11.13
-
실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
-
[전자공학응용실험] 차동증폭기 기초 실험-예비레포트2025.04.261. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고 특성을 분석한다. 2. 능동 부하와 전류 거울 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용하는 것이 좋다...2025.04.26
-
에너지변환실험 A+레포트_정전압회로, 사이리스터 특성2025.01.131. 정전압회로 정전압회로는 입력전압, 출력 부하전류, 온도에 무관하게 일정한 직류 출력전압을 제공하는 회로입니다. 정전압 IC 7805를 이용하여 기본회로를 구성하고, 입력전압을 증가시키면서 출력전압의 변화를 관찰하였습니다. 발진이 발생하는 경우 입력단과 출력단에 전해콘덴서를 연결하여 출력파형을 안정화할 수 있었습니다. 또한 정전압 IC 응용회로를 구성하여 저항 R1과 R2의 값에 따른 출력전압 변화를 확인하였습니다. 2. 사이리스터 사이리스터는 pnpn 접합의 4층 구조 반도체 소자로, 게이트에 전류를 흘려주면 애노드와 캐소드 ...2025.01.13
-
전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 4주차2025.05.041. PSpice 프로그램 사용법 PSpice는 ORCAD라고도 불리며 노트북으로 이용할 수 있는 전자설계 자동화 소프트웨어 도구입니다. 전자회로도나 인쇄회로기판 등을 설계하기 위해 전자회로 설계 공학자나 전자공학 기술자들에 의해 사용됩니다. 캡처, 피스파이스, 피시비 에디터 등 세 가지 주요 어플리케이션으로 구성됩니다. 2. 단순 전압/전류 분석 실제 회로 구성 결과 측정된 v1의 전압은 2.71V, v2의 전압은 2.02V, I의 전류는 0.0576mA였습니다. PSpice에서는 v1의 값이 2.667V, v2의 값이 2.000...2025.05.04
14 / 297
