총 83개
-
RC, RL 미적분 회로_결과레포트2024.12.311. RC 미분 회로 RC 미분 회로에서는 출력전압이 입력전압의 미분값에 비례함을 확인할 수 있었습니다. 저항 값을 변화시키며 실험한 결과, 저항 값이 작을수록 출력 파형이 더 뚜렷하게 나타났습니다. 이는 RC 회로의 특성상 저항 값이 작을수록 미분 효과가 더 크게 나타나기 때문입니다. 2. RL 적분 회로 RL 적분 회로에서는 출력전압이 입력전압의 적분값에 비례함을 확인할 수 있었습니다. 저항 값을 변화시키며 실험한 결과, 저항 값이 클수록 출력 파형이 더 뚜렷하게 나타났습니다. 이는 RL 회로의 특성상 저항 값이 클수록 적분 효...2024.12.31
-
전기회로설계실습 실습12 예비보고서2025.01.201. 저항의 고주파 특성 측정 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해한다. 위 3개의 회로에 각각 사인파를 입력하고, 주파수를 증가시키며 저항의 값을 확인한다. 그러면 3개의 회로 모두 저항의 값이 감소하는 모습으로 돌아서는 지점이 있다. 커패시터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 인덕터와 같이 행동하며, 반대로 인덕터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 커패시터와 같이 행동한다. 이것이 고주파 특성...2025.01.20
-
전기회로설계실습 8장 예비보고서2025.01.201. RL 회로의 과도응답(Transient Response) 이 보고서는 RL 회로의 과도응답을 측정하는 실험 계획을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1) 시정수 10 μs인 RL 직렬 회로를 설계하고, 2) 함수 발생기 출력과 인덕터 전압을 동시에 관측하도록 회로와 오실로스코프를 연결하는 방법, 3) 함수 발생기 출력과 저항 전압을 동시에 관측하는 방법, 4) 함수 발생기 출력이 DC 오프셋이 있을 때의 예상 파형, 5) 저항 양단에 오실로스코프를 연결했을 때의 파형 예상, 6) 주기가 시정수와 같은 사각파를 R...2025.01.20
-
전기회로설계실습 예비보고서82025.05.151. RL 회로의 과도응답(Transient Response) 이 실습의 목적은 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품이 제시되어 있으며, 3.0에서 time constant가 10 μs인 RL 직렬회로를 설계하는 방법이 설명되어 있습니다. 3.1에서는 회로의 저항 값을 계산하고, 사각파 주파수를 결정하며, 저항과 인덕터의 예상 전압 파형을 그래프로 제시하고 있습니다. 3.2에서는 오실로스코프 설정에 대해 설명하고 있으며, 3.3과 3.4에서는 저항 전압 ...2025.05.15
-
전기회로 설계 및 실습 예비보고서 - 인덕터 및 RL회로의 과도응답2025.04.281. RL 직렬회로 설계 주어진 시정수 10μs를 갖는 RL 직렬회로를 설계하기 위해 10mH 인덕터와 가변저항을 사용하여 저항 값을 1kΩ으로 맞추었다. 이를 통해 시정수 τ = L/R = 10μs를 만족하는 회로를 구현할 수 있다. 2. RL 회로의 과도응답 분석 Function generator에서 1V 크기의 50% 듀티 사각파를 인가하고, 주기 T = 100μs (f = 10kHz)로 설정하여 RL 회로의 과도응답을 관찰하였다. 이론적으로 인덕터는 5τ = 50μs 이후에는 내부저항만 남게 되므로, 저항 전압과 인덕터 전압...2025.04.28
-
[A+] RC, RL 미분회로 레포트2025.05.131. RC 미분 회로 및 적분 회로 RC 회로에서 커패시터 C 에 충전 시간에 관계되는 시정수 tau는 tau =RC[s] 이다. RC 회로의 커패시터 C에 충전되는 전압을 v_c(t)라 하면 시간 t=0에서 스위치 K를 닫을 때 회로 방정식은 Ri(t)+ {1} over {C} int_{} ^{} {i(t)dt=E}이므로, 충전 전압 v_c(t)는 v_c(t)=E(1-e^{- {1} over {RC} t})이며, 회로에 흐르는 전류 i(t)는 i(t)= {E} over {R} e^{- {1} over {RC} t}이다. 2. RL...2025.05.13
-
[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)2025.04.291. RL 회로의 과도응답 RL 회로의 과도응답 특성을 분석하고 실험을 통해 확인하였습니다. Time constant가 10 μs인 RL 직렬회로를 설계하고, Function Generator의 사각파 입력에 대한 저항과 인덕터의 전압 파형을 예측하고 실험으로 검증하였습니다. 또한 인덕터에 흐르는 전류와 저항에 걸리는 전압의 관계를 이해하고 이론적 근거를 설명하였습니다. 2. 인덕터 전압 특성 RL 회로에서 인덕터에 걸리는 전압은 시간에 따라 지수함수적으로 변화하며, 최대값에 도달하기 위해서는 최소 5τ 이상의 시간이 필요합니다. ...2025.04.29
-
[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.031. 고주파 특성 측정 회로 설계 이 프레젠테이션에서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. RC 및 RL 회로를 구성하고 오실로스코프의 CH1 단자를 C 또는 L 앞에, CH2 단자를 저항의 양단에 연결하여 입력 전압과 저항 전압, 위상차를 측정합니다. 이를 이상적인 RL 및 RC 회로의 특성과 비교하면 고주파 특성을 알 수 있습니다. 1. 고주파 특성 측정 회로 설계 고주파 특성 측정 회로 설계는 전자 시스템 개발에 있어 매우 중요한 부분입니다. 고주파 신호의 특성을 정확하게...2025.05.03
-
전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 10주차2025.05.041. RC 회로 RC 회로에서는 주파수가 커질수록 전압이 작아졌다. 이는 캐패시터의 특성 때문에 주파수가 높아질수록 캐패시터의 임피던스가 낮아져 전압이 감소하는 것으로 이해할 수 있다. 2. RL 회로 RL 회로에서는 주파수가 커질수록 회로에 흐르는 전류의 절대값이 작아졌다. 이는 인덕터의 특성 때문에 주파수가 높아질수록 인덕터의 임피던스가 높아져 전류가 감소하는 것으로 이해할 수 있다. 3. RLC 회로 RLC 회로에서는 공진주파수를 기점으로 전압이 작아졌다. 이는 캐패시터와 인덕터의 임피던스가 서로 상쇄되어 전압이 증폭되다가 공...2025.05.04
-
중앙대학교 전기회로설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)(예비) A+2025.01.271. RL 회로의 과도응답 RL 회로에서 time constant가 10 ㎲인 경우, 인덕터 10mH와 저항 1kΩ을 사용하여 회로를 구성할 수 있다. 함수발생기를 이용하여 1V의 사각파를 인가하고, 오실로스코프로 전압파형을 관측할 수 있다. 저항전압과 인덕터전압의 예상파형을 그래프로 나타내었다. 또한 회로와 오실로스코프의 연결 상태, Volts/DIV와 Time/DIV 설정 등을 제시하였다. 2. RC 회로의 과도응답 RL 회로와 유사하게, RC 회로에 1V의 사각파를 인가하면 저항전압과 커패시터전압의 과도응답 파형을 예상할 수 ...2025.01.27
4 / 9
