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아날로그 및 디지털회로 설계 실습 실습9_4-bit Adder 회로 설계_예비보고서2025.01.211. 조합논리회로 설계 조합논리회로의 한 예로 가산기 회로를 설계하는 방법을 이해한다. 전가산기에 대한 진리표를 작성하고 Karnaugh 맵을 이용하여 간소화된 불리언식을 구한다. 이를 바탕으로 2-level AND-OR(NAND-NAND) 또는 OR-AND(NOR-NOR) 로직 회로를 설계하고, XOR gate를 이용하여 보다 간소화된 다단계 조합 논리회로를 설계한다. 마지막으로 2Bit 가산기 회로를 설계한다. 2. 전가산기 설계 전가산기에 대한 진리표를 작성하고 Karnaugh 맵을 이용하여 간소화된 불리언식을 구한다. 이를 ...2025.01.21
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 4-bit Adder 회로 설계2025.05.101. 조합논리회로 설계 이 실습의 목적은 조합논리회로의 설계 방법을 이해하고, 조합논리회로의 한 예로 가산기 회로를 설계하는 것입니다. 실습에서는 전가산기 회로의 진리표를 작성하고, Karnaugh 맵을 이용하여 간소화된 불리언식을 구하며, 2-level AND-OR(NAND-NAND) 또는 OR-AND(NOR-NOR) 로직 회로를 설계합니다. 또한 XOR 게이트를 이용하여 보다 간소화된 다단계 조합 논리 회로를 설계하고, 2비트 가산기 회로를 설계합니다. 1. 조합논리회로 설계 조합논리회로 설계는 디지털 시스템 설계의 핵심 요소 ...2025.05.10
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중앙대 아날로그및디지털회로설계실습 예비보고서 9장 4bit adder 회로설계2025.05.051. 조합논리회로 조합논리회로의 한 예로 가산기 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 전가산기의 진리표, Karnaugh 맵을 이용한 불리언식 간략화, NAND-NAND 또는 NOR-NOR 로직 회로 설계, XOR gate를 이용한 다단계 조합 논리 회로 설계 등의 내용이 포함되어 있습니다. 2. 2Bit 가산기 회로 위에서 설계한 전가산기 회로를 연결하여 2Bit 가산기 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. XOR gate를 이용한 전가산기 두 개를 연결하여 2Bit 가산기 회로를 구현하는 내용이 포함되어 있습니다. 1. 조합논리회로...2025.05.05
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 결과레포트2025.05.101. Half wave rectifier 실험 결과 Half wave rectifier 회로를 구현하였고, 입력 전압과 출력 전압을 관찰하였다. 다이오드의 Threshold 전압으로 인해 출력 전압이 입력 전압보다 감소하는 것을 확인하였다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 실험 결과와 이론값을 비교하였고, 약간의 오차가 있음을 확인하였다. 2. Voltage clipper 실험 결과 Voltage clipper 회로를 구현하였고, 입력 전압과 출력 전압을 관찰하였다. 두 개의 다이오드가 서로 반대 방향으로 연결되어 있어 Thresho...2025.05.10
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디지털 회로 실험 및 설계 - 부울대수와 카르노맵, RS Flip Flop 실험 22025.05.161. 부울대수와 카르노맵 실험 1에서는 다음 회로를 시뮬레이션하고 진리표를 완성하였으며, 카르노 맵을 이용하여 각각의 논리식을 구하였습니다. 실험 결과는 이론값과 대체적으로 유사하게 나왔으며, 논리레벨 H 단계는 4.4V 정도로 충분히 잘 나왔고, 논리레벨 L 단계에서도 0.xxxV 정도로 거의 흡사한 결과를 보였습니다. 2. RS Flip-Flop 실험 3에서는 NOR 게이트, NAND 게이트, 그리고 클럭 신호를 이용한 RS Flip-Flop 회로를 각각 시뮬레이션하고 진리표를 작성하였습니다. 실험 결과 역시 이론값과 대체적으로...2025.05.16
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NAND 게이트의 활용과 논리 회로 구성2025.01.021. NAND 게이트의 특성과 활용 NAND 게이트는 논리 게이트의 하나로, 두 개의 입력 중 하나 이상이 0일 때 출력이 1이 되는 특성을 가지고 있습니다. 이러한 NAND 게이트는 다른 논리 게이트들을 구성하는 데에 매우 중요한 역할을 하며, 특히 다른 모든 논리 게이트를 구성할 수 있는 유일한 게이트로 알려져 있습니다. 이러한 이유로 많은 회로에서 NAND 게이트를 사용하는 것이 일반적이며, 두 개의 NAND 게이트를 사용하여 AND 게이트를 구성할 수 있습니다. 이는 더 복잡한 논리 회로를 구성하는 데에 필요한 기본적인 블록...2025.01.02
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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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Logic 연산과 gates 실험 보고서2025.11.161. 기본 논리 연산 (AND, OR, NOT) AND 연산은 두 입력이 모두 참(1)일 때만 결과가 참이며, 하나라도 거짓(0)이면 결과는 거짓이다. OR 연산은 하나 이상의 입력이 참이면 결과가 참이고, 모두 거짓일 때만 결과가 거짓이다. NOT 연산은 입력값을 반전시키는 연산으로, 참을 거짓으로, 거짓을 참으로 변환한다. 이들 기본 논리 연산은 디지털 회로의 기초를 이루며, 진리표를 통해 모든 입력 조합에 대한 출력을 명확히 정의할 수 있다. 2. TTL IC 게이트 (7432, 7408, 7404, 7402, 7400) TT...2025.11.16
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서강대학교 디지털논리회로실험 2주차 - Digital Logic Gate2025.01.201. TTL 논리 게이트 TTL(Transistor-Transistor Logic)은 트랜지스터를 조합해 만든 논리 회로를 말한다. TTL 소자에서는 입력과 출력 신호의 전압 차이로 논리 레벨을 표현하며, 일반적으로 입력 신호가 2.0V 이상이면 논리 레벨 1, 0.8V 이하이면 논리 레벨 0으로 간주한다. 출력 신호의 경우 2.7V 이상이면 논리 레벨 1, 0.5V 이하이면 논리 레벨 0으로 간주한다. 이렇게 입력과 출력의 논리 레벨 전압 조건을 다르게 설정하는 이유는 회로에서 발생하는 노이즈로 인해 전압이 변화할 수 있기 때문이...2025.01.20
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디지털집적회로설계 NOR/OR 게이트 레이아웃 설계 및 시뮬레이션2025.11.151. NOR 게이트 레이아웃 설계 NOR 게이트는 트랜지스터 레벨에 따라 설계되었으며, SP 파일을 수정하여 구현되었다. 시뮬레이션 파형 분석을 통해 입력 신호(InA, InB)에 따른 출력(OUTPUT)을 확인하였고, 레이아웃 추출 후 파형이 정상적으로 작동함을 검증했다. 이 과정에서 트랜지스터 배치와 연결 구조의 이해가 중요하며, 정확한 논리 동작을 확인할 수 있었다. 2. OR 게이트 레이아웃 구현 OR 게이트는 NOR 게이트와 인버터(INVERTER)를 조합하여 구현되었다. 두 회로의 레이아웃을 통합하여 설계하였고, 입력 신...2025.11.15
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