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휘트스톤 브리지 결과 보고서2024.12.311. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 전자전기공학 분야에서 널리 사용되는 정밀 측정 회로입니다. 이 실험에서는 휘트스톤 브리지를 구성하여 미지의 저항값을 측정하고 계산하는 방법을 실습하였습니다. 실험 결과, 측정값과 이론값 사이에 약간의 오차가 있었지만 거의 근사한 것을 확인할 수 있었습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 조절 시 전압 미세 조정 실패, 주변 온도 변화, 저항 자체의 내부 오차 등이 고려되었습니다. 향후 실험 정확도를 높이기 위해서는 전압 조정 및 온도 유지 등의 개선이 필요할 것으로 보입니다. 1. 휘트스톤 브리지...2024.12.31
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_13 휘트스톤 브리지(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 미지 저항의 크기를, 그 값을 알고 있는 표준저항과 정확하게 비교할 수 있기 때문에 계측 응용에 주로 사용되는 회로이다. 미지 저항값은 주로 스트레인 게이지 같은 변화기를 나타내게 되는데 이것은 자극받으면 저항값이 아주 작게 변한다. 2. 테브낭 정리와 부하저항 테브낭 정리를 사용하여 브리지의 부하저항에 흐르는 전류를 구할 수 있다. 부하저항을 제거하고 전압 원을 단락시켜서 테브낭 저항을 구한다. 이때 전압 원이 단락되면서 저항들이 병렬 연결되는 것을 알 수 있다. 테브낭 전압은 부하가 없을 ...2025.05.13
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휘트스톤 브리지를 이용한 저항 측정 실험2025.11.131. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 네 개의 저항으로 구성된 회로로, 미지의 저항값을 정밀하게 측정하는 데 사용되는 고전적인 전기 측정 장치입니다. 평형 조건에서 대각선상의 저항들의 곱이 같을 때 미지의 저항을 계산할 수 있으며, 매우 정확한 측정이 가능하여 실험실과 산업 현장에서 널리 활용됩니다. 2. 저항 측정 저항 측정은 전기 회로에서 전자 부품의 저항값을 정확히 파악하는 중요한 과정입니다. 휘트스톤 브리지 방식은 옴미터보다 더 높은 정확도를 제공하며, 미지의 저항값을 기준 저항과 비교하여 계산하는 비교 측정 방법을 사용합...2025.11.13
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휘트스톤 브리지를 이용한 미지저항 측정 실험2025.11.121. 휘트스톤 브리지 원리 휘트스톤 브리지는 미지의 저항을 측정하기 위한 장치로, 키르히호프 제2법칙에 의해 브리지의 전위차가 0이 될 때 R4/R3=R2/R1의 등식이 성립한다. 이 원리를 이용하여 가변저항 R3와 R4의 비율을 조정하여 미지저항을 측정한다. 실험에서는 고정저항의 비(R1/R2)를 1:2, 1:1.5, 1:3으로 설정하여 세 번 실험을 수행했으며, 가변저항의 비율(L3/L4)이 고정저항의 비에 따라 감소하는 경향을 확인했다. 2. 오차 분석 및 원인 실험 결과 평균 약 20%의 오차가 발생했으며, 주요 오차 원인은...2025.11.12
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일반물리학및실험2 휘트스톤 브리지 결과레포트2025.01.201. 휘트스톤 브리지 본 실험에서는 휘트스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하였습니다. 실험 결과, 고정 저항을 100Ω으로 하여 실험을 진행하였고, 다른 저항값을 1000Ω과 2000Ω으로 실험을 진행하였습니다. 오차 분석 결과, 회로 자체의 저항이 작지 않아 오차가 발생하였고, 높은 저항값으로 인해 전류가 약해져 약간의 오차가 발생하였습니다. 전류 밀도와 비저항의 단위는 각각 A/m^2와 Ω·m로 나타낼 수 있습니다. 2. 전기 저항 측정 본 실험에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항체의 ...2025.01.20
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 13 휘트스톤 브리지2025.05.131. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구하고, 테브낭 회로가 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명하였습니다. 또한 휘트스톤 브리지를 평형 시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구하였습니다. 2. 테브낭 등가회로 불평형 휘트스톤 브리지에서 테브낭 저항값과 테브낭 전압을 계산하고 측정하여 오차율을 확인하였습니다. 평형 휘트스톤 브리지에서는 미지의 저항값을 찾고 테브낭 등가회로를 구하였습니다. 1. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로는 저항 측정을 ...2025.05.13
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직,병렬 및 휘트스톤 브리지에 의한 저항 측정(정식보고서)2025.04.281. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 간의 선형의 비례 관계를 수학적으로 설명하는 것으로, 이는 V = IR 방정식으로 표현할 수 있다. 회로에는 저항을 병렬, 직렬 또는 이를 섞은 혼합하여 연결할 수 있으며, 직렬연결과 병렬연결 시 등가저항은 각각 Rt = R1 + R2 + ... 와 1/Rp = 1/R1 + 1/R2 + ... 로 계산할 수 있다. 2. 키르히호프 법칙 키르히호프 법칙은 복잡한 회로를 분석하는 경우 이를 단순화시키기 위해 사용되는데, 제 1법칙(분기점 법칙)은 모든 분기점에서 들어오고 나가는 전류의 합...2025.04.28
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휘트스톤 브리지 예비 보고서2024.12.311. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법에 이용되는 회로입니다. 4개의 저항이 정사각형을 이루는 회로이며, 일반적으로 미지의 저항값을 구하기 위해서 사용합니다. 회로가 평형상태일 때 검류계에 전류가 흐르지 않으므로 계측기 자체에서 발생하는 오차가 없어 저항값을 정밀하게 측정할 수 있습니다. 또한 휘트스톤 브리지는 온도 측정에도 사용되는데, 온도 감지 소자를 브리지에 연결하여 온도 변화에 따른 저항 변화를 측정함으로써 온도를 정밀하게 측정할 수 있습니다. 1. 휘트스톤 브리...2024.12.31
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스트레인 게이지 실험 보고서 (A+)2025.01.241. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 힘이 가해지면 물체 표면에서 발생하는 길이 변화를 측정하고 이에 따른 전기 저항 변화를 통해 변형률과 응력을 측정하는 센서입니다. 스트레인 게이지는 Backing Material, Grid Material, Encapsulation Film으로 구성되어 있으며 저항 변화율이 변형률에 비례하는 원리로 작동합니다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인 게이지는 휘트스톤 브리지 방식을 사용하여 물리적 변형을 전기 신호로 변환합니다. 휘트스톤 브리지는 4개의 저항 암으로 구성되어 있으며, 2개의 병렬 전압 ...2025.01.24
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기초 전기전자 실험 결과보고서2025.01.121. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지를 통해 브리지의 원리를 이해하고 저항 측정법을 익혔습니다. 회로가 평형 상태일 때 a-b 단자 사이의 전류가 흐르지 않으며, 불평형 상태일 때 전류가 흐르는 것을 확인했습니다. 테브낭 등가회로를 이용해 a-b 사이의 전류를 계산하여 실험 결과와 일치함을 확인했습니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프의 기본 구조와 동작 원리를 이해하고, 정현파와 구형파의 주기, 주파수, 진폭 등을 측정하는 방법을 익혔습니다. 또한 리사주 파형을 이용해 두 신호 간의 위상차를 계산하는 방법을 배웠습니다. 오실...2025.01.12
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