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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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중앙대 전기회로설계실습 3차 결과보고서2025.04.271. 분압기(Voltage Divider) 설계 출력전압이 12V로 고정되어 있는 한 대의 DC Power Supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 실습을 진행하였다. 부하를 고려하지 않은 분압기와 부하를 고려한 분압기를 설계하고 실험을 통해 비교 분석하였다. 부하를 고려하지 않은 분압기는 부하 연결 전후 전압이 크게 변화하여 현실적으로 사용할 수 없음을 확인하였고, 부하를 고려한 분압기 설계를 통해 정격 전압과 전류 조건을 만족하는 회로를 ...2025.04.27
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건국대학교 전기전자기초실험2 서미스터 결과레포트2025.01.291. 서미스터 LED 회로 실험 1에서는 서미스터와 LED로 구성된 회로를 구성하고, 출력 전압 Vout을 측정하였습니다. 측정된 전압 값을 바탕으로 서미스터의 온도를 추정하였습니다. 오차가 큰 이유는 전압 분배 회로의 분모 값이 소수점으로 차이가 나기 때문입니다. 2. 서미스터 온도 검출 회로 실험 2에서는 연산증폭기 LM358, 서미스터, LED 2개로 구성된 온도 검출 회로를 구성하였습니다. 서미스터의 온도에 따라 RED LED와 BLUE LED가 켜지는 것을 확인하였고, 오실로스코프로 Vout의 파형을 관찰하였습니다. 측정된...2025.01.29
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중앙대학교 전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입려저항 측정회로 설계(예비) A+2025.01.271. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 수Ω 정도로 작으며 새 건전지의 경우 0.05Ω의 출력저항을 가진다. 따라서 내부저항은 0에 가까운 아주 작은 값일 것이라 예상한다. 건전지(6 V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비가 최소가 되도록 하였다. 10Ω 저항에 0.6A 전류가 흐르고 6V 전압이 걸리므로 10Ω 저항에 소비되는 전력은 3.6W이다. 2. 옴의 법칙과 전류 계산 10Ω의 저항에 1V를 인가하면 전류는 100mA이다. D...2025.01.27
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 전압 팔로워 회로 전기전자기초실험2 레포트 – 연산증폭기 2학번이름모의실험 1. 전압 팔로워 회로그림 1-1, 1-2의 회로를 LTspice로 구현하시오. (연산증폭기 Universal Opamp)그림 1-1 전압 분배 회로그림 1-2 전압 팔로워가 포함된 분배 회로모의실험을 위해 구성한 LTspice 회로 사진을 첨부한다. 그림 1-1 회로에서 입력 전압을 5V, 1kHz 정현파를 인가하고 입력 전압 Vin과 Vout의 전압의 파형을 도시하시오.그림 1-2 회로에서 입력 전압을 5V, 1kHz 정현파를 인가하고 입력 전압 V...2025.01.29
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실험 15_다단 증폭기 결과보고서2025.04.281. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 실험을 통해 다단 증폭기의 입력단과 출력단의 임피던스 조건, 전압 이득 특성 등을 확인하였다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 2단 증폭기와 3단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하였다. MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하고, 이를 이...2025.04.28
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 13. 발전기 원리 실험2025.04.291. 코일의 인덕턴스 측정 RL 직렬회로를 구성하고 Function Generator를 이용해 사각파(0 [V] to 1 [V], duty cycle= 50%)를 입력전압으로 인가한 후 오실로스코프를 이용해 time constant τ를 측정하면 코일의 인덕턴스 L을 구할 수 있다. 2. 자석 삽입에 따른 발생전압 극성 변화 자석을 넣을 때와 뺄 때, 코일을 뒤집어서 넣을 때와 뺄 때 발생전압의 극성이 반대가 될 것이다. 이는 Faraday's Law에 따라 코일(폐회로)를 통과하는 총 자속의 방향이 달라지기 때문이다. 3. 자속 ...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.04.291. 건전지의 내부 저항 측정 6 [V] 건전지의 전압은 6.37 [V]로 측정되었으며, 이는 건전지 사용에 의해 화학물질이 소비되어 출력 저항이 증가하기 때문에 이를 대비해서 높은 전압으로 설계된 것으로 보인다. 건전지의 내부 저항은 0.848 [Ω]으로 매우 작은 값이 측정되었으며, 실제 회로에서는 이와 유사한 값의 저항을 사용하지 않는 이상 건전지 내부 저항을 고려하지 않아도 된다. 2. Pushbutton switch를 이용한 저항 보호 Pushbutton switch를 통해 짧은 시간만 전력을 공급할 경우 저항이 타는 것을...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 13. 발전기 원리 실험2025.04.291. 코일의 인덕턴스 측정 RL 직렬 회로의 time constant를 이용하여 코일의 인덕턴스를 측정하였다. 최대 전압이 6.6 [㎲]에서 704 [mV]로 측정되었고, 최댓값의 0.368배가 걸리는 지점은 18 [㎲]에서 256[mV]로 측정되었다. 이를 이용해 인덕턴스를 계산하면 L = R * τ = 10.1 [㏀] * 11.4 [㎲] = 0.115 [mH]이다. 2. 자석 움직임에 따른 전압 파형 관측 자석을 코일에 넣을 때와 뺄 때 자속의 변화율이 반대가 되어 전압 파형이 반대로 나타나는 것을 확인하였다. 코일과 자석을 뒤...2025.04.29
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