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[결과보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. MOSFET Current Mirror 이번 실험에서는 Cascade Current Mirror를 구현 및 측정을 하였다. 크기가 같은 mosfet 이용하여 기존 전 류와 같은 출력전류를 얻을 수 있고, 단일 current mirror보다 출력 저항을 증가시킬 수 있 는 장점을 가지고 있다. Mosfet의 Drain, Source, Gate에 대한 전압, 전류 값을 통해 이들의 차이 값을 이용하여 저 항 값을 확인할 수 있다. 2. 전류 전원회로 설계 특정 전류(Reference current)가 흐를 수 있도록 하는 단일 c...2025.05.10
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[한기대 A+] 기전력 측정(전위차계)2025.05.111. 비저항 비저항은 단위 길이당의 전기 저항으로, 고유저항 또는 저항률이라고 한다. 도선의 저항 R은 도선 길이 l에 비례하고 단면적 s에 반비례한다. 비저항은 길이가 1m이고, 단면적이 1m^2인 도선의 전기저항에 해당하며, 단위는 Ω·m이다. 도선의 온도가 달라지면 도선의 저항값은 변하며, 이때 저항 온도 계수 α를 사용한다. 2. 기전력 기전력은 전지나 발전기와 같이 두 단자의 전위차를 일정하게 유지시키는 능력으로, 단위는 V로 나타낸다. 전지나 발전기는 내부의 양(+)전하를 낮은 전위에서 높은 전위쪽으로 계속해서 옮겨주며,...2025.05.11
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부산대 기초전기전자실험 예비보고서 1주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. 직류 회로 전압 측정 전압분배 법칙에 따르면 V0=3000/(1000+3000)*5= 3.75V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.677V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 4k옴으로 바꾼 후, V0는 전압분배 법칙에 따르면 4V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.923V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 2. 교류 회로 전압 측정 이론 결과 주파수 1kHz, 진폭 5Vp-p, 오프셋 전압은 0V로 입력파형을 주었다. 실험 결과는 보고서에 자세히 기술되어 있다. 3. 직류 회로 전류 측정 옴의 법칙에 ...2025.05.16
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중첩의 원리 실험2025.05.161. 선형성(Linearity) 선형성(Linearity)은 비례성(homogeneity property)과 가산성(additivity property)으로 구성됩니다. 선형회로에서만 적용 가능한 중첩(Superposition)의 원리는 하나 이상의 독립 전원이 있을 때, 전체 회로의 동작이 모든 독립 전원이 하나씩 동작할 때의 결과를 합친 것과 같다는 것을 의미합니다. 2. 중첩의 원리 적용 중첩의 원리를 적용하기 위해서는 하나의 소스를 제외하고 모든 독립전원을 끄고, 각각 다른 독립전원에 1의 내용을 반복한 뒤 독립전원에 의한 ...2025.05.16
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전자회로설계실습 5번 결과보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로, 부하가 BJTd 인버터에 연결된 LED구동회로, MOSFET를 이용한 LED구동회로 등 3가지 회로를 구현하고 각 회로의 동작을 분석하였습니다. 회로 구현 과정에서 발생한 오차와 그 원인을 분석하였으며, MOSFET의 동작 원리와 RG의 역할 등을...2025.01.20
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Floyd의 기초회로실험 6장 직렬 회로2025.01.191. 직렬 회로 실험을 통해 직렬 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 전압법칙을 적용하여 전압과 전류를 구하고 분석하였다. 실험 데이터를 통해 전압과 전류의 측정값을 얻었으며 이를 바탕으로 계산을 진행하였다. 각 저항의 측정값은 표시값과 매우 근접한 결과를 보였고, 각 구간의 측정값과 계산값들도 매우 유사한 결과로 나타났다. 이를 통해 옴의 법칙과 키르히호프 전압법칙이 직렬 회로에 잘 적용되고 있음을 확인할 수 있었다. 2. 옴의 법칙 실험 데이터를 통해 전압과 전류의 측정값을 얻었으며 이를 바탕으로 계산을 진행하였다. 표 6-2에서 ...2025.01.19
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.021. RC회로의 시정수 측정 이 보고서는 RC회로의 시정수를 측정하는 회로와 방법을 설계하는 것을 다룹니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) V와 R의 값을 측정하고 DMM을 저항과 전압에 직렬로 연결하여 전압 V0를 측정한 후 이를 이용해 Rin을 계산합니다. 2) DMM을 전류 측정 모드로 설정하고 스위치를 1번에 연결하면 초기 전류 I가 흐르고, 시간이 지남에 따라 전류 Ic가 감소하는데 이때 Ic가 초기 전류의 36.8%가 되는 시간이 RC 시정수입니다. 3) RC 시정수가 10μs이고 커패시터 용량이 10nF일 때 저항...2025.05.02
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전류계 만들기 결과 레포트2025.05.041. 전류계 제작 실험을 통해 전류계를 직접 제작하였다. 나침반 주위에 에나멜선을 감아 전류가 흐르면 나침반 바늘이 움직이는 원리를 이용하였다. 기준 전류에서의 나침반 각도를 측정하고, 다른 전류값에서의 각도를 예측하는 과정을 거쳤다. 전류계 제작 시 고려해야 할 사항들도 함께 논의하였다. 2. 전류와 자기장의 관계 전류가 흐르면 자기장이 발생하는데, 이 자기장의 크기는 전류의 크기에 비례한다. 실험에서는 기준 전류에 의한 자기장과 지구 자기장의 크기가 같을 때 나침반 각도가 45도가 되는 것을 확인하였다. 이를 바탕으로 다른 전류...2025.05.04
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옴의 법칙과 키르히호프 전압 및 전류 법칙2024.12.311. 옴의 법칙 옴의 법칙은 도체에 일정한 전압을 가하면 도체에 일정한 전류가 흐르게 되며, 전압과 전류 사이에 일정한 비례 관계가 있다는 것을 설명합니다. 이를 수식으로 나타내면 V = IR로 표현할 수 있습니다. 여기서 V는 전압, I는 전류, R은 저항을 나타냅니다. 2. 키르히호프 전압 법칙 키르히호프 전압 법칙은 임의의 폐회로에서 한 점에서 일정한 방향으로 일주하면서 시작점에 다시 도달한 경우 전압 강하량의 합은 항상 0이 된다는 것을 설명합니다. 이를 수식으로 나타내면 ∑V = 0으로 표현할 수 있습니다. 3. 키르히호프...2024.12.31
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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