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다이오드 직렬 및 병렬연결 실험결과2025.11.161. 다이오드 순방향 특성 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 순방향 특성을 비교 분석한 결과, Si 다이오드는 약 0.7V의 순방향 전압강하를 가지며 Ge 다이오드는 약 0.3V의 순방향 전압강하를 갖는다. 직렬 연결 시 다이오드의 위치가 반대로 바뀌면 VD(V)과 VO(V)의 값도 반대로 나타나며, VD의 변화에 따라 ID값도 달라진다. 0.7V 이상의 전압이 인가될 때 전류가 높은 곳이 Si 다이오드이고 낮은 곳이 Ge 다이오드이다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 회로 다이오드를 직렬로 연결하면 각 다이오드의 순방향 전압강하가...2025.11.16
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다이오드 직렬 및 병렬연결 예비리포트2025.11.161. 다이오드 동작 원리 DC 전압이 공급될 경우 다이오드 회로 해석은 다이오드의 켜짐/꺼짐 상태 판정이 중요하다. 다이오드 양단 전압이 임계 전압 이상일 경우 이상적 스위치 소자로 간주하며, 이하일 경우 꺼진 상태로 판정한다. 켜진 상태에서는 임계전압으로 대체하여 해석하고, 역방향 바이어스 인가 시 개방회로로 해석한다. 실제 회로에서는 비선형으로 동작하며 임계전압이 정확히 0.7V가 아니다. 2. 직렬 다이오드 연결 특성이 다른 다이오드를 직렬로 연결한 경우의 동작을 분석한다. 순방향 바이어스 시 측정 데이터에서 VD는 약 4.9...2025.11.16
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PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압 예비레포트2025.05.031. PN 접합 다이오드 특성곡선 측정 이 실험의 목적은 전압과 전류 사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작 원리를 이해하는 것입니다. 실험에서는 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 측정하고, 이를 통해 다이오드의 동작 원리를 설명합니다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 이 실험의 목적은 특성이 다른 다이오드를 직렬 및 병렬로 연결했을 때의 각 다이오드의 동작을 이해하고, 이를 바탕으로 다이오드 응용 회로를 해석할 수 있는 능력을 개발하는 것입니다. 실험에서는 직렬 및 병렬로 연결...2025.05.03
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 그림 [10-1]은 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소오스 단자에...2025.04.27
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서2025.01.061. 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합하여 만든 2극 반도체 소자인 다이오드에 대해 설명합니다. 다이오드의 구조와 작동 원리를 설명하고 있습니다. 순방향 전압을 인가하면 N형 반도체의 전자가 P형 반도체로 이동하고, 정공이 N형 반도체로 이동하여 전류가 흐르게 됩니다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 회로 직렬 또는 병렬로 연결된 다이오드 회로를 해석하고, 회로 전압을 계산하고 측정하는 실험에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 다양한 다이오드 회로의 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 다이오드 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반...2025.01.06
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반도체 다이오드 특성 보고서2025.05.101. p-n 접합 다이오드 p-n 접합 다이오드는 순방향 전압이 문턱전압을 넘어서면 전류가 흐르고, 역방향 전압이 항복전압을 넘어서면 역방향 전류가 급격히 흐르는 특성을 가지고 있다. 이번 실험에서는 p-n 접합 다이오드의 정류 작용을 관찰하였다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 순방향 연결에서 문턱전압이 약 0.6V이며, 역방향 연결에서 항복전압이 약 4.3V인 것을 확인하였다. 제너 다이오드는 역방향 연결에서 항복전압을 넘어서면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있다. 3. 다이오드의 정류 작용 일반 다이오드의 경우 순방...2025.05.10
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[기초전자회로실험]직렬 및 병렬 다이오드 회로2025.04.281. 직렬 다이오드 회로 직렬 다이오드 회로에서는 각각 다이오드의 오프셋 전압 만큼의 전압 강하만 이루어진다. Si 다이오드 2개가 직렬회로에 있다면 1.4V의 전압강하만 이루어진다. 이때 연결된 저항값이 너무 작으면 다이오드가 Short 되어 버린다. 2. 병렬 다이오드 회로 병렬에서는 Si 다이오드가 2개가 병렬 연결 되었다면 그 절반의 전압 강하만 이루어진다. 만약 다이오드의 방향이 서로 반대로 되어있을 경우 순방향 바이어스 전압을 받는 다이오드에 대해서는 오프셋 전압만큼의 전압 강하가 이루어지며, 역방향 바이어스 전압을 받는...2025.04.28
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전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조2025.04.291. 다이오드와 문턱 전압 다이오드는 순방향 전압이 걸렸을 때 실리콘 다이오드는 약 0.7V, 게르마늄 다이오드에서는 약 0.2 V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데, 이때의 전압을 다이오드의 문턱전압(threshold voltage)이라고 한다. 다이오드는 역 전압을 막거나, 교류를 직류로 만들 때, 사용한다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 직렬 회로에서 전류는 하나의 통로만 가지며, 회로 내부에 소자(장치)로 인해 전류의 세기가 동일하다. 병렬 회로는 +극에서 받는 전압과 -극에서 받는 전압이 동일하기 때문에, 모든 전압이 ...2025.04.29
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 실험2025.11.171. 다이오드 특성 및 문턱전압 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 이해하기 위해 DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. Si 다이오드의 순방향 전압은 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V이며, 역방향 바이어스 시 개방회로를 나타낸다. 두 방향에서 모두 1V 이하의 낮은 값이 나오면 접합부가 단락된 상태이고, 모두 OL이 표시되면 개방된 상태이다. 2. 직렬 다이오드 구조 회로 분석 직렬 다이오드 구조에서는 다이오드의 문턱전압과 저항값을 이용하여 이론적인 출력전압(Vo)과 다이오드...2025.11.17
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