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반도체 소자 및 설계 - 62025.05.101. FET(NMOS, PMOS) 공정 FET(NMOS, PMOS) 공정에 대해 설명합니다. FET(NMOS, PMOS)의 기호와 동작 원리, 특히 NMOS와 PMOS의 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 래치업 효과 CMOS 기술에서 내재된 바이폴라 접합 트랜지스터로 인해 발생할 수 있는 래치업 효과에 대해 설명합니다. 래치업 효과는 Vdd와 GND 라인을 단락시켜 칩을 파괴하거나 시스템 오류를 일으킬 수 있습니다. 3. 래치업 효과 해결 방법 래치업 효과를 해결하기 위한 방법으로 산화물 트...2025.05.10
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디지털 회로 실험 및 설계 - 기본 논리 게이트(Gate) 및 TTL, CMOS I.F 실험 22025.05.161. 디지털 회로 실험 및 설계 이 보고서는 디지털 회로 실험 및 설계 과정에서 수행한 기본 논리 게이트(Gate) 및 TTL, CMOS I/F 실험에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험에서는 전압 레벨 측정, OR + Inverter 진리표 작성, AND-OR-NOT 게이트를 이용한 XOR 설계, CMOS와 TTL 인터페이스 등을 다루었으며, 이론값과 실험 결과를 비교 분석하였습니다. 오차 분석에서는 전류 측정의 어려움, 점퍼선의 저항, 브래드 보드의 불확실성 등이 원인으로 지적되었습니다. 1. 디지털 회로 실험 및 설계 디지털 ...2025.05.16
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