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LED 분광광도계의 제작 예비2025.05.091. 분광광도계 분광광도계는 빛의 성질 중 흡수를 이용하는 장치이다. 물질이 빛에너지를 흡수하면 다양한 분자 운동을 하면서 고유의 흡수 스펙트럼을 가지는데, 이러한 스펙트럼을 측정하는 장치가 분광광도계이다. 분광광도계의 구조는 광원-단색화장치-시료부-검출부-변환기로 구성되어 있는데, 이번 실험에서 광원으로는 LED를 사용하며 검출부로는 photoresistor(CdS photocell)를 사용한다. 2. Beer-Lambert 법칙 Beer-Lambert 법칙은 빛의 흡수를 정량적으로 분석하기 위해 사용한다. 투과도(transmit...2025.05.09
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글로벌 반도체 기술 경쟁이 격화로 인한 반도체 업체간 인수,합병 위기2025.04.281. 규제 당국들의 움직임 기술 독점 우려로 기업간 합종연횡에 반대해온 규제 당국들의 움직임이 더욱 까다로워질 것이라는 전망이 나온다. 바야흐로 세계는 국가간의 마찰로 인한 전쟁과 높은 인플레이션, 그리고 세계 강대국들간의 패권 전쟁으로 인류 역사상 유래 없는 격동의 혼란기를 겪고 있다. 2. 시스템 반도체 지배력 확대 메모리 반도체를 중심으로 기술 우위를 지속해온 삼성전자 등 국내 기업은 반도체 설계(팹리스)·위탁생산(파운드리) 등 시스템 반도체 지배력 확대가 시급한 상황이다. 세상의 진정한 리더가 되기 위해서는 다른 사람이 하는...2025.04.28
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인공지능(AI) 반도체 개발 업체 분석 보고서2025.01.021. 인공지능(AI) 반도체 인공지능 기술 발달을 위해서는 반도체 산업의 진화가 필수적이다. 뉴로모픽 반도체는 인간의 뇌 구조를 모방하여 인공지능 기술에 활용될 수 있다. 하지만 기존 D램과 S램의 한계로 인해 메인 메모리의 최종 지향점은 뉴로모픽 반도체로 넘어가는 것이며, 스토리지 형태는 DNA 형태로 진화할 것으로 보인다. 2. 인텔 인텔은 PC 시대를 장악했지만, 모바일 AP 시장에서는 애플에 밀리게 되었다. 최근 인텔은 공정기술 측면에서 TSMC, 삼성전자 등 파운드리 업체에 뒤처지고 있으며, 발표한 제품들도 계획대로 출시되...2025.01.02
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실험 01_PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 결과보고서2025.04.281. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 구성되어 있으며, 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 소자입니다. 다이오드는 순방향으로 전압을 인가하면 소자가 켜지면서 저항이 작아지고, 역방향으로 전압을 인가하면 소자가 꺼지면서 저항이 아주 커지는 특성을 지닙니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향에서 항복 전압을 낮추어 준 소자로서 역방향 바이어스 시 양단 사이의 전압 강하가 일정한 특성을 지닙니다. 3. 전류-전압 특성 이 실험에서는 PN 접합 다이오드와 제너 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전...2025.04.28
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태양광 예비보고서2025.01.051. 태양전지의 동작원리 태양전지는 실리콘 다이오드의 PN 접합과 유사한 구조를 가지고 있으며, N-type 반도체 표면에 빛이 조사되면 전류를 생산하게 된다. 태양전지의 개방전압은 실리콘 다이오드의 순방향 전압보다 약간 낮은 0.5V~0.6V 사이의 값을 가진다. 태양전지를 직렬로 연결하면 개방전압이 증가하고, 병렬로 연결하면 단락전류가 증가한다. 2. 태양전지의 전기적 특성 태양전지의 전압-전류 특성곡선은 전류원 영역과 전압원 영역으로 구분된다. 전류원 영역에서는 전압이 증가해도 전류가 일정하게 유지되며, 전압원 영역에서는 전압...2025.01.05
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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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홀효과 실험 결과 보고서2025.01.031. 홀 효과 홀 효과(Hall Effect)는 도체가 자기장 속에 놓여있을 때 그 자기장에 직각 방향으로 전류가 흐르면, 자기장과 전류 모두에 수직인 방향으로 전위차(홀 전압)가 발생하는 현상입니다. 1879년 에드윈 허버트 홀(1855-1938)에 의해 발견되었으며, 홀 전압의 크기는 전하 밀도에 의존하기 때문에 반도체에서의 전압이 순수한 금속 도체에서보다 더 큽니다. 오늘날 전자 공학에서 홀 효과는 자기장의 세기와 방향을 측정하는 데에 이용됩니다. 2. 실험 원리 이 실험에서는 n-도핑 게르마늄 반도체를 사용하여 홀 효과를 조...2025.01.03
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AI반도체에 대해2025.05.071. 인공지능 반도체 AI반도체는 AI서비스 구현에 필요한 대규모 데이터 연산을 고성능, 저전력으로 실행하는 반도체를 말한다. AI반도체는 대량의 데이터를 동시(병렬)처리하여 복잡한 상황인식과 판단 등에 최적화된 반도체이다. 2. AI반도체 시장 규모 AI반도체는 데이터센터, 스마트폰, 자율주행차 등의 새로운 경쟁 포인트로 부상할 것으로 예상되며, 2018년 70억 달러에서 2018~2030년까지 연평균 26.5%의 고성장이 예상된다. 시스템 반도체 시장에서 AI반도체 비율은 2018년 2.8%에서 2022년 12%, 2030년 3...2025.05.07
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MOSFET의 특성측정 예비보고서2025.04.271. MOSFET 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V_T, K_n, g_m)을 데이터 시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실습에 사용되는 준비물은 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 2N7000 등입니다. 보고서에서는 데이터 시트를 이용한 V_T, K_n 계산, MOSFET 회로도 구성 및 PSPICE 시뮬레이션, V_...2025.04.27
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