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중앙대학교 다이오드 결과 보고서2025.01.291. Si 다이오드 DC 특성 Si 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. 순방향 바이어스 시 전압-전류 특성으로 Vd가 0.6V까지는 출력전류가 인가전압의 변화에도 거의 변화가 없다. 그러나 0.6V부터는 미세한 변화가 생기기 시작하다가 0.6~0.7V를 넘어서면 전압의 변화에 전류는 비례적으로 증가한다. 반대로 역방향 전압을 점점 크게 하면 누설전류는 조금씩 증가하다가 어느 값에 가까우면 급격히 증가하기 시작한다. 2. Ge 다이오드 DC 특성 Ge 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. Ge 다이오드는 Si ...2025.01.29
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PN 접합 다이오드 특성곡선 측정 및 기준전압 실험2025.11.161. PN 접합 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스 순방향 바이어스는 P형 반도체에 양의 전위, N형 반도체에 음의 전위를 인가하는 방식으로, 다이오드가 전도 상태가 되어 전류가 흐른다. 역방향 바이어스는 P형에 음의 전위, N형에 양의 전위를 인가하여 다이오드가 차단 상태가 된다. Si 다이오드의 순방향 임계전압은 약 0.63V, Ge 다이오드는 약 0.2~0.3V로 측정되었다. 2. 다이오드 특성곡선 및 비선형 특성 다이오드는 전압과 전류 사이에 옴의 법칙이 성립하지 않는 비선형 소자이다. Si 다이오드는 0.7V 구간에서 전...2025.11.16
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 실험2025.11.171. 다이오드 특성 및 문턱전압 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 이해하기 위해 DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. Si 다이오드의 순방향 전압은 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V이며, 역방향 바이어스 시 개방회로를 나타낸다. 두 방향에서 모두 1V 이하의 낮은 값이 나오면 접합부가 단락된 상태이고, 모두 OL이 표시되면 개방된 상태이다. 2. 직렬 다이오드 구조 회로 분석 직렬 다이오드 구조에서는 다이오드의 문턱전압과 저항값을 이용하여 이론적인 출력전압(Vo)과 다이오드...2025.11.17
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다이오드 특성 실험 예비보고서2025.11.171. PN 접합 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합시킨 다이오드의 구조와 동작 원리를 설명합니다. 접합면에서 자유전자와 정공의 확산으로 인해 공핍층이 형성되며, 이는 양이온과 음이온으로 이루어진 전하 공백 영역입니다. 순방향 바이어스 시 N형에 음극, P형에 양극을 연결하여 전류가 흐르게 하고, 역방향 바이어스 시 극성을 반대로 연결하여 공핍층을 확대시킵니다. 역방향에서도 소수캐리어에 의한 미소 전류가 흐르게 됩니다. 2. 다이오드 특성곡선 및 문턱전압 실리콘(Si) 다이오드의 문턱전압은 약 0.65V이고 게르마늄(Ge) 다이오드는...2025.11.17
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다이오드 직렬 및 병렬연결 실험결과2025.11.161. 다이오드 순방향 특성 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 순방향 특성을 비교 분석한 결과, Si 다이오드는 약 0.7V의 순방향 전압강하를 가지며 Ge 다이오드는 약 0.3V의 순방향 전압강하를 갖는다. 직렬 연결 시 다이오드의 위치가 반대로 바뀌면 VD(V)과 VO(V)의 값도 반대로 나타나며, VD의 변화에 따라 ID값도 달라진다. 0.7V 이상의 전압이 인가될 때 전류가 높은 곳이 Si 다이오드이고 낮은 곳이 Ge 다이오드이다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 회로 다이오드를 직렬로 연결하면 각 다이오드의 순방향 전압강하가...2025.11.16
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Semiconductor Device and Design - 32025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 게르마늄보다 밴드갭이 크고(1.12eV vs 0.66eV), 최대 동작 온도가 높아(~150°C vs ~100°C) 집적회로(IC) 제작에 더 적합합니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 산화막 형성이 쉽고 화학적으로 안정적이며, 실리콘이 더 풍부하고 가격도 10배 정도 저렴하기 때문에 실리콘이 IC 재료로 선호되게 되었습니다. 2. N Type and P Type 반도체 물질에 불순물을 첨가하면 n형과 p형 반도체가...2025.05.10
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PN 접합다이오드 특성곡선 측정 및 기준전압 실험2025.11.161. PN 접합다이오드의 비선형 특성 Si나 Ge 물질로 만든 다이오드는 순방향 바이어스 전압이 증가할 때 임계전압 이전에는 거의 선형적 관계를 유지하지만 임계전압을 넘으면 전압과 전류의 관계가 지수함수 형태로 변화한다. 이는 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 비선형 관계를 보여주며, Shockley 식으로 수학적으로 표현된다. 임계전압 이전에는 저항값이 매우 커서 다이오드가 거의 꺼진 상태로 간주된다. 2. 다이오드의 DC 및 AC 저항 다이오드의 DC 정저항은 특성곡선의 한 동작점에서 전압과 전류의 비율로 결정되며 RDC = VDQ...2025.11.16
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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