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(A+) 일반물리학실험2 전자기기사용법(1)2025.01.111. Ohm's Law 전압 V, 전류 I와 저항 R 간의 관계는 V = IR 이다. 회로 구성이 동일할 때, 전압이나 전류의 변화는 일반적으로 저항값에 영향을 주지 않아 이 식을 만족한다. 2. 교류 전원의 실효값 교류의 전압은 시간에 따라 변화하며, 일반적인 사인파 전원에서 그 형태는 V(t) = Vmax * sin(ωt)이다. Vrms는 교류 전압의 최대 진폭 Vmax를 √2로 나눈 값으로, 동일 저항에 동일 전력을 공급하는 직류 전압과 같다. 3. 디지털 오실로스코프 오실로스코프는 전원의 파형을 확인하는 데 용이하지만, 측정...2025.01.11
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전기및디지털회로실험 실험4 결과보고서2025.01.121. 옴의 법칙 실험을 통해 직류회로에서 옴의 법칙이 성립함을 확인하였다. 전압과 전류를 측정하여 저항값을 계산하였고, 예상값과 실제 측정값 간에 약간의 오차가 있었지만 전반적으로 옴의 법칙이 잘 적용되는 것을 확인할 수 있었다. 전류계 내부의 저항과 기판 상의 물리적인 접촉 요소 등이 오차의 원인으로 작용한 것으로 보인다. 2. 직렬 및 병렬 회로 직렬 회로와 병렬 회로를 구성하여 전압, 전류, 저항 양단 전압을 측정하였다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차율은 비교적 작았으며, 회로의 형태를 변경해도 측정값이 일치하는 것을 확인할...2025.01.12
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[결과보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. MOSFET Current Mirror 이번 실험에서는 Cascade Current Mirror를 구현 및 측정을 하였다. 크기가 같은 mosfet 이용하여 기존 전 류와 같은 출력전류를 얻을 수 있고, 단일 current mirror보다 출력 저항을 증가시킬 수 있 는 장점을 가지고 있다. Mosfet의 Drain, Source, Gate에 대한 전압, 전류 값을 통해 이들의 차이 값을 이용하여 저 항 값을 확인할 수 있다. 2. 전류 전원회로 설계 특정 전류(Reference current)가 흐를 수 있도록 하는 단일 c...2025.05.10
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서7 (보고서 1등)2025.05.101. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 다음과 같다. 1) DMM을 직류전압 측정모드(DCV)로 설정한다. 2) 매우 큰 저항(20MΩ)을 DMM과 연결한다. 3) DMM에 표시된 값을 기록한다. 4) DMM의 내부저항이 10MΩ정도이므로 매우 큰 저항이 연결될 경우 DMM의 저항이 연결된 저항의 전압에 영향을 주어 Voltage Divider 현상이 발생한다. 이를 통해 DMM의 내부저항을 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 RC time constant를 측정하는 방법은 다음과 같...2025.05.10
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[물리화학실험A+] Input & Output Impedence(입력저항,출력저항 구하기) 결과보고서2025.01.171. 전압 측정 이번 실험은 물리량의 측정의 기본이 되는 전압 측정에 대해 알아보고 oscilloscope, DVM 이라는 전압 측정기를 이용하여 입력 저항 및 출력 저항을 구해보는 것이다. 전원은 E0의 전압을 발생시키는 전원에 저항이 직렬로 연결되어 2개의 단자가 연결된 형태이다. 전원 내부에 있는 저항을 출력저항이라고 하며 출력저항이 크면 전압측정의 정확성이 떨어진다. 전압계는 전원의 두 단자에 접촉되는 두 단자를 가진 장치이다. 전압계 내부에 있는 저항을 입력저항이라하며 입력저항에 발생한 전압을 측정하는 부분이 병렬로 연결되...2025.01.17
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전기회로설계실습 실습2 결과보고서2025.01.201. DC Power Supply 사용법 이 실험에서는 DC Power Supply에서 다이얼을 돌림으로써 모니터에 나타나는 CC와 CV를 통해 최대 전류와 최대 전압의 개념을 알 수 있었으며, 과전류가 흐를 때 어떤 일이 일어나는지 알게 되었다. 또한, DC Power Supply의 output 1, output 2 사이의 전압을 측정할 때는 (-) 단자끼리 측정해야 함을 알 수 있었다. 2. DMM 내부저항과 외부저항 관계 DMM은 내부저항보다 외부저항이 충분히 클 때 저항 측정이 정상적으로 가능함을 알 수 있었다. 따라서, 측...2025.01.20
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전기회로설계실습 8장 예비보고서2025.01.201. RL 회로의 과도응답(Transient Response) 이 보고서는 RL 회로의 과도응답을 측정하는 실험 계획을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1) 시정수 10 μs인 RL 직렬 회로를 설계하고, 2) 함수 발생기 출력과 인덕터 전압을 동시에 관측하도록 회로와 오실로스코프를 연결하는 방법, 3) 함수 발생기 출력과 저항 전압을 동시에 관측하는 방법, 4) 함수 발생기 출력이 DC 오프셋이 있을 때의 예상 파형, 5) 저항 양단에 오실로스코프를 연결했을 때의 파형 예상, 6) 주기가 시정수와 같은 사각파를 R...2025.01.20
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기초 회로 실험 결과 레포트2025.01.211. 저항의 직렬 및 병렬 연결 저항기의 직렬 및 병렬 연결에 대해 설명하고 있습니다. 직렬 연결의 경우 등가저항은 각 저항의 합이 되고, 병렬 연결의 경우 등가저항은 각 저항의 역수의 합의 역수가 됩니다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 분기점 법칙과 고리 법칙에 대해 설명하고 있습니다. 분기점 법칙은 모든 분기점에서 전류의 합이 0이 되어야 하고, 고리 법칙은 모든 닫힌 회로에서 전위차의 합이 0이 되어야 한다는 내용입니다. 3. 휘트스톤 브릿지 휘트스톤 브릿지 회로에 대해 설명하고 있습니다. 이 회로는 미지의 저항값을 매우...2025.01.21
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전기회로설계실습 예비보고서82025.05.151. RL 회로의 과도응답(Transient Response) 이 실습의 목적은 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품이 제시되어 있으며, 3.0에서 time constant가 10 μs인 RL 직렬회로를 설계하는 방법이 설명되어 있습니다. 3.1에서는 회로의 저항 값을 계산하고, 사각파 주파수를 결정하며, 저항과 인덕터의 예상 전압 파형을 그래프로 제시하고 있습니다. 3.2에서는 오실로스코프 설정에 대해 설명하고 있으며, 3.3과 3.4에서는 저항 전압 ...2025.05.15
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오실로스코프 실험 보고서 (A+)2025.01.241. 오실로스코프 오실로스코프는 전자 신호의 파형을 관찰하고 측정할 수 있는 장비입니다. 이 실험에서는 오실로스코프의 동작 원리와 사용법을 익히고, 함수발생기와 함께 다양한 파형을 발생시켜 관측하는 방법을 학습했습니다. 또한 직류와 교류 전압의 특성, 임피던스와 위상 차이 등을 이해하게 되었습니다. 2. 함수발생기 함수발생기는 전자 신호에 해당하는 파형을 발생시키는 장치입니다. 이 실험에서는 함수발생기의 동작 원리와 사용법을 익히고, 다양한 파형(정현파, 사각파, 톱니파 등)을 발생시켜 오실로스코프로 관측하는 방법을 학습했습니다. ...2025.01.24
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