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디지털집적회로설계 실습 4주차 보고서2025.11.141. CMOS Inverter 설계 및 시뮬레이션 FULL-Static CMOS Inverter는 PMOS(M0)와 NMOS(M1) 트랜지스터로 구성된 기본 논리 게이트이다. 0.06마이크로미터 스케일로 설정하고 25도 온도에서 시뮬레이션을 수행했다. 입력신호는 3.3V 펄스로 초기값 0V, 최대값 3.3V, 펄스 폭 50ns, 주기 100ns의 파라미터를 가진다. 시뮬레이션 결과 Vin과 Vout의 펄스가 반전되어 출력되며, 최대 전압이 3.3V로 올바르게 작동함을 확인했다. 2. CMOS NAND Gate 설계 및 검증 NAND...2025.11.14
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디지털집적회로설계 NOR/OR 게이트 레이아웃 설계 및 시뮬레이션2025.11.151. NOR 게이트 레이아웃 설계 NOR 게이트는 트랜지스터 레벨에 따라 설계되었으며, SP 파일을 수정하여 구현되었다. 시뮬레이션 파형 분석을 통해 입력 신호(InA, InB)에 따른 출력(OUTPUT)을 확인하였고, 레이아웃 추출 후 파형이 정상적으로 작동함을 검증했다. 이 과정에서 트랜지스터 배치와 연결 구조의 이해가 중요하며, 정확한 논리 동작을 확인할 수 있었다. 2. OR 게이트 레이아웃 구현 OR 게이트는 NOR 게이트와 인버터(INVERTER)를 조합하여 구현되었다. 두 회로의 레이아웃을 통합하여 설계하였고, 입력 신...2025.11.15
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디지털집적회로설계 실습: 기본 논리게이트 시뮬레이션2025.11.151. INVERTER (인버터) 인버터는 입력 신호를 반전시키는 기본 논리게이트이다. 실습에서 pulse 파형의 입력 신호를 사용하여 시뮬레이션을 수행했으며, 결과 그래프에서 입력과 출력 신호가 정반대의 값을 가지는 것을 확인하여 제대로 구현되었음을 검증했다. 2. NAND 게이트 NAND 게이트는 두 입력 신호가 모두 1일 때만 출력이 0이 되고, 나머지 모든 경우에 출력이 1이 되는 논리게이트이다. 실습에서 INA, INB 입력에 대한 OUT 출력을 분석하여 NAND 게이트의 동작 원리를 파형 그래프로 확인했다. 3. AND 게...2025.11.15
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