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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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[전자공학응용실험] MOSFET 다단 증폭기 예비레포트2025.04.261. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하고자 한다. 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 실험에서는 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워 증폭기를 연결한 2단 증폭기와 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기를 구현하고 특성을 분석한다. 임피던스 매칭이 중요하며, 부하 저항이 작은 경우 출력 임피던스가 작은 소오스 팔로워를 사용하는 것이 유...2025.04.26
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MOSFET 소신호증폭기 특성 실험 결과 분석2025.11.181. MOSFET 공통소스 증폭기 N MOSFET의 공통소스 증폭기 동작을 확인하는 실험으로, 드레인 단에서 소신호 전압 이득을 측정했다. MOSFET은 포화 영역에서 동작할 때 증폭기로 사용되며, 입력 소신호에 의한 미소한 게이트-소스 전압 변화가 포화 영역의 가파른 기울기로 인해 출력 소신호에 더 큰 진폭을 생성한다. 실험 결과 입력 소신호 대비 약 3배의 진폭을 갖는 반대 위상의 정현파 출력을 확인했으며, 전압 이득은 2.55~3.25 V/V로 측정되었다. 2. MOSFET 포화 영역 동작 특성 MOSFET이 증폭기로 동작하기...2025.11.18
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[전자공학실험2] MOSFET 증폭기의 주파수 응답2025.04.271. MOSFET 증폭기의 주파수 응답 실험을 통해 MOSFET의 small signal 등가 회로를 사용하여 common source 증폭기의 저주파 및 고주파 차단 특성을 이해하고, common source 증폭기를 구성하여 주파수 응답 특성을 해석하고 측정하였습니다. 실험 결과 저주파 대역에서는 magnitude response가 fitting line보다 조금 높게 나타났는데, 이는 41.8 Hz의 zero frequency를 가지기 때문에 생기는 현상이었습니다. 고주파 대역에서는 fitting line보다 조금 낮게 나타났...2025.04.27
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전자공학실험 14장 MOSFET 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구현하였고, 실험회로 2에서는 공통 소스 증폭기 2단과 소스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구현하였습니다. 각 회로에서 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 측정한 전압 이득을 분석하여 최소 전압 이득 요구사항을 만족하는지 확인하였습니다. 1. MOSFET...2025.01.15
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MOSFET 바이어싱 및 공통소스 증폭기 실험2025.11.161. MOSFET 바이어싱 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해 적절한 DC 바이어스를 인가하여 동작점을 결정한다. 동작점은 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 실험에서는 2N7000 MOSFET의 파라미터(gm, kn, Vth)를 추정하고, 다양한 Vdd 조건에서 드레인 전류 iD를 측정하여 바이어싱 특성을 분석한다. 2. 소신호 모델 소신호가 충분히 작아 vgs와 iD의 관계가 선형적일 때, 이들의 관계는 접선의 기울기 gm으로 나타낼 수 있다. 채널 변조 효과를 포함한 NMOSFET의 소신호 모델을 사...2025.11.16
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MOSFET Source Follower 증폭기 설계 및 특성 분석2025.11.181. Source Follower (Common Drain) 회로 Source follower는 MOSFET의 드레인을 공통으로 하는 회로 구성으로, AC 회로 변환을 통해 전압이득 A_V를 계산한다. 입력 임피던스 R_i는 R1과 R2의 병렬값이고, 출력 임피던스 R_o는 1/g_m과 R_S, r_o의 병렬값으로 표현된다. 이 회로는 버퍼로서의 역할을 하며 입력 임피던스는 크고 출력 임피던스는 작은 특성을 가진다. 2. MOSFET 전압이득 및 임피던스 특성 실험에서 측정된 전압이득 A_V는 0.942로, 이론값 0.99와 유사한...2025.11.18
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전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 다단 증폭기 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하고자 한다. 다단 증폭기의 개념은 전압원이 인가되면, 증폭기 1은 이 입력으로 받아서 증폭을 한 후 출력을 생성하고, 증폭기 2에서는 이 출력을 입력으로 받아서 최종 출력을 생성하는 것이다. 다단 증폭기의 전압 이득은 증폭기 1과 증폭기 2의 전압 이득을 곱하여 계산할 수 있다. 2. MOSFE...2025.01.13
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실험 15_다단 증폭기 결과보고서2025.04.281. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 실험을 통해 다단 증폭기의 입력단과 출력단의 임피던스 조건, 전압 이득 특성 등을 확인하였다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 2단 증폭기와 3단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하였다. MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하고, 이를 이...2025.04.28
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[전자공학실험2] 차동 증폭기2025.04.271. MOSFET을 이용한 차동증폭기 실험을 통해 MOSFET을 이용한 차동증폭기의 동작 원리와 회로 특성을 확인하였다. 차동증폭기의 입력 전압에 따른 출력 전압 특성, 저항 값 변화에 따른 differential gain, common mode gain, CMRR 등을 측정하여 분석하였다. 또한 current mirror를 사용한 경우와 저항을 사용한 경우의 차동증폭기 성능을 비교하였다. 실험 결과를 통해 차동증폭기의 특성과 설계 시 고려해야 할 사항들을 이해할 수 있었다. 1. MOSFET을 이용한 차동증폭기 MOSFET을 이용...2025.04.27
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