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입자 통계분포함수 (멕스웰볼츠만 분포, 보츠아이슈타인 분포, 페르미디락 분포)2025.01.021. 맥스웰-볼츠만 분포 맥스웰-볼츠만 분포는 모든 무리 계의 온도가 그 계를 구성하는 분자들이나 원자들의 운동에 의해 발생되는 것을 설명합니다. 이 입자들은 각각 다른 속도 범위를 가지고 있으며, 다른 입자들과 충돌하면서 일정하게 변합니다. 이러한 속도들의 맥스웰 분포는 모든 속도 범위에 대해 계의 온도에 대한 함수로 표현이 가능합니다. 기체의 평균/최빈/실효 속도, 온도에 따른 입자의 속력 분포, 온도와 화학반응과의 관계, 분자량에 따른 입자의 속력 분포 등을 설명합니다. 2. 보즈-아인슈타인 분포 보즈-아인슈타인 분포는 임의의...2025.01.02
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금오공대 신소재 전자재료1 과제2025.01.271. 활성화 에너지 활성화 에너지는 온도가 증가할수록 작아진다는 것을 알 수 있다. 온도가 증가하면 산소의 농도가 증가하여 활성화 에너지가 감소하는 것으로 나타났다. 2. 양자 효율 양자 효율은 0.15로 계산되었으며, 이를 이용하여 전류 밀도를 구할 수 있다. 전류 밀도는 1049.81 A로 계산되었다. 3. 수소 원자의 에너지 준위 수소 원자의 에너지 준위는 주 양자수 n에 따라 결정되며, 전이 에너지는 원자 번호 Z에 반비례한다. 스펙트럼 라인의 방출된 광자 파장은 Z에 반비례하여 가시광선 스펙트럼보다 훨씬 짧다. 4. 유한 ...2025.01.27
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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고체 물질의 전기전도2025.01.271. 고체의 전기적 특성 결정고체는 격자라고 부르는 규칙적인 3차원 구조를 이룹니다. 비저항(ρ)은 단위가 Ω·m(SI 단위)이며, 상온에서 비저항 값이 크면 절연체, 작으면 도체입니다. 반도체는 금속에 비해 상당히 큰 비저항 값을 가집니다. 비저항 온도계수(α)와 전하운반자 밀도(n)도 중요한 특성입니다. 2. 결정고체의 에너지 준위 많은 원자들이 결정을 이루면 각각의 에너지 준위가 N개의 준위들로 갈라집니다. 고체에서는 개별적인 에너지 준위들이 모여 에너지띠가 만들어지며, 에너지띠 사이에는 에너지간격이 존재합니다. 결정을 이루는...2025.01.27
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW032025.05.031. 반도체 도핑 문제에서는 p형 반도체 판에 빛을 조사하여 과잉 캐리어가 생성되는 상황을 다루고 있습니다. 도핑된 반도체의 특성과 과잉 캐리어의 농도 분포 및 시간에 따른 변화를 계산하고 그래프로 나타내는 것이 주요 내용입니다. 2. 전자 확산 전류 문제 3에서는 실리콘 내 전자 농도가 선형적으로 변하는 경우의 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 3. 홀 및 전자 확산 전류 문제 4에서는 홀 농도와 전자 농도가 지수 함수적으로 변하는 경우의 홀 및 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 4. 반도체 내...2025.05.03
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PN다이오드 에너지밴드2025.05.081. PN 접합 PN 접합이란 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게 되는데, 이들을 접합시킨 것이 PN 접합이다. PN 접합은 PN 다이오드로써 쓰이게 되는데, 그 이유는 PN 접합 상태에서 외부 전압 V를 인가하게 되면 한쪽에서는 전류가 잘 흐르지만 다른 쪽에서는 전류가 잘 흐르지 못하는 정류작용이 나타나게 된다. 2. 에너지 밴드 다이어그램 PN 접합 시 에너지 밴드는 P형과 N형의 도핑 농도에 따라 페르미 레벨 EF의 위치가 달라지게 되며, 이에 따라 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하게 된다. 이 ...2025.05.08
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Schottky Contact2025.05.081. Schottky Contact의 정성적 설명 n형 반도체에 대한 Schottky Contact의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. Homo-Junction과 Hetero-Junction의 개념을 설명하고, MS-Junction인 Schottky-Junction의 특성인 Rectifying 특성과 Ohmic 특성을 설명하였습니다. 또한 Metal과 Semiconductor의 접합에 따른 Energy Band Diagram을 통해 Schottky Barrier Height와 Built-In Potential의 개념을 설명하였...2025.05.08
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물리전자2 광운대 내용 요약2025.11.181. 물리전자 물리전자는 반도체 소자의 동작 원리와 특성을 다루는 학문 분야입니다. 전자의 양자역학적 성질, 에너지 밴드 구조, 캐리어의 이동 및 확산 등을 포함하며, 다이오드, 트랜지스터 등 기본 반도체 소자의 설계 및 분석에 필수적인 이론을 제공합니다. 2. 반도체 소자 반도체 소자는 전기 전도성을 제어할 수 있는 물질로 만든 전자 부품입니다. 다이오드, 트랜지스터, 집적회로 등이 포함되며, 현대 전자기기의 핵심 구성 요소로 작용합니다. 물리전자 이론을 바탕으로 이들 소자의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있습니다. 3. 에너지 ...2025.11.18
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펠티에 효과와 주울열의 법칙에 대해 설명하시오2025.01.281. 펠티에 효과 펠티에 효과는 1834년 쟝 벨띠에에 의해 발견된 현상으로, 두 개의 서로 다른 금속 접점에 전위를 걸어주면 열이 이동하는 현상이다. 이 효과는 전자가 높은 페르미 준위로 이동하기 위해 에너지를 흡수하면서 발생하며, 한 쪽에서는 열이 흡수되고 다른 쪽에서는 열이 방출된다. 펠티에 효과는 전류의 방향에 따라 동시에 냉각과 가열이 가능하며, 온도 차이가 클수록 열 이동이 더 효율적으로 이루어진다. 이러한 효과는 열전기 장치, 전기다리미, 백열전구, 냉장고, 열펌프 등 다양한 분야에서 활용되고 있다. 2. 주울열의 법칙...2025.01.28
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펠티에 효과와 주울열의 법칙2025.11.131. 펠티에 효과 (Peltier Effect) 1834년 장 펠티에에 의해 발견된 현상으로, 두 개의 서로 다른 금속이 접점을 가지고 있을 때 전위차를 걸어주면 열의 이동이 발생한다. 열전대에 전류를 흐르게 하면 각 접점에서 발열 또는 흡열 작용이 일어난다. 한 쪽은 열이 발생하고 다른 쪽은 열을 빼앗기는 현상을 이용하여 냉각과 가열이 가능하며, 냉동기나 항온조 제작에 사용된다. 간단한 구조, 환경친화성, 높은 신뢰성을 가지고 있어 국부 냉각기 등에 널리 사용되고 있다. 2. 주울열의 법칙 (Joule's Law) 영국의 물리학자...2025.11.13
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