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RC, RL 회로의 시정수 실험 분석2025.11.181. RC 회로의 시정수 RC 직렬회로에서 커패시터의 충방전 특성을 분석하는 실험이다. 시정수(τ = RC)는 출력이 최대값의 e⁻¹(약 37%)까지 감소하는 시간으로 정의된다. 고유응답은 무전원 상태에서 커패시터의 충전 전압에 의해 나타나는 응답이며, 강제응답은 직류전압 인가에 의해 나타나는 응답이다. 실험 결과 커패시터 값이 증가할수록 시정수가 길어져 충방전 시간이 증가함을 확인할 수 있다. 2. RL 회로의 시정수 RL 직렬회로에서 인덕터의 전류 변화 특성을 분석하는 실험이다. 시정수(τ = L/R)는 인덕터에 저장된 에너지의...2025.11.18
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RL회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.151. RL 회로의 시정수 측정 실험을 통해 10mH 인덕터의 시정수를 측정하였다. DMM을 통해 인덕터의 저항을 26.9Ω으로 측정하였고, 1KΩ의 가변저항을 사용하여 10us의 시정수를 갖는 RL 회로를 구성하였다. 오실로스코프를 통해 측정한 결과, 시정수가 8us로 나타났는데, 이는 이론값과 약 20% 정도의 오차가 있었다. 오차의 원인으로는 가변저항과 인덕터의 오차, 측정 과정에서의 오차 등이 있었다. 2. 입력 전압의 OFFSET 및 크기 변화에 따른 영향 입력 전압의 OFFSET을 제거하고 크기를 5V로 증가시켜 실험을 반...2025.05.15
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RC회로의 시정수 측정 설계 및 실험2025.12.111. RC회로 시정수(Time Constant) RC회로의 시정수는 저항(R)과 커패시턴스(C)의 곱으로 정의되며, τ=RC로 표현된다. 본 실험에서는 DMM의 내부저항을 측정하여 커패시터와의 곱을 통해 이론적 시정수를 계산했다. 2.2uF 커패시터와 DMM 내부저항 5.26MΩ의 곱으로 11.83s의 이론값을 구했으며, 실험을 통해 10V의 36.8% 지점인 3.68V에 도달하는 시간을 측정하여 실험값을 도출했다. 2. DMM(Digital Multimeter) 내부저항 측정 DMM의 내부저항은 회로 측정에 영향을 미치는 중요한 ...2025.12.11
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계2025.11.151. RC회로 시정수(Time Constant) RC회로의 시정수는 τ = RC로 정의되며, 커패시터의 충방전 시간을 결정하는 중요한 파라미터이다. 본 실험에서는 DMM의 내부저항(10.492MΩ)과 커패시터(2.23μF)를 이용하여 시정수를 측정했으며, 이론값 23.397s와 실험값 22.17s의 오차는 -0.052%로 매우 정확했다. 또한 설계된 회로에서 τ=10μs를 목표로 저항 875.656Ω과 커패시터 11.42nF를 사용하여 실험값 9.6μs를 얻었고 오차는 -0.04%였다. 2. DMM(Digital Multimeter...2025.11.15
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RC, RL 회로의 시정수 실험 결과보고서2025.11.181. 시정수(Time Constant) 시정수는 RC 및 RL 회로에서 출력이 최댓값의 1/e(약 36.8%)에 도달하는 시간을 의미한다. RC 회로에서는 τ = RC, RL 회로에서는 τ = L/R으로 계산된다. 실험 결과 커패시터 값이 커질수록 RC 회로의 시정수는 감소하고, 인덕터 값이 커질수록 RL 회로의 시정수는 증가하는 특성을 확인했다. 2. 고유응답(Natural Response)과 강제응답(Forced Response) 고유응답은 무전압 상태에서 회로의 자연적 응답을 의미하며, 강제응답은 직류전압 인가 시 나타나는 응...2025.11.18
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RL회로의 과도응답 및 시정수 측정 실험2025.12.111. RL회로의 시정수(Time Constant) RL회로의 시정수는 인덕턴스를 저항으로 나눈 값(L/R)으로 정의된다. 본 실험에서는 이론적 계산값 9.8µs와 오실로스코프 측정값 8µs(오차율 18.4%), PC EXCEL 분석값 9.79µs(오차율 0.1%)를 비교하였다. 시정수는 저항 전압이 입력 전압의 0.632배가 되는 시간으로도 측정할 수 있으며, 오실로스코프의 커서 기능 오차와 세밀한 측정 부족이 주요 오차 원인으로 분석되었다. 2. 인덕터 전압과 저항 전압의 관계 RL회로에서 인덕터 전압은 V_L = L(dI/dt)...2025.12.11
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계2025.11.141. RC 시정수(Time Constant) 측정 RC회로의 시정수는 저항과 커패시턴스의 곱(τ=RC)으로 정의되며, 커패시터의 충방전 특성을 나타낸다. 본 실험에서는 DMM의 내부저항(약 10MΩ)과 2.2μF 커패시터를 이용하여 시정수를 측정한다. 전압이 초기값의 36.8%까지 떨어지는 데 걸리는 시간이 시정수이며, 스위치를 통해 충전과 방전을 제어하고 여러 번 측정하여 평균값을 구한다. 2. DMM 내부저항 측정 방법 DMM의 내부저항을 측정하기 위해 직류전원(5V)과 22kΩ 저항을 이용한다. DMM을 전압측정모드로 설정하고...2025.11.14
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.12.111. RC회로 시정수(Time Constant) RC회로의 시정수는 전압이 초기값의 36.8%까지 떨어지는데 걸리는 시간으로 정의된다. 이는 저항과 커패시턴스의 곱(τ=RC)으로 계산되며, 회로의 충방전 특성을 나타내는 중요한 파라미터이다. 실험에서는 시계를 이용하여 실제 시정수를 측정하고 이론값과 비교한다. 2. RC회로 충방전 특성 커패시터는 스위치를 통해 전원에 연결되어 충전되며, 전원과 분리되면 저항을 통해 방전된다. 충전 시에는 지수함수적으로 빠르게 증가하다가 포화되고, 방전 시에는 초기에 빠르게 감소하다가 점차 느려진다....2025.12.11
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.021. RC회로의 시정수 측정 이 보고서는 RC회로의 시정수를 측정하는 회로와 방법을 설계하는 것을 다룹니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) V와 R의 값을 측정하고 DMM을 저항과 전압에 직렬로 연결하여 전압 V0를 측정한 후 이를 이용해 Rin을 계산합니다. 2) DMM을 전류 측정 모드로 설정하고 스위치를 1번에 연결하면 초기 전류 I가 흐르고, 시간이 지남에 따라 전류 Ic가 감소하는데 이때 Ic가 초기 전류의 36.8%가 되는 시간이 RC 시정수입니다. 3) RC 시정수가 10μs이고 커패시터 용량이 10nF일 때 저항...2025.05.02
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전기회로설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.01.211. RC회로의 시정수 측정 RC회로의 시정수를 측정하는 방법을 설계하는 것이 이 실습의 목적입니다. 주어진 시정수를 갖는 RC회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계합니다. 이를 위해 DMM, 함수발생기, 오실로스코프 등의 기본 장비를 사용하며, 저항, 가변저항, 커패시터 등의 부품을 활용합니다. 회로 구성, 측정 방법, 파형 관찰 등의 내용이 포함됩니다. 1. RC회로의 시정수 측정 RC회로의 시정수 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한 개념입니다. 시정수는 RC회로의 과도응답 특성을 결정하는 핵심 요소로, 회로의 동적 동작을...2025.01.21
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