총 12개
-
반도체 공정 기술 및 메모리 소자 종합 분석2025.11.181. 반도체 전공정(FEP) 기술 반도체 공정의 전공정은 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리 등 다양한 소자 제조에 필수적이다. 웨이퍼 기판, 표면 준비, 박막 형성, 플라즈마 식각 등의 기술이 포함되며, 무어의 법칙에 따른 소자 축소로 인해 새로운 재료와 공정 기술의 도입이 필요하다. 특히 고-k 유전체와 금속 게이트 도입, SOI 웨이퍼 활용, 응력 제어 등이 주요 기술 과제이다. 2. 플래시 메모리 기술 플래시 메모리는 비휘발성 메모리로 NAND형과 NOR형으로 구분된다. NAND형은 직렬 연결으로 고집적도와 빠른 쓰기/지우...2025.11.18
-
PN 접합 제조 공정 기술 요약2025.11.181. 열산화(Thermal Oxidation) 열산화는 웨이퍼 표면에 산화층을 형성하는 공정으로, 마스킹, 소자 격리, 게이트 산화막 형성, 표면 패시베이션 등의 목적으로 사용됩니다. 습식 산화는 두꺼운 산화층 형성에 사용되고, 건식 산화는 높은 밀도의 산화층 형성에 사용됩니다. 2. 확산(Diffusion) 확산은 실리콘에 불순물을 도입하는 방법으로, 도펀트 원자가 열 공정을 통해 실리콘으로 이동합니다. 치환 확산과 간질 확산 두 가지 메커니즘이 있으며, 이 기술을 통해 PN 접합을 형성할 수 있습니다. 3. 이온 주입(Ion I...2025.11.18
2 / 2
