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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
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아주대학교 물리학실험2 옴의 법칙 결과보고서A+2025.05.011. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 만족하는 탄소저항과 만족하지 않는 다이오드의 특성을 확인하였다. 탄소저항은 전압과 전류의 관계가 선형적인 옴의 법칙을 만족하지만, 다이오드는 전압이 양일 때만 전류가 흐르는 비선형적인 특성을 보였다. 다이오드의 경우 문턱전압 이상에서 전류가 급격히 증가하는 지수함수 형태의 전압-전류 특성을 확인할 수 있었다. 2. 탄소저항 측정 실험 1에서 탄소저항의 표시 저항값과 측정값을 비교하였다. 33Ω 저항의 경우 측정값이 31Ω으로 약 6.06%의 오차가 있었고, 100Ω 저항의 경우 측정값이 83...2025.05.01
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전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조2025.04.291. 다이오드와 문턱 전압 다이오드는 순방향 전압이 걸렸을 때 실리콘 다이오드는 약 0.7V, 게르마늄 다이오드에서는 약 0.2 V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데, 이때의 전압을 다이오드의 문턱전압(threshold voltage)이라고 한다. 다이오드는 역 전압을 막거나, 교류를 직류로 만들 때, 사용한다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 직렬 회로에서 전류는 하나의 통로만 가지며, 회로 내부에 소자(장치)로 인해 전류의 세기가 동일하다. 병렬 회로는 +극에서 받는 전압과 -극에서 받는 전압이 동일하기 때문에, 모든 전압이 ...2025.04.29
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