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나노 반도체입자의 분광학적 성질2025.11.121. 나노 반도체입자 나노 크기의 반도체 입자는 벌크 재료와 다른 독특한 물리적, 화학적 성질을 나타냅니다. 양자 구속 효과에 의해 입자 크기가 작아질수록 에너지 밴드갭이 증가하여 광학적 성질이 변합니다. 이러한 나노 반도체입자는 태양전지, LED, 의료 진단 등 다양한 응용 분야에서 활용되고 있습니다. 2. 분광학적 성질 분광학은 물질이 빛과 상호작용하는 방식을 연구하는 학문입니다. 나노 반도체입자의 분광학적 성질은 자외선-가시광선 흡수 스펙트럼, 형광 발광, 라만 산란 등을 통해 분석됩니다. 이를 통해 입자의 크기, 구조, 전자...2025.11.12
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나노 반도체입자의 분광학적 성질(예비보고서)2025.05.131. 나노 반도체입자의 분광학적 성질 실험을 통해 반도체 나노입자를 합성하고 그 분광학적 성질을 관찰하여 크기와 분광학적 성질 사이의 관계를 알아보고자 한다. 반도체 물질의 에너지 준위와 band gap 개념을 이용하여 나노 크기의 반도체 입자에서 나타나는 양자구속 효과를 설명할 수 있다. 역미셀 구조를 이용하여 나노입자의 크기를 조절할 수 있다. 2. 반도체 물질의 에너지 준위와 band gap 원자 내 전자의 에너지 준위와 분자 내 전자의 에너지 준위를 설명할 수 있다. 고체 물질에서 나타나는 에너지 준위 구조인 valence ...2025.05.13
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나노 반도체입자의 분광학적 성질2025.01.121. Band theory 물질을 이루는 원자 내부의 전자는 가질 수 있을 수 있는 상태의 에너지가 정해져 있는데 양자역학에 따르면 이 에너지는 불연속적인 값을 갖게 된다. 전자가 있을 수 있는 에너지 위치를 에너지 띠라고 하고 전자가 있을 수 없는 위치를 띠 틈이라고 한다. 에너지 띠 중에서 전자가 채워져 있는 에너지 띠를 Valence band(원자가띠)라고 하고 전자가 존재하지 않는 에너지 띠를 Conduction band(전도띠)라고 한다. 띠 틈의 크기에 따라 물질의 종류를 나눌 수 있다. 2. 양자 사이즈 효과 (양자 갇...2025.01.12
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나노 반도체입자의 분광학적 성질 분석2025.11.131. 역미셀 용액 합성 실험에서 heptane을 용매로 사용하고 AOT 계면활성제와 증류수를 혼합하여 역미셀 용액을 제조했다. 역미셀은 계면활성제의 극성 머리 부분이 물을 둘러싸고 비극성 꼬리 부분이 heptane 용매를 향하는 구조를 가진다. 이 구조는 나노입자의 응집과 침전을 방지하며, 첨가되는 물의 양을 조절하여 나노입자의 크기를 제어할 수 있다. 실험에서는 AOT 1.665g과 증류수 660μL를 사용하여 [H2O]/[계면활성제] 비율을 10으로 설정했다. 2. 반도체 나노입자 합성 CdS, ZnS, PbS 등의 반도체 나노...2025.11.13
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반도체 나노입자(CdS, ZnS)의 분광학적 성질2025.05.151. 반도체 나노입자 이번 실험은 CdS, ZnS의 나노입자를 역미셀방법으로 합성하여 UV-vis 분광기로 측정된 흡광도를 이용해 band gap energy를 구하여 나노 입자크기를 계산해 보는 실험을 진행하였다. 역미셀 용액을 제조 할때에는 AOT 계면활성제를 넣어주었다. AOT 계면활성제는 수분이 함유된 알칼리 금속이온의 화합물로, AOT 분자가 수분과 반응하여 형성되는 나노미세 크기의 물방울을 안정화시켜 역미셀이 만들어지기 때문이다. 이후 산소를 제거하기 위하여 질소기체를 넣어 주었다. 만든 역미셀 용액 (w=5. w=10)...2025.05.15
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나노 반도체 입자의 분광학적 성질 실험보고서2025.01.101. 미셀과 역미셀 계면활성제가 일정 농도 이상에서 모인 집합체인 미셀은 소수성 부분이 핵을 형성하고 친수성 부분이 물과 닿는 표면을 형성한다. 반대로 계면활성제가 유기 용매에 녹는 경우에는 친수성 부분이 핵을 형성하고 소수성 부분이 유기 용매가 닿는 표면을 형성하는 역미셀이 생성된다. 역미셀은 나노입자들이 뭉쳐서 침전되는 것을 막고 첨가한 물의 양에 따라 역미셀의 크기를 조절함으로써 만들고자 하는 나노입자의 크기를 생성할 수 있게 해준다. 2. 띠구조(Band Structure) 고체 내에서 원자 수가 많기 때문에 궤도 함수의 수...2025.01.10
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나노반도체 IGZO TFT 제작 공정 실험2025.11.151. Gate via Patterning IGZO TFT 제작의 첫 번째 단계로, 게이트 전극으로 사용할 Si를 측정에서 접촉할 수 있도록 만드는 공정입니다. 웨이퍼 세척 후 포토리소그래피를 통해 원하는 패턴을 형성합니다. 기판의 유기물과 불순물을 제거하고, 산소플라즈마로 표면 반응성을 향상시킨 후, 포지티브 포토레지스트를 코팅하고 마스크를 이용한 노광 공정을 거칩니다. 2. Wafer Cleaning 반도체 기판 표면의 유기물, 불순물, 금속이온 등을 제거하는 전처리 공정입니다. 아세톤과 이소프로필알코올을 이용한 초음파 세척으로 ...2025.11.15
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화학실험기법2_exp1. Synthesis and Optical Properties of CdSe Quantum Dots2025.01.211. 양자점(Quantum Dot) 양자점은 입자의 지름이 나노미터 단위 이하의 크기를 가지는 반도체 나노 입자를 말한다. 양자점은 입자의 크기별로 다양한 색을 나타내며 독특한 특성을 보여 최근 바이오 센서, 디스플레이 등의 여러 첨단 분야에 사용되고 있다. 입자의 크기가 작아질수록 파장은 짧아지고 더 높은 에너지를 가지며 색깔은 초록색-노란색에서 주황색-빨간색으로, 형광은 파란색에서 노란색으로 변한다. 이는 band gap과 관련이 있다. 2. Band Gap Band gap (Eg)는 HOMO-LUMO energy gap으로 알...2025.01.21
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나노재료공학 기말레포트2025.11.121. 깁스 함수와 화학반응 깁스 함수(ΔG = ΔH-TΔS)는 일정한 온도와 압력에서 계로부터 얻을 수 있는 일과 자발성을 나타낸다. ΔG가 0보다 작으면 화학반응은 자발적이고, 0보다 크면 자발적이지 않으며, 0이면 평형 상태에 있다. 이는 화학반응의 진행 방향과 가능성을 결정하는 중요한 열역학적 지표이다. 2. 박막 제조 기술 균일한 박막을 제조하는 방법으로는 자기조립(Self-Assembly), LB법, 층별적층법(LBL), 리소그래피, CVD 등이 있다. LB법은 양친매성 분자를 이용하여 매우 얇고 균일한 막을 제작하며, L...2025.11.12
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국가나노인프라협의체 중 5개 기관의 현황과 육성전략2025.05.011. 국가나노인프라협의체 국가나노인프라는 창조경제를 실현시키는 기반이 되는 나노기술의 개발과 나노 산업 성장의 기초가 된다. 국가나노인프라협의체는 나노기술 산, 학, 연 R&BD 프로그램을 연계하고 지원체제를 구축하며 나노 인프라를 활용하여 선행공정을 개발하고 서비스의 고도화 사업을 추진한다. 또한 나노 융합 창업허브를 구축하고 나노기술의 사업화를 지원하며 나노 전문인력을 양성하고 일자리 창출을 지원한다. 2. 한국나노기술원 한국나노기술원은 나노소자와 화합물 반도체 분야의 연구개발과 지원체제를 구축하여 나노기술의 국가경쟁력을 높이고...2025.05.01
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