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발전기 원리 실험: Faraday's Law 검증2025.11.131. Faraday's Law와 전자기 유도 Faraday's Law를 실험적으로 확인하여 발전기, 인덕터, 변압기의 동작 원리를 이해한다. 자석을 코일에 넣고 뺄 때 유도되는 전압 파형을 측정하고, 코일을 뒤집었을 때 전압 파형의 부호 변화를 관찰한다. N=2500회의 코일 감은 수를 이용하여 자속의 변화율(dΦ/dt)을 계산하고, 정방향과 역방향에서의 최대/최소 전압값을 측정한다. 2. RL회로와 인덕턴스 측정 RL회로를 이용하여 코일의 인덕턴스를 측정한다. 코일의 내부저항은 126Ω이고, 10kΩ 저항과의 조합으로 시정수 12...2025.11.13
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다이오드 특성 실험 예비보고서2025.11.171. PN 접합 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합시킨 다이오드의 구조와 동작 원리를 설명합니다. 접합면에서 자유전자와 정공의 확산으로 인해 공핍층이 형성되며, 이는 양이온과 음이온으로 이루어진 전하 공백 영역입니다. 순방향 바이어스 시 N형에 음극, P형에 양극을 연결하여 전류가 흐르게 하고, 역방향 바이어스 시 극성을 반대로 연결하여 공핍층을 확대시킵니다. 역방향에서도 소수캐리어에 의한 미소 전류가 흐르게 됩니다. 2. 다이오드 특성곡선 및 문턱전압 실리콘(Si) 다이오드의 문턱전압은 약 0.65V이고 게르마늄(Ge) 다이오드는...2025.11.17
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PN 접합 제조 공정 기술 요약2025.11.181. 열산화(Thermal Oxidation) 열산화는 웨이퍼 표면에 산화층을 형성하는 공정으로, 마스킹, 소자 격리, 게이트 산화막 형성, 표면 패시베이션 등의 목적으로 사용됩니다. 습식 산화는 두꺼운 산화층 형성에 사용되고, 건식 산화는 높은 밀도의 산화층 형성에 사용됩니다. 2. 확산(Diffusion) 확산은 실리콘에 불순물을 도입하는 방법으로, 도펀트 원자가 열 공정을 통해 실리콘으로 이동합니다. 치환 확산과 간질 확산 두 가지 메커니즘이 있으며, 이 기술을 통해 PN 접합을 형성할 수 있습니다. 3. 이온 주입(Ion I...2025.11.18
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접합 다이오드의 특성 실험 결과보고서2025.11.181. 접합 다이오드(Junction Diode) PN 접합에 존재하는 전위 장벽에 의해 문턱 전압이 발생합니다. Si 다이오드는 0.7V, Ge 다이오드는 0.3V부터 전류값이 급격히 올라갑니다. 다이오드는 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고 역방향 바이어스 시 전류가 흐르지 않는 특성을 가집니다. 벌크 저항은 P와 N 영역의 저항의 합이며 이론적 범위는 1~25Ω입니다. 2. I-V 특성 곡선(Current-Voltage Characteristic Curve) 다이오드의 I-V 특성 곡선은 순방향과 역방향 바이어스에서 전류와 전압의...2025.11.18
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