총 40개
-
Diode의 전기적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험을 통해 다이오드의 정방향 Bias 특성, 다양한 회로적 모델링, Avalanche Breakdown과 Zener Breakdown의 차이, Zener Diode의 동작 특성 등을 이해하고 다이오드와 Zener Diode의 전압-전류 특성을 파악하였다. 2. 다이오드의 용도 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 '체크 밸브' 역할을 하며, 정류기로 사용되어 AC를 DC로 변환하는 데 활용된다. 또한 다이오드는 온도 센서나 기준 전압 발생기로도 사용될 수 있다. 3. Zener Diode의 특...2025.01.12
-
MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
-
BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
-
반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
-
[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
-
A+받은 정류회로 예비레포트2025.05.101. 반파 정류회로 반파 정류회로의 출력파형을 측정하였습니다. 반파 정류회로는 정현파 교류의 한 반주기만 직류로 변환하는 방식으로, 평균 직류 전압은 입력 전압의 최대값의 0.318배가 됩니다. 다이오드의 피크 역방향 전압(PIV)는 입력 전압의 최대값과 같습니다. 2. 전파 정류회로(중간탭) 전파 정류회로(중간탭)의 출력파형을 측정하였습니다. 전파 정류회로는 정현파 교류의 양의 반주기와 음의 반주기를 모두 직류로 변환하는 방식으로, 평균 직류 전압은 입력 전압의 최대값의 0.636배가 됩니다. 다이오드의 피크 역방향 전압(PIV)...2025.05.10
-
물리화학실험 basic electronics 실험보고서2025.05.051. 다이오드 다이오드는 2개의 단자를 갖는 전자 부품으로 한쪽에는 낮은 저항을, 다른쪽에는 높은 저항을 둬 전류가 한쪽으로만 흐를 수 있게하는 물질이다. 오늘날 가장 많이 쓰는 다이오드는 반도체 다이오드로 P-N접합을 포함한 소재에 연결되어있다. 실험에서 사용한 다이오드도 pn접합 다이오드로 실리콘 다이오드가 가장많이 만들어진다고 한다. 실험 결과 게르마늄 다이오드는 0.3~0.4V에서, 실리콘 다이오드는 0.5~0.7V정도에서 전류값이 갑자기 증가하는 것을 보였는데, 이는 각자의 문턱저항을 의미한다. 문턱저항 이상에서는 전류가 ...2025.05.05
-
트랜지스터 기초실험 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 동작 원리 실험을 통해 쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작 원리를 익히고, 트랜지스터 회로에서 부하선과 동작점의 개념을 이해하였다. 또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인하였다. 2. 트랜지스터 특성곡선 실험 결과를 통해 트랜지스터의 특성곡선을 분석하여 동작 영역을 이해하고, 입력 전압과 출력 전압의 변화에 따른 트랜지스터의 동작 변화를 확인하였다. 3. 트랜지스터 동작점 실험에서 측정된 데이터를 통해 동작점에서의 전압과 전류의 상호 관계를 확인하고, 이를 토대로 트랜지스터가 올바르게 작동하는지를 파악하였다. 1...2025.01.20
-
전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
-
[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH6. 제너다이오드 실험보고서2025.05.051. 제너다이오드 제너다이오드는 역방향 바이어스 상태로 주로 사용되며, 항복영역에서 다이오드가 파괴되지 않고 사용이 가능한 소자입니다. 제너다이오드의 주요 특성으로는 역포화 전류, 애벌란치 효과, 제너 효과, 제너 항복전압, 회복시간, 누설전류 등이 있습니다. 제너다이오드는 정전압기, 전압 표준기 등에 사용되며, 전압 레귤레이터 회로에서 병렬로 연결되어 직류전원의 출력전압을 일정하게 유지하는 역할을 합니다. 2. 제너다이오드의 동작 특성 제너다이오드는 순방향 바이어스일 때 단락 스위치처럼 동작하며, 순방향 전류는 공급전압의 증가에 ...2025.05.05
1 / 4
