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금속 재료 인장 실험2025.11.181. 응력과 변형률 응력(Stress)은 단위면적당 힘의 크기로 σ=P/A로 표현되며, 변형률(Strain)은 단위 길이당 늘어난 길이로 ε=δ/L로 정의된다. 응력-변형률 선도(Stress-Strain Curve)는 재료의 기계적 거동을 나타내는 중요한 그래프로, O-A 구간의 선형 탄성 구간, A-B 구간의 비례한도 초과 구간, B-C 구간의 항복 구간, C-D 구간의 변형경화 구간, D-E 구간의 넥킹 구간으로 나뉜다. 2. 인장 시험 방법 및 장비 ASTM E8/E8M 08 표준을 따르는 인장 시험은 만능 재료 시험기(Uni...2025.11.18
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나노결정 태양전지의 제작 예비2025.05.091. 반도체 태양전지 반도체 태양전지는 태양열(가시광선)의 흡수, 즉 에너지에 의해 p형 반도체에서는 정공이 발생하고, n형 반도체에서는 전자가 발생하는 반응을 이용한다. p-n 접합에 의해 발생한 정공과 전자는 반도체를 통해서 서로 이동하며 전류를 운반할 수 있게 된다. 반도체 태양전지의 경우 사용되는 재료에 따라 반도체 단결정(single crystalline) 태양전지와 반도체 다결정(polycrystalline) 태양전지로 구분할 수 있다. 단결정 태양전지는 고체의 실리콘이 모두 균일한 방향으로 배열되어 있어 20% 이상의 ...2025.05.09
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Preparation and Characterization of an X-type Zeolite 예비레포트2025.05.051. 제올라이트의 구조와 특성 제올라이트는 규산 알루미늄(xAl2O3.ySiO2.zH2O)의 한 종류로, 일반식은 Mx/n[(AlO₂)x?(SiO₂)y]?zH₂O이다. (AlO₄)⁵-와 (SiO₄)⁴-가 산소 원자를 공유하며 연결되어 3차원적인 결정 구조를 형성한다. 제올라이트는 결정성 알루미노 규산염의 총칭이며, 천연에서 산출되는 제올라이트는 양이온 교환 특성을 이용한 경수 연화제 외에 별다른 용도가 없었으나, 1950년대 이후 합성 제올라이트가 개발되면서 다양한 용도로 활용되고 있다. 2. 제올라이트의 이온 교환 및 흡착 특성 ...2025.05.05
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A+ 물리화학실험-Raman spectroscopy(라만 분광법)실험 보고서2025.01.101. IR과 Raman spectroscopy IR과 Raman spectroscopy는 분자의 진동운동을 이용하여 분자 구조를 분석하는 기본 원리가 같다. 분자의 대칭성에 따라 특정한 진동운동이 IR 또는 Raman 스펙트럼 하나에서만 나타나거나 IR과 Raman 스펙트럼에서 같이 나타나지만 피크의 세기가 다르기 때문에 두 분광법은 상호 보완적으로 사용된다. 2. Raman Scattering의 원리 복사선이 물질을 투과할 때 복사선의 진동하는 전기장은 물질 중의 전자들이 핵을 중심으로 진동을 하게 하여 주기적인 편극이 일어나게 ...2025.01.10
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간호학과 역형성 갑상선암(Anaplastic thyroid carcinoma) 케이스 (간호과정3개, 간호진단3개)2025.01.121. 역형성 갑상선암(Anaplastic thyroid carcinoma) 역형성 갑상선암(Anaplastic thyroid carcinoma)은 갑상선의 분비샘 자체에서 생기는 암 중 가장 드문 종류의 암이다. 공격성이 매우 강해서 주위 조직 혹은 멀리 떨어진 부위로 빠르게 퍼지는 경우가 흔하다. 60세 이상에서 발생하는 경우가 많고, 이전에 갑상선 암이 있어서 갑상선 부분 절제술을 받은 경우에 역형성 갑상선암이 발생할 위험이 높다. 대게 빠르게 자라면서 주위 조직을 압박한다. 역형성 갑상선암은 요오드를 흡수하지 않으므로 방사선 ...2025.01.12
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Film growth (반도체)2025.05.081. Epitaxy Epitaxy는 epi(위에) + taxis(배열)의 합성어로, 결정성 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술을 의미한다. 호모에피택시는 동일한 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용하며, 헤테로에피택시는 서로 다른 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용한다. 에피택시 성장에서는 격자 불일치로 인한 응력 완화와 임계 두께 등의 개념이 중요하다. 2. Molecular Beam Epitaxy (MBE) MBE는 초고진공 환경에서 분자 빔을 이용하여 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 기술이다. MBE는 낮은 성장 속도, ...2025.05.08
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