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[기초전자실험 with pspice] 01 저항 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 저항 실험 실험에 사용한 장비 및 부품은 파워 서플라이, 멀티미터, 고정 저항 6개(1KΩ, 4.7KΩ, 15KΩ, 33KΩ, 100KΩ, 470KΩ), 가변 저항 1개(3KΩ)였다. 고정 저항의 저항값을 측정한 결과, 이론적인 1%의 오차 범위를 넘는 저항들이 있었다. 이는 저항 제조 과정에서 발생한 손상으로 인한 것으로 추정된다. 가변 저항 측정 실험에서도 오차가 발생했는데, 이는 멀티미터의 오차와 측정 시 손이 프로브에 닿은 것이 원인으로 보인다. 실험을 통해 저항의 컬러코드 읽는 법을 익힐 수 있었다. 1. 저항 실험 ...2025.04.28
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[전자회로실험] Ohm 옴의 법칙 실험 결과 레포트2025.04.281. 옴의 법칙 이 실험에서는 저항이 연결된 회로에서 전압, 전류를 측정하여 저항을 구함으로써 옴의 법칙을 확인하고, 직렬 또는 병렬회로에서의 등가 저항을 실험으로 측정하여 이론 결과와 비교하였습니다. 단일 회로, 직렬 회로, 병렬 회로, 복합 회로 등 다양한 회로에서 옴의 법칙을 검증하였으며, 실험 결과와 이론값이 잘 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에서 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 기본적인 물리 법칙입니다. 이 법칙에 따르면 전압(V)은 전류(I)와 저항(R)의 곱으로 표...2025.04.28
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비9. 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) A+2025.01.271. Series-Shunt 피드백 회로 설계 시뮬레이션을 통해 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 확인하였습니다. 입력 저항과 부하 저항 값을 변경하여 비교 분석한 결과, 회로의 이득이 동일하여 동일한 transfer characteristic curve를 관찰할 수 있었습니다. 또한 입력 전압을 고정하고 전원 전압을 변화시킬 경우, 특정 전압 이상에서는 출력 전압의 변화가 없는 것을 확인하였습니다. 이는 P-type MOSFET의 특성으로 인해 Drain 전압이 Source 전압보다 높을 수 없기 때문입니다. 2. Seri...2025.01.27
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 24 연산 증폭기 응용 회로 2)2025.01.291. 적분기 회로 적분기 회로는 입력 저항 R과 피드백 커패시터 C로 이루어진 간단한 구성으로, 입력 신호에 의해 전류가 흐르고 이 전류가 커패시터에 전하를 축적하면서 출력 전압이 변화하는 원리로 동작합니다. 입력 신호가 일정하면 출력은 선형적으로 증가하거나 감소하며, 저주파 신호에 민감하고 고주파 신호는 감쇠됩니다. 적분기 회로는 속도에서 위치를 계산하는 신호 처리, 삼각파/사인파 생성기, 저주파 필터 및 데이터 누적 계산 등에 응용됩니다. 2. 미분기 회로 미분기 회로는 입력 단자에 커패시터 C와 피드백 경로에 저항 R을 사용하...2025.01.29
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중앙대 전자회로설계실습 결과1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 본 실험에서는 Op Amp를 이용하여 다양한 Amplifier 회로를 설계하고 분석하였다. 먼저 센서 구현을 위해 Function generator를 이용하여 정현파를 생성하고 오실로스코프로 측정하였다. 다음으로 Inverting Amplifier 회로를 설계하여 이득을 측정하고 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하였다. 또한 입력 범위와 주파수 응답 특성을 분석하였으며, 입력 임피던스 변화에 따른 출력 전압 변화를 관찰하였다. 실험 결과를 토대로 설계 목표와의 오차 원인을 분석하고...2025.01.27
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[전자회로응용] Non-interting Op Amp 결과레포트 (만점)2025.01.281. Non-inverting Op Amp 실험 주제는 Non-inverting Op Amp입니다. 실험 목표는 다음과 같습니다: ① Non-inverting OP amp의 동작원리를 설명하라. ② Bode plotter를 이용하여 'TL074CN'소자의 unit-gain frequency와 upper corner frequency를 확인하고 전압이득과의 관계를 설명하시오. ③ Oscilloscope를 이용하여 입출력 전압 swing을 확인하고 전압이득을 이론 계산 값과 비교하라. 예상 결과로는 Op amp는 DC amp이므로 DC...2025.01.28
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