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반도체 물성과 소자 8-9장 정리2025.11.131. PN 접합 다이오드 PN 접합은 P형과 N형 반도체가 만나는 영역으로, 정공과 전자의 확산으로 인해 전기장이 형성됩니다. 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고, 역방향 바이어스 시 역포화 전류가 흐릅니다. I-V 특성은 로그 스케일에서 선형이며, 온도 계수는 약 60mV/dec입니다. 접합의 내장 전위는 밴드갭 에너지와 도핑 농도에 의존합니다. 2. 반도체 접합 특성 균일하게 도핑된 반도체 영역에서 전기장은 공핍층 내에만 존재합니다. 순방향 바이어스에서는 정공과 전자의 확산 전류가 주요 메커니즘이고, 역방향 바이어스에서는 역포화 ...2025.11.13
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발광 다이오드 및 제너 다이오드 실험2025.11.161. 발광 다이오드(LED) 발광 다이오드는 순방향 바이어스 시 전류가 흘러 빛이 발생하며, 역방향 바이어스 시 꺼진 상태가 된다. 빛의 밝기는 다이오드를 통과하는 전류량에 따라 결정되며, 과도한 전류는 다이오드를 파괴한다. GaAsP나 GaP 같은 LED 재료는 순방향 바이어스 시 가시광원을 생성하는 광자를 방출하는 전계발광 과정을 거친다. 빛의 종류는 다이오드 제조 물질에 따라 다르며, 임계전압도 물질에 따라 5V, 7V 등 다양하다. 2. 제너 다이오드(Zener Diode) 제너 다이오드는 제너 항복영역을 이용하도록 설계된 ...2025.11.16
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