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[A+]건국대 전기전자기초실험1 3주차 결과보고서2025.01.151. 온도에 따른 전기저항의 변화 본 실험에서는 온도에 따라 전기저항의 크기가 변화하는 것을 실험적으로 확인하고자 한다. 입력 전압이 증가하면 전류도 증가할 것이며 이에 따라 저항이 변화한다. 이러한 현상은 온도와 관련이 있다. 대부분의 물질은 온도가 상승함에 전기 저항이 증가한다. 따라서 주어진 전압 또는 전류에서 저항이 온도에 따라 변화한다. 2. 등가저항을 이용한 등가회로 본 실험에서는 여러 개의 저항으로 이루어진 회로의 등가저항을 이론적으로 계산하고 실제 회로의 간략화된 등가회로를 구성하여 그 차이점을 실험적으로 알아보고 원...2025.01.15
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전기용량실험 레포트2025.01.121. 축전기의 구조와 역할 축전기는 기본적으로 도체로 된 두 개의 극판 사이에 유전체가 삽입되어 있는 형태를 가지며, 이러한 구조의 축전기에 전하 또는 전기에너지를 저장할 수 있다. 축전기의 전기용량은 금속판의 면적에 비례하고 금속판 사이의 거리에 반비례한다. 2. 축전기의 연결 방식 축전기를 직렬로 연결하면 합성 전기용량의 역수가 각 전기용량의 역수의 합과 같아지며, 병렬로 연결하면 합성 전기용량이 각 전기용량의 합과 같아진다. 직렬 연결은 전압이 분배되고 병렬 연결은 전하량이 분배된다. 3. 실험 장치와 절차 실험에 사용된 장치...2025.01.12
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이온과 전기전도도 (예비보고서)2025.05.091. 이온의 이동 거름종이에 NH4NO3 용액을 흡수시킨 후, 용액 A와 B, KMnO4 용액을 점으로 찍고 전극을 연결하여 직류전원을 공급하면 두 점 사이에서 생성물의 색이 나타나는 것을 관찰할 수 있다. 이를 통해 액체 또는 용액에 전류가 흐르는지 확인할 수 있다. 2. LED 전기전도도 측정기 제작 Breadboard를 이용하여 LED 회로를 구성하고, 저항 값을 변경하여 LED 빛 세기의 변화를 관찰할 수 있다. 또한 전기전도도 측정회로를 구성하여 다양한 용액의 전도도를 LED 빛 세기로 측정할 수 있다. 3. 용액의 전기전...2025.05.09
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분극실험을 통한 분극곡선 측정2025.01.131. 전기화학적 분극실험 전기화학적 분극실험을 통해 평형전극전위로부터 전위 Shift가 일어나는 분극현상과 부식전위의 개념을 이해하고, 분극곡선을 통해 부식반응을 분석할 수 있다. 분극곡선에서 부식전위와 교환전류밀도를 확인할 수 있으며, Faraday 법칙을 이용하여 부식속도를 계산할 수 있다. 2. 정전위법과 동전위법 정전위법은 일정 시간 전위를 유지하며 전류를 측정하는 방법으로 시간이 오래 걸리지만, 동전위법은 일정 스캔속도로 전위를 변화시키며 전류를 측정하는 방법으로 빠른 시간 내에 분극곡선을 얻을 수 있다. 동전위법을 통해 ...2025.01.13
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삼각함수와 전기공학의 연관성2025.01.161. 삼각함수 삼각함수는 원과 밀접한 관련이 있으며, 전기공학에서의 신호 처리, 회로 설계 등 여러 개념과 연결되어 있습니다. 삼각함수를 이해하고 활용하면 전기공학자가 복잡한 신호를 간단한 성분으로 분해하거나, 주파수 영역에서 신호를 분석하고 이해하는 데 도움이 됩니다. 2. 푸리에 급수 푸리에 급수는 주기가 있는 함수를 삼각함수의 급수로 바꿔 나타내는 방법으로, 복잡한 함수로 이루어진 식을 삼각함수인 사인함수와 코사인함수의 조합으로 다루기 편하게 표현할 수 있습니다. 3. 파동 현상 분석 삼각함수는 전기공학 분야에서 파동 현상을 ...2025.01.16
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기초전기공학실험1_실습6장_전반_결과레포트2025.05.061. 직·병렬 회로 실습 6-3에서는 직·병렬 회로의 기본적인 특성을 확인하였습니다. 주 회로선 전류는 직렬저항을 통과하여 동일하고, 병렬 저항 부품들을 가로지르는 전압강하는 같다는 것을 확인하였습니다. 실습 6-4에서는 직·병렬 회로에서의 개방과 단락의 특성과 효과를 확인하였습니다. 단락에서는 유효저항이 0이 되어 전류가 크게 증가하고, 개방에서는 전류가 흐르지 않거나 매우 적은 양만 흐르게 됩니다. 2. 전압 및 전류 측정 실습을 통해 회로에 15V의 전압을 인가하고 각 저항에 흐르는 전압과 전류를 측정하였습니다. 측정값과 계산...2025.05.06
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답2025.05.151. RL회로의 과도응답 먼저 오실로스코프를 이용하여 RL회로의 파형들과 시정수를 측정하였다. EXCEL을 이용하여 Simulation 계산결과와 비교하였다. 이때 6%의 큰 오차가 발생하였다. 함수발생기의 내부저항과 인덕터의 저항을 고려하여 계산하면 -0.014%가 관측되었다. 이 작은 오차는 가변저항의 조절과 정확하지 않은 인덕터의 값 때문이다. RL회로는 RC회로와 다르게 입력파형의 offset값이 변했을 때 저항전압도 같이 평행이동함을 확인할 수 있었다. 또한 오실로스코프의 -단자가 접지에 연결됨을 이용하여 잘못된 회로의 연...2025.05.15
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인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response) 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RL 회로 10mH 인덕터와 1kΩ의 저항을 사용하여 RL회로를 구성하고 오실로스코프를 이용하여 RL time constant를 측정하였다. 입력전압은 FG를 사용하여 1V 사각파(high = 1V, low = 0V, duty cycle = 50%)로 인가하였다. 또한 인덕터가 충분한 자기에너지를 충전, 방전할 수 있도록 이 사각파의 주기를 10τ,즉,100μs로 설정하였다. 실험을 통한 시정수는 9.50μs였고 오차는 5%였다. 2. 입력전압 변화 입력전압을 ±0.5 V의 사각파(high = 0.5 V, low = - 0.5...2025.04.25
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전기회로설계실습 결과보고서12025.05.151. DMM 사용법 전자전기실습에 자주 사용되는 DMM과 DC power supply의 사용법을 익히고 이를 이용해서 저항, 전압, 전류를 측정하고 회로를 설계하고 실험해보았다. 측정한 결과를 토대로 오차율과 분포도를 조사해보았고 그 오차가 대부분 3%이내로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. 저항 측정 고정저항 측정, 병렬 연결 저항 측정, 가변저항 측정 등을 통해 저항 측정 방법과 특성을 이해하였다. 병렬 연결 저항의 오차율이 더 낮은 것을 확인하였고, 가변저항의 단자 간 관계를 파악하였다. 3. 전압 측정 6V 건전지의 전압을...2025.05.15
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