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전기회로설계실습 예비보고서122025.05.151. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실습의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통해 이들 소자의 등가회로와 동작 원리를 이해하는 것입니다. 회로에 저항만 연결하면 주파수가 높아짐에 따라 전압이 감소하는데, 이는 기생 커패시터에 의한 전류 흐름 때문입니다. 인덕터와 저항을 연결하면 주파수가 높아짐에 따라 저항 전압이 감소하다가 다시 증가하는데, 이는 인덕터의 기생 커패시터 때문입니다. 커패시터와 저항을 연결하면 주파수가 증가하면서 저항 전압이 증가하다가 감소하는데, 이는 ...2025.05.15
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Common Source Amplifier의 고주파 효과 및 밀러 효과 분석2025.11.181. 밀러 효과(Miller Effect) Common Source Amplifier 회로에서 게이트와 드레인 사이의 기생 커패시터 Cgd로 인해 입력 임피던스가 (1+A)배 증가하는 현상. 입력 쪽에서 바라보는 커패시터 값이 원래 값보다 크게 보이며, 이로 인해 고주파에서 이득이 감소한다. 밀러 효과는 Zm = 1/(1+A)sCgd 식으로 표현되며, 고주파 특성 악화의 주요 원인이다. 2. Common Source Amplifier 회로 설계 결합 커패시터 C1과 바이패스 커패시터 C3는 주파수에 따라 임피던스가 변하는 리액턴스 ...2025.11.18
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인하대 VLSI 설계 6주차 Flip-Flop2025.05.031. Latch Latch는 하나 이상의 비트들을 저장하기 위한 디지털 논리회로로, 데이터 입력 In, 클럭 입력 CLK, 출력 Q로 이루어진다. Latch의 종류에는 Negative Latch와 Positive Latch가 있으며, Negative Edge에서는 clk = 1일 때 Q가 기존의 값을 유지하고 clk = 0일 때 In의 값이 출력 Q로 나오며, Positive Edge에서는 clk = 1일 때 In의 값이 출력 Q로 나오고 clk = 0일 때 Q가 기존의 값을 유지한다. 2. Flip-Flop Flip-Flop은 2...2025.05.03
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인하대 VLSI 설계 3주차 NAND,NOR,AND,OR2025.05.031. Rule of Conduction Complements(Dual) NAND gate 회로에서 PMOS는 병렬 연결되어 두 Input 중 하나라도 0일 경우 Y 노드가 VDD와 연결되어 1이 출력되는 Pull-up network를 구성하고, NMOS는 직렬 연결되어 두 Input 모두 1일 때만 Y 노드가 GND와 연결되어 0이 출력되는 Pull-down network를 구성한다. Complementary CMOS Logic gates는 PMOS Pull-up network와 NMOS Pull-down network로 구성되며,...2025.05.03
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.151. 저항의 고주파 특성 측정 저항은 기생(parasitic)소자 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있고, 특히 저항을 통과하여야 하는 전류가 고주파에선 parasitic 커패시터에 더 잘 흐르기 때문에 주파수를 올릴 때, 저항 값은 점차 줄어들 것으로 예상된다. 즉, 주파수가 높아질 수록 저항은 커패시터의 특성을 더 많이 나타낸다는 고주파 특성을 확인할 수 있을 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터는 기생 인덕터의 영향을 가지고 있어 고주파 영역에서는 임피던스가 증가한다. 따라서 저항 전압은 주파수 증가에 따라 전압이...2025.05.15
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중앙대 전기회로설계실습 12차 예비보고서2025.04.271. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 설계실습 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 예비보고서에서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 저항의 경우 Function generator와 연결하여 주파수 변화에 따른 저항 값의 변화를 DMM으로 측정하고, 커패시터와 인덕터의 경우 RL 회로와 RC 회로를 구성하여 입력전압과 저항전압의 비와 위상차를 Oscilloscope로 측정하여 고주파 특성을 분석하는 방법을 제시하고 있습니다. 2. 기생 인덕터의 영향 R=10...2025.04.27
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전기회로설계 및 실습_설계 실습12. 수동소자의 고주파특성 측정방법의 설계_결과보고서2025.01.211. 수동소자의 고주파 특성 이 보고서는 전기회로설계 및 실습 과정의 14주차 보고서로, 수동소자인 저항, 커패시터, 인덕터를 이용하여 회로를 설계하고 고주파에서 이러한 수동소자들이 어떻게 동작하는지 이해하는 것을 목적으로 합니다. 저항, 커패시터, 인덕터는 저주파에서는 이상적인 특성을 보이지만 주파수가 높아지면 기생 성분의 영향으로 인해 특성이 변화하게 됩니다. RC 회로와 RL 회로에 대한 실험 결과를 통해 고주파 영역에서 수동소자의 동작 특성을 확인하였습니다. 2. RC 회로의 고주파 특성 RC 회로에서 저항에 걸리는 전압을 ...2025.01.21
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전기회로설계실습 결과보고서122025.05.151. RC 회로 RC 회로의 주파수 응답을 측정하고 이론값과 비교하였다. 6MHz 이상의 고주파 영역에서 커패시터가 인덕터처럼 동작하는 것을 확인하였다. 전달함수의 크기와 위상차 그래프에서 이론값과 실험값의 차이가 크게 나타났다. 2. RL 회로 RL 회로의 주파수 응답을 측정하고 이론값과 비교하였다. 140kHz 이상의 고주파 영역에서 인덕터가 커패시터처럼 동작하는 것을 확인하였다. 전달함수의 크기와 위상차 그래프에서 이론값과 실험값의 차이가 크게 나타났다. 3. 고주파 영역 수동소자 동작 고주파 영역에서 수동소자인 저항, 커패시...2025.05.15
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공통 이미터 증폭기 및 주파수 특성 실험 결과보고서2025.11.181. 공통 이미터 증폭기 (Common Emitter Amplifier) 공통 이미터 증폭기는 BJT 트랜지스터를 이용한 기본 증폭 회로로, 입력 신호는 베이스-에미터 접합으로 주입되고 출력은 콜렉터-에미터 접합에서 취합니다. 이 회로는 입력과 출력 신호 사이에 180도의 위상 차이를 가지며, 직류 바이어스 회로를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정합니다. 실험에서는 전압 분배 바이어스 방식을 사용하여 각 단자의 전압과 전류를 측정하고, 베타값과 임피던스를 계산하여 회로의 특성을 분석했습니다. 2. 전압이득 및 임피던스 특성 전압이득은...2025.11.18
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RC 회로의 주파수 응답 측정 RC 회로에서 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 4MHz 부근에서 커패시터가 인덕터의 특성을 보이기 시작하는 것을 확인하였다. 실험 결과와 이론값을 비교하여 고주파 영역에서 실제 소자의 기생 성분으로 인해 이론값과 다른 특성을 보임을 알 수 있었다. 2. RL 회로의 주파수 응답 측정 RL 회로에서도 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 25kHz~10...2025.04.25
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