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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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재료공학기초실험_SEM 전자현미경 원리 및 시편준비(2)_세라믹분말관찰2025.05.081. 주사전자현미경(SEM) 원리 및 시편 준비 본 실험에서는 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 재료의 미세구조를 관찰하는 방법을 학습한다. 세라믹재료의 파단면 형상, 기공의 존재, 분말의 입자 크기, 표면형상 및 평균 결정립 크기를 조사하기 위한 시료의 준비방법을 실습하고, 주사전자현미경 관찰 및 사진 분석을 통하여 세라믹스의 미세구조에 대한 일반적인 이해를 얻는다. 2. 시편 준비 과정 시험편의 준비 과정은 다음과 같다: (1) 시험편의 절단 - 카본 테잎 위에 분말을 떨어뜨려 준비. 소결체의 경우에는 단면 분석을 위해 시험편을...2025.05.08
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숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 예비보고서2025.01.141. 4-point probe 측정 원리 4-point probe 방법은 동일선상에 놓은 4개의 핀을 시료의 표면에 접촉시켜 저항을 측정하고, 기하학적 보정계수를 적용하여 면저항을 측정하는 방식이다. Single configuration의 측정 원리는 핀 A, D에 전류(I_{AD})를 흘리고 핀 B, C에서 전압(V_{BC})을 측정하여 저항 R_a = V_{BC}/I_{AD}를 구하고, 면저항(R_S = k_a * R_a)을 구하는 방법이다. 여기서 k_a는 핀 간격에 대한 시료 크기 보정 인자, 핀 간격에 대한 시료의 두께 보...2025.01.14
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포토리소그래피와 식각 공정을 이용한 미세패턴 제작2025.11.171. 포토리소그래피(Photolithography) 빛을 이용한 기판 인쇄를 통해 회로 패턴을 제조하는 방법입니다. 감광성 화학물질인 PR(Photo Resist)을 웨이퍼에 코팅한 후 마스크를 통해 빛을 조사하여 원하는 패턴을 새깁니다. Vapor prime, PR coating, soft bake, exposure, develop, hard bake의 단계를 거쳐 진행되며, positive PR과 negative PR의 두 가지 종류가 있습니다. Positive PR은 빛을 받은 부분이 제거되고, negative PR은 빛을 받...2025.11.17
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[실험설계] 스핀코팅의 원리 및 AFM 분석2025.01.241. 스핀코팅 (Spin coating) 용액을 기판 위에 떨어트린 후 기판을 회전시켜 그 원심력으로 박막을 형성하는 것을 말한다. 저분자 물질의 증착법인 진공 증착법과 비교하여 진공 상태를 필요로 하지 않고 일반 대기상태의 상온에서 할 수 있다는 특징을 가지고 있다. 하지만 소자의 효율을 높이기 위해 다층막을 형성할 수 없고 원하는 부위만이 아닌 기판 전 영역에 걸쳐 박막이 형성되기 때문에 전극과의 접촉을 위해 전극 contact 부분을 직접 지워주어야 하는 번거로움이 있다. Spin coating 에 영향을 주는 요인으로는 용액...2025.01.24
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단국대 고분자공학 실험 및 설계1 ps-p2vp Orientation 및 Reconstruction & etching 레포트 [A+]2025.01.231. BCP Phase diagram BCP는 화학적으로 서로 다른 두 개 이상의 고분자 사슬이 공유 결합으로 연결된 구조로 이루어져 있다. 이는 sphere, cylinder, gyroid, and lamellae 등 다양한 형태 및 크기로 자기조립이 가능하며, 각 block의 부피 비율(f), 분자량(N), 플로리-허긴스 상호작용 파라미터(χ) 등의 조건에 영향을 받는다. 2. Solvent-Vapor Annealing Solvent-Vapor Annealing은 BCP 필름의 나노 구조 및 배향을 부여하기 위한 간단하고 효과적...2025.01.23
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숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 결과보고서2025.01.141. 고분자 디바이스 이 보고서는 숭실대학교 신소재공학실험 수업의 14주차 실험 내용을 다루고 있습니다. 실험의 목적은 O2 Plasma, Spin coater 등의 사용법을 이해하고, UV-vis, 4-point probe 등 장비의 원리를 이해하며, GO와 rGO의 구조를 이해하는 것입니다. 실험 방법으로는 PET film을 O2 Plasma 처리, GO 용액을 스핀 코팅, GO를 질소와 하이드라진 환경에서 환원시켜 rGO 제작, 4-Point probe를 통한 면저항 측정, UV-vis를 통한 흡광도 측정 등이 포함됩니다. 실...2025.01.14
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플라즈마의 모든 것, 레포트 하나로 끝내자.2025.04.301. 플라즈마의 정의와 역사 플라즈마는 고체, 액체, 기체와 함께 물질의 4가지 기본 상태 중 하나이다. 플라즈마는 이온화된 기체로, 자유 전자와 이온으로 구성되어 있다. 플라즈마 연구는 19세기 말부터 시작되었으며, 20세기 중반 이후 핵융합 에너지 개발 등 다양한 분야에서 활용되고 있다. 2. 플라즈마의 특성 플라즈마는 전기 전도성, 자기장에 대한 반응성, 높은 에너지 밀도 등의 특성을 가지고 있다. 이러한 특성으로 인해 플라즈마는 산업, 의학, 에너지 분야 등에서 다양하게 활용되고 있다. 3. 플라즈마의 종류 플라즈마는 열 플...2025.04.30
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유기소재실험2_고분자_표면개질_접촉각2025.05.151. 고분자 표면개질 플라즈마를 통한 고분자 필름 표면개질의 원리는 플라즈마 상태에 놓인 높은 에너지를 가진 입자가 재료 표면에 충돌하면서 그 에너지가 표면에 전달되는 것을 이용하는 것이다. 고분자 개질 공정은 표면 분자층 내의 고분자구조나 원소조성을 변환시켜 탄소와 수소의 결합을 관능기로 교환시킨다. 이때 도입되는 관능기의 종류는 처리가스에 따라 다르며, 이들 관능기들은 표면에 보다 좋은 점착성, 젖음성, 생체 적합성 또는 불활성 특성을 부여한다. 2. 접촉각 표면장력은 액체의 자유표면에서 표면을 작게 하려고 작용하는 장력을 말한...2025.05.15
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마이크로 표면 측정 실험 보고서2025.11.161. 접촉각 측정 및 표면특성 분석 접촉각은 액체가 고체표면 위에서 열역학적 평형을 이룰 때 액체면이 고체표면과 이루는 각을 의미한다. 접촉각 측정을 통해 고체표면의 친수성과 소수성을 판단할 수 있으며, 낮은 접촉각은 높은 젖음성과 친수성을 나타내고 높은 접촉각은 낮은 젖음성과 소수성을 나타낸다. 본 실험에서는 Glass, Si-wafer, PDMS, Teflon 등 4가지 기판에 DI-water를 떨어뜨려 접촉각을 측정하였으며, 측정 결과 Glass 66.70°, Si-wafer 88.65°, PDMS 79.20°, 플라즈마 처리...2025.11.16
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