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아주대)현대물리학실험 Photoelectric Effect Apparatus 예비2025.01.291. 광전효과(Photoelectric Effect) 광전효과는 금속에서 실험이 진행되는데 금속의 전자는 퍼텐셜 에너지 우물에 갇혀있다. 이때 금속에 광자를 쐬어주면 광자의 에너지가 전자에 흡수되어 전자의 운동 에너지와 퍼텐셜 에너지로 변환된다. 이때 전자는 광자의 에너지와 퍼텐셜 에너지 우물(금속의 일함수)의 차이만큼의 운동 에너지를 갖게 된다. 2. 플랑크의 양자가설(Plank's Hypothesis) 플랑크는 전기진동자가 독립된 양자 각각으로 전자기파에 에너지를 주기는 하지만 전자기파 자체는 고전적 파동 이론을 따른다고 주장했...2025.01.29
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광전효과 실험 결과보고서2025.05.131. 광전효과 이번 실험에서는 광전효과에 대한 내용을 실험적으로 확인하는 것에 목적을 두었다. 실험을 통해 진동수 변화에 따른 경향성, 광량 변화에 따른 경향성, 전압 변화에 따른 전류의 경향성을 관찰하였다. 실험 결과를 분석하여 플랑크 상수, 일함수, 문턱 진동수 등을 계산하였고, 광전효과의 원리와 의미에 대해 고찰하였다. 2. 플랑크 상수 실험 Ⅰ에서 진동수 대 정지전압 그래프의 기울기를 통해 플랑크 상수를 계산하였다. 실험값은 6.63 × 10^-34 Js로 나왔으며, 오차율은 약 6%였다. 이를 통해 플랑크의 양자 가설이 입...2025.05.13
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물리 세특 - 플랑크 상수의 크기 구하기,빛의 종류와 형광 무늬의 관계2025.01.211. 플랑크 상수 측정 실험을 통해 발광 다이오드의 문턱전압과 방출되는 빛의 진동수 관계를 이용하여 플랑크 상수의 크기를 구할 수 있다. 이를 위해 아두이노를 이용하여 LED의 전압과 전류를 측정하고, 이를 바탕으로 플랑크 상수를 계산할 수 있다. 2. 빛의 종류와 형광 무늬 자외선과 가시광선을 지폐에 비추어 관찰한 결과, 자외선에서는 형광 무늬가 나타나지만 가시광선에서는 형광 무늬가 나타나지 않는다. 이는 자외선의 진동수가 가시광선보다 높아 광전효과가 일어나기 때문이다. 1. 플랑크 상수 측정 플랑크 상수는 양자 역학의 기본 상수...2025.01.21
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[A+ 보장] LED의 특성 분석2025.05.111. LED의 전류-전압 특성 LED의 전류-전압 특성 그래프를 통해 소자별 문턱전압을 확인할 수 있으며, 일반적으로 파장이 짧을수록 문턱전압이 높다는 사실을 확인할 수 있다. 전류-전압의 log scale 그래프에서는 쇼클리 방정식을 통해 1차 함수로 근사되지만, 실제 실험 그래프에서는 1차 함수가 아님을 확인할 수 있다. 2. LED의 광출력-전류 특성 인가 전류 대비 출력 전류의 그래프에서는 일반적으로 선형영역에서 인가 전류대비 출력 전류를 확인할 수 있었고, 555nm에서는 선형영역을 넘어 포화영역에 해당하는 부분이 일부 확...2025.05.11
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[일반물리학실험]광전효과2025.05.051. 광전효과 광전 효과는 금속 표면에 파장이 충분히 짧은 빛을 쪼이면 표면에서 전자가 튀어나오는 현상이다. 이 현상은 빛의 입자성을 설명해준다. 전체 에너지는 전자가 빛을 받아 금속 표면으로 나오기 직전까지의 에너지와 금속 표면으로 나온 전자의 운동에너지의 합으로 나타낼 수 있다. 광전효과 실험 장치에 전압을 역방향으로 걸어주면 튀어나온 전자는 반대방향의 힘을 받아 점점 느려지다 멈추게 되고 전류는 0이 된다. 이때의 퍼텐셜차를 멈춤 퍼텐셜차라고 하고 운동에너지의 최대값 K_max = eV_stop으로 나타낼 수 있다. 또 특정 ...2025.05.05
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험7_결과보고서_op-amp,PSRR,slew-rate,적분기,미분기,relaxation oscillator2025.05.101. op amp의 입력전압 레벨 op amp가 정상적으로 동작하기 위해서는 내부 트랜지스터들이 모두 forward active region에 있어야 한다. 하지만 Vin-, Vin+의 전압이 너무 높으면 내부 트랜지스터들이 켜지지 않거나, saturation region으로 들어가 op amp의 정상 작동이 어려워진다. 실험 7-1은 입력 전압레벨이 전원전압(Vcc+=10V, Vcc-=0V)보다 높아지거나 낮아졌을 경우 op amp가 제대로 작동하지 않는 지점을 찾는 실험이다. 2. PSRR(Power Supply Rejectio...2025.05.10
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[A+] 다이오드1 보고서2025.05.151. 다이오드 이번 실험을 통해 다이오드는 5가 원소를 넣어 만든 N형 반도체와 3가 원소를 넣어 만든 P형 반도체를 붙여 한 쪽으로만 전기가 흐르게 하는 회로 소자라는 것을 알았습니다. 다이오드는 역방향일 때 전류가 흐르지 않고 순방향일 때 전류가 흐르지 않다가 전압이 한 지점을 넘어서면 전류가 흐르는 것을 알았으며 이것은 다이오드의 종류에 따라 문턱전압이 다르기 때문이라는 것도 알 수 있게 되었습니다. 2. 반도체의 전기적 특성 반도체는 절연체와 도체 사이 중간 정도의 전기저항을 갖습니다. 순수한 반도체의 전기전도도는 매우 낮지...2025.05.15
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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report2025.01.121. MOSFET MOSFET은 전압 제어용 소자로 Gate, Source, Drain의 3 단자로 구성되어 있습니다. Gate에 인가되는 전압으로 Source와 Drain의 전류 흐름을 제어할 수 있으며, 제작 방식에 따라 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET으로 구분할 수 있습니다. 본 실험에서는 Keithley 4200-SCS를 이용하여 MOSFET의 I-V 특성을 분석하였고, On-off ratio, Threshold Voltage, Subthreshold swing, Mobility, DIBL 현상 등을 확인하였습니다....2025.01.12