총 50개
-
A+받은 다이오드 클램퍼 결과레포트2025.05.101. 다이오드 클램퍼 실험을 통해 다이오드 및 커패시터를 이용한 클램퍼 회로를 구성하고, 출력 파형을 관찰하였다. 양의 클램퍼 회로에서 저항값을 변화시키며 출력 파형을 관찰하였고, 시정수가 작은 경우 커패시터가 일정한 직류 전압값에 수렴하지 않고 정현파의 형태를 나타내는 것을 확인하였다. 저항값이 증가하면서 시정수가 커짐에 따라 출력 파형이 입력 전압을 기준으로 양의 반주기에서 약 1V의 DC 성분이 더해진 형태로 나타나며, 음의 반주기에서 다이오드의 도통 전압에 수렴하는 것을 확인하였다. 음의 클램퍼 회로에서는 저항값이 큰 경우에...2025.05.10
-
중앙대학교 전기회로설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계(예비) A+2025.01.271. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법을 설계하여 제출하라. 1) DMM의 측정단위를 Ω으로 맞춘다. 2) DMM의 측정치를 10 Ω보다 크게 맞추고, 임의의 수십[MΩ] 정도의 저항의 저항값을 측정한다. 3) DMM의 측정단위를 Vdc로 바꾼다. 4) DC Power Supply 와 임의의 저항, DMM을 연결한다. 5) DMM에서 측정되는 전압을 통해 DMM의 내부저항을 구한다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2 μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 ...2025.01.27
-
전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 9주차2025.05.041. RC 회로 첫 번째 실험은 RC 회로에서 저항의 크기에 따른 그래프의 파형을 관찰하고, 시정수를 구하였다. 이론적으로 구한 시정수와 실제 커서를 통해서 구한 시정수는 같았다. RC 회로의 시정수는 R×C 이다. 2. LC 회로 두 번째 실험은 LC 회로에서 저항의 크기에 따른 그래프의 파형을 관찰하고, 시정수를 구하였다. 이론적으로 구한 시정수와 실제 커서를 통해서 구한 시정수는 대부분 같았다. 68Ω일 때 가장 큰 유효숫자의 값이 달랐지만 시정수 자체가 매우 작은 것을 감안하면, 거의 같은 값으로 볼 수 있다. LC 회로의 ...2025.05.04
-
전기전자개론 실험보고서 교류신호와 인덕터 RL회로 특성2025.05.041. 인덕터(코일)의 기초 코일(Inductor)은 동선과 같은 선재를 나선모양으로 감은 것으로, 전류 변화에 비례하여 유도전압을 발생시키는 수동 소자입니다. Faraday의 전자기 유도 법칙에 따르면 코일에 유도되는 전압의 크기는 코일에 대한 자기장의 변화율에 비례하며, Lenz의 법칙에 따르면 코일에서 유도전압의 극성은 항상 전류의 변화에 반대입니다. 인덕턴스(L)는 코일에 흐르는 전류의 변화에 대하여 유도전압을 만들어 전류의 변화를 억제하는 성질을 나타내며, 단위는 헨리(H)입니다. 2. 인덕터의 종류 인덕터는 용량에 따라 고...2025.05.04
-
[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH3. 브리지정류와 평활회로 실험보고서2025.05.051. 브리지정류 회로 브리지정류 회로는 전파정류 회로로 가장 많이 사용되고 있는 회로이다. 브리지정류는 교류전압이 (+)인 구간에서 도통되는 다이오드와 (-)인 구간에서 도통되는 다이오드를 함께 연결하여 항상 일정한 방향으로 전압이 걸리고 전류가 흐르게 하는 회로이다. 브리지 다이오드 전파정류 출력전압의 평균값과 주파수는 변압기의 중간탭을 이용한 전파 정류회로의 평균값, 주파수와 같으며, 입력전압으로부터 2VDO만큼 전압 강하가 된 출력이 생성된다. 2. 평활 회로 브리지 전파 정류회로에서 정류된 파형을 푸리에 변환시켜보면 많은 교...2025.05.05
-
일반물리학실험2 축전기의 충전과 방전2025.01.111. 축전기 충전 과정 축전기, 저항, DC Power Supply가 직렬 연결로 구성된 회로에서 축전기가 완전 방전된 상태에서 회로가 개방되어 있으면 전류가 흐르지 않는다. 회로를 폐쇄하면 DC Power Supply에 의해 전류가 회로에 흐르기 시작하여 축전기의 충전이 진행된다. 시간 t와 축전기에 충전된 전하 q, 회로에 흐르는 전류 I의 관계는 특정 수식으로 표현된다. 축전기의 양단의 전위차는 이 수식으로 계산되며, 전하가 충분히 충전되어 전류가 더 이상 흐르지 않게 되는 시점은 (DC Power Supply 입력 전압)인 ...2025.01.11
-
전기회로설계실습 실습7 예비보고서2025.01.201. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 DMM을 저항 측정 모드로 하여 R의 값을 측정하고, DMM을 전압 측정 모드로 바꾼 후 DMM에서 측정된 전압을 통해 Rd를 구하는 것이다. 이는 voltage division 원리를 이용하여 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법은 왼쪽 회로를 사용하는 것이다. 먼저 왼쪽 스위치를 닫아 커패시터를 충전시킨 후, 왼쪽 스위치를 열고 오른쪽 스위치를 닫...2025.01.20
-
전기회로설계실습 실습8 결과보고서2025.01.201. RL 회로의 과도응답 이 보고서는 RL 회로의 과도응답을 실험적으로 분석한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 RL 회로의 설계, 입력 사각파와 각 소자의 전압 파형 측정, 시정수 τ의 측정 및 이론값과의 비교, 입력 전압 크기 변화에 따른 저항 전압 파형 변화 등입니다. 실험 결과와 이론적 분석을 통해 RL 회로의 과도응답 특성을 이해할 수 있습니다. 2. 인덕터의 특성 이 보고서에서는 인덕터의 중요한 특성인 DC 성분의 전압 통과 능력에 대해 설명하고 있습니다. 인덕터에 인가되는 사각파 입력 전압에서 DC 성분은 인덕터가...2025.01.20
-
클리핑과 클램핑 회로 실험 결과 분석2025.11.161. 클리핑 회로(Clipping Circuit) 클리핑 회로는 입력신호의 특정 전압 이상 또는 이하의 신호를 제거하는 회로입니다. 병렬 클리퍼는 입력전압이 양(+)일 때 다이오드가 역방향 바이어스되어 회로가 차단되고, 음(-)일 때 순방향 바이어스되어 도통됩니다. 직렬 클리퍼는 양(+)에서 도통되어 출력전압이 입력전압과 같고, 음(-)에서 차단되어 출력전압이 0이 됩니다. 2중 바이어스 병렬 클리핑 회로는 양과 음의 특성을 모두 가지며, 설정된 전압값 이상/이하의 신호를 제한합니다. 2. 클램핑 회로(Clamping Circuit...2025.11.16
-
RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계2025.11.151. RC회로 시정수(Time Constant) RC회로의 시정수는 τ = RC로 정의되며, 커패시터의 충방전 시간을 결정하는 중요한 파라미터이다. 본 실험에서는 DMM의 내부저항(10.492MΩ)과 커패시터(2.23μF)를 이용하여 시정수를 측정했으며, 이론값 23.397s와 실험값 22.17s의 오차는 -0.052%로 매우 정확했다. 또한 설계된 회로에서 τ=10μs를 목표로 저항 875.656Ω과 커패시터 11.42nF를 사용하여 실험값 9.6μs를 얻었고 오차는 -0.04%였다. 2. DMM(Digital Multimeter...2025.11.15
5 / 5
