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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 24 연산 증폭기 응용 회로 2)2025.01.291. 적분기 회로 적분기 회로는 입력 저항 R과 피드백 커패시터 C로 이루어진 간단한 구성입니다. 입력 신호는 R을 통해 연산 증폭기의 반전 입력(-) 단자로 들어가고, 출력은 C를 통해 피드백됩니다. 입력 신호에 의해 전류가 흐르고, 이 전류는 커패시터에 전하를 축적합니다. 커패시터 전하가 시간에 따라 누적되면서 출력 전압이 변화하며, 출력 전압은 입력 전압의 적분값에 비례합니다. 적분기 회로는 입력 신호가 일정하면 출력이 선형적으로 증가하거나 감소하며, 저주파 신호에 민감하고 고주파 신호는 감쇠됩니다. 적분기 회로는 속도에서 위...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 8 공통 베이스 증폭기)2025.01.291. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기 회로는 베이스를 공통 단자로 사용하는 트랜지스터 증폭기 회로로, 주로 고주파 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력 신호는 컬렉터에서 얻어진다. 베이스는 고정된 전압을 유지하며 입력과 출력 사이에서 공통 노드로 동작한다. 공통 베이스 증폭기는 전류 증폭보다는 전압 증폭이 필요한 경우에 유용하며, 고주파 응답이 우수한 장점이 있다. 2. 공통 베이스 증폭기의 특성 공통 베이스 증폭기의 주요 특성은 다음과 같다: 1) 전류 이득은 1에 가깝다. 2) 전압 이득은...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로는 일반적인 공통 소오스 증폭기에서 저항 대신 MOSFET 소자를 부하로 사용하는 회로이다. 이를 통해 높은 출력 임피던스와 큰 전압 이득을 얻을 수 있다. 이 회로는 고성능 증폭기를 구현할 때 많이 사용된다. 능동 부하는 일반 저항보다 높은 임피던스를 제공하므로, 전압 이득이 극대화된다. 이로 인해 능동 부하 공통 소오스 증폭기는 작은 신호 입력에서도 큰 증폭이 가능하다. 2. 능동 부하의 역할 회로에서 M_2와 M_3는 능동 부하로 작동하여 출력...2025.01.29
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건국대학교 전자회로1 HW12025.01.291. 전자회로 이 자료는 건국대학교 전자회로 1 과목의 첫 번째 과제에 대한 내용입니다. 과제에는 다양한 전자회로 문제들이 포함되어 있으며, 이를 해결하기 위한 계산과 분석이 필요합니다. 전자회로의 기본 개념과 원리를 이해하고 실제 문제를 해결할 수 있는 능력을 기르는 것이 이 과제의 목적으로 보입니다. 1. 전자회로 전자회로는 전자 기기와 시스템의 핵심 구성 요소입니다. 전자회로는 전기 신호를 처리하고 제어하는 역할을 합니다. 이를 통해 다양한 전자 기기와 시스템이 작동할 수 있습니다. 전자회로는 매우 복잡하고 정교한 구조를 가지...2025.01.29
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[전자공학실험2] 연산 증폭기2025.04.271. 연산 증폭기의 사용법 및 특성 측정 이 실험에서는 연산 증폭기의 사용법을 익히고, 연산 증폭기의 특성 측정과 응용 회로 실험을 통해 연산 증폭기의 성능 및 동작 원리를 이해하였습니다. 실험을 통해 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류, 반전 증폭기와 비반전 증폭기의 특성, 슬루율 측정, 최대 증폭도 측정, 적분기 회로 등을 확인하였습니다. 2. 연산 증폭기의 DC 오프셋 특성 실험 1에서는 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류를 측정하였습니다. 연산 증폭기 내부의 소자 불일치로 인해 발생하는 DC 오프셋 특성...2025.04.27
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실험 01 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 예비 보고서2025.04.271. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 구성되어 있으며, 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 소자입니다. 순방향 바이어스 시 저항이 작아지고 역방향 바이어스 시 저항이 커지는 특성을 지닙니다. 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인할 수 있습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 시 항복 전압을 낮추어 준 소자로서, 역방향 바이어스 시 양단 사이의 전압 강하가 일정한 특성을 지닙니다. 실험을 통해 제너 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인할 ...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 테브난의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전압 및 직렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의된다. 이렇게 만들어진 회로를 테브난 등가회로라 한다. 테브난 등가회로를 만들 때 전압원과 저항이 직렬로 연결되게 만드는데, 이는 전압분배법칙은 직렬연결에서 사용되기 때문에 직렬로 등가회로를 만들면 외부에 연결되는 저항에 걸리는 전압의 크기를 구할 수 있기 때문이다. 2. 테브난 등가회로 구하는 과정 테브난 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같다: 1. 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 09 노턴의 정리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 노턴의 정리 노턴의 정리 - 결과보고서 실험 시 사용했던 장비 & 부품파워 서플라이멀티미터브레드보드고정 저항 x4 [300Ωx2, 150Ω, 330Ω] 실험 결과 & 사진기본 회로 실험이론값노턴 등가회로 실험[V][mA][V][][V][mA]3.12059.613.13002.92389.11 결론(실험 결과에 대한 설명)기본 회로에서 부하저항에 걸린 전압 과 노턴 등가회로의 의 값이 비슷하다. 또한, 기본 회로에서 부하저항에 흐르는 전류 과 노턴 등가회로의 이 약간의 오차가 있지만 유사하다. 이는 등가회로의 등가성이 성립되기 때...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 09 노턴의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 노턴의 정리 노턴의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전류원 및 병렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의됩니다. 이렇게 만들어진 회로를 노턴 등가회로라 합니다. 노턴 등가회로는 전류원과 저항을 병렬로 연결되게 만드는데, 이는 전류분배법칙은 병렬연결에서 사용되기 때문에 병렬로 등가회로를 만들면 전류분배공식으로 외부에 연결되는 저항에 흐르는 전류의 크기를 구할 수 있기 때문입니다. 2. 노턴 등가회로 구하는 과정 노턴 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같습니다: (1) 부하저항을 제거하고, 단락된 단자 a와 b를 ...2025.04.28
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