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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.131. 건전지 내부저항 측정 건전지의 전압 측정값은 6.479V가 나왔고 10Ω 저항값은 11.086Ω, 저항 10Ω에 걸리는 전압은 6.422V가 나왔다. 건전지의 내부저항이 1Ω을 넘지 않을것이라고 생각했는데 R_a = {RV} over {V_0} -R을 이용하여 건전지의 내부저항이 1.184Ω임을 알 수 있었다. 건전지의 경우 사용할수록 전압은 낮아지고 내부저항은 높아지는 특성을 갖고 있고, 온도에 따라 저항값의 영향을 끼치기 때문이다. 이에 이번 내부저항의 실험값은 실제보다 커졌을 가능성이 높다고 판단된다. 2. DC Powe...2025.05.13
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[물리화학실험A+] Input & Output Impedence(입력저항,출력저항 구하기) 결과보고서2025.01.171. 전압 측정 이번 실험은 물리량의 측정의 기본이 되는 전압 측정에 대해 알아보고 oscilloscope, DVM 이라는 전압 측정기를 이용하여 입력 저항 및 출력 저항을 구해보는 것이다. 전원은 E0의 전압을 발생시키는 전원에 저항이 직렬로 연결되어 2개의 단자가 연결된 형태이다. 전원 내부에 있는 저항을 출력저항이라고 하며 출력저항이 크면 전압측정의 정확성이 떨어진다. 전압계는 전원의 두 단자에 접촉되는 두 단자를 가진 장치이다. 전압계 내부에 있는 저항을 입력저항이라하며 입력저항에 발생한 전압을 측정하는 부분이 병렬로 연결되...2025.01.17
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중앙대학교 전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입려저항 측정회로 설계(예비) A+2025.01.271. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 수Ω 정도로 작으며 새 건전지의 경우 0.05Ω의 출력저항을 가진다. 따라서 내부저항은 0에 가까운 아주 작은 값일 것이라 예상한다. 건전지(6 V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비가 최소가 되도록 하였다. 10Ω 저항에 0.6A 전류가 흐르고 6V 전압이 걸리므로 10Ω 저항에 소비되는 전력은 3.6W이다. 2. 옴의 법칙과 전류 계산 10Ω의 저항에 1V를 인가하면 전류는 100mA이다. D...2025.01.27
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Input&Output impedence(voltage) A+ 물리화학실험결과보고서2025.01.281. 전압계의 입력저항 측정 실험에서는 전압계의 입력저항을 측정하기 위해 건전지와 전압계를 직렬로 연결하고, 추가로 저항을 연결하여 전압을 측정하였다. 이를 통해 입력저항을 계산할 수 있었다. 새 건전지와 폐 건전지를 사용하여 DVM과 Oscilloscope의 입력저항을 각각 구했다. 입력저항이 클수록 측정값이 실제 값에 가까워지는 것을 확인할 수 있었다. 2. 전원의 출력저항 측정 전원의 출력저항을 측정하기 위해 전압계의 양단에 저항을 연결하여 전압을 측정하였다. 이를 통해 출력저항을 계산할 수 있었다. 새 건전지와 폐 건전지를 ...2025.01.28
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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 예비보고서2025.04.251. 건전지의 내부저항 측정 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였습니다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 전력 소비를 최소화하도록 하였습니다. 측정 절차는 DMM의 검은 선을 COM단자, 빨간 선을 V단자에 연결하고 측정 단위를 V로 맞춘 후, DMM과 10Ω 저항을 병렬로 연결하여 전압 V를 측정합니다. 이 값을 식 'Vr * Vb / (Vb - Vr)'에 대입하여 건전지의 내부저항 Rb를 구할 수 있습니다. 10Ω 저항에 소비되는 전력 P는 P = V^2 / R이 될 것입니다. 2. DC 전원 ...2025.04.25
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실험 11_공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 특성 실험을 통해 MOSFET의 각 단자들의...2025.04.28
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실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
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전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.01.211. 전원의 출력저항 측정 건전지의 출력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익힌다. 부하효과(Loadign effect)를 이해한다. 2. DMM의 입력저항 측정 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익힌다. 부하효과(Loadign effect)를 이해한다. 3. 옴의 법칙 옴의 법칙을 이용하여 전원의 내부저항과 전력 소비를 계산한다. 4. 전압 분배 법칙 직렬 연결된 저항에 걸리는 전압을 전압 분배 법칙을 이용하여 계산한...2025.01.21
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이미터 공통 증폭기 결과보고서2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이번 실험에서는 이미터 접지 증폭기에서의 이미터, 베이스, 콜렉터 전압을 측정하고 이를 이용하여 트랜지스터에서 흐르는 전류의 값과 β, gm, rpi의 값을 계산할 수 있었다. 또한 입력과 출력 전압을 측정하여 입력과 출력 저항의 값을 계산할 수 있었다. 이러한 과정을 통하여 이미터 접지 증폭기의 입력 저항과 출력 저항의 개념을 잘 이해하게 된 것 같다. 출력 파형의 왜곡 현상을 관찰하여 회로가 포화상태에 도달하였는지, 차단 상태에 도달하였는지에 대하여 알아볼 수 있었다. 이번 실험에서는 그래프의 윗부분이 ...2025.01.02
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전기회로설계실습 예비보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.01.171. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 매우 작을 것으로 예상되며, 시간이 지날수록 점점 증가할 것이다. 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비를 최소화하였으며, 내부저항을 0.05Ω으로 가정하여 10Ω 저항에서의 소비전력을 계산하였다. 2. DC Power Supply 출력 특성 DC Power Supply의 Output 1의 출력전압을 1V, 최대출력전류를 10mA로 조정한 상태에서 10Ω 저항을 연결하면 최대전류인 10mA를 넘어...2025.01.17
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