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[기초전자실험 with pspice] 15 휘스톤브릿지 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.282025.04.28
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회로이론및실험1 12장 커패시터 직병렬 회로 A+ 결과보고서2025.01.131. RC회로의 위상 특성 실험을 통해 RC회로의 위상 특성을 이해하였다. RC직렬회로에서 저항 전압은 전류와 동상이며 전원 전압보다 앞선 위상이고, 커패시터 전압은 전원 전압보다 뒤진 위상이며, 커패시터 전압과 전류의 위상차는 90도이다. RC병렬회로에서는 어드미턴스를 적용한 옴의 법칙을 사용할 수 있다. 2. RC회로의 전압과 전류의 관계 실험을 통해 RC회로의 전압과 전류의 관계를 이해하였다. 커패시터에 걸리는 전압과 커패시터 내에 흐르는 전류의 위상 관계를 파악하였으며, 커패시터 내에 흐르는 전류의 위상이 커패시터에 걸리는 ...2025.01.13
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전기회로설계실습 예비보고서122025.05.151. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실습의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통해 이들 소자의 등가회로와 동작 원리를 이해하는 것입니다. 회로에 저항만 연결하면 주파수가 높아짐에 따라 전압이 감소하는데, 이는 기생 커패시터에 의한 전류 흐름 때문입니다. 인덕터와 저항을 연결하면 주파수가 높아짐에 따라 저항 전압이 감소하다가 다시 증가하는데, 이는 인덕터의 기생 커패시터 때문입니다. 커패시터와 저항을 연결하면 주파수가 증가하면서 저항 전압이 증가하다가 감소하는데, 이는 ...2025.05.15
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 3주차 결과레포트2025.05.101. R회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-1에서는 20옴 저항 6개를 직, 병렬로 연결하여 등가저항을 구현하고 두 가지 방법으로 등가저항을 측정하였다. 직접 측정 방법으로는 13.2옴, 전압-전류 비 방법으로는 13.16옴을 얻었으며, 이론값 13.33옴과 비교하여 오차율 0.98%와 1.28%를 보였다. 오차의 원인으로는 측정 장비의 한계와 저항 자체의 오차 등이 지적되었다. 2. C회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-2에서는 100옴 저항과 220pF 커패시터 6개를 직, 병렬로 연결하여 RC 회로를 구현하고 주파수에 따른...2025.05.10
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_20 커패시터(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에 전하가 모이게 된다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 직렬 연결된 커패시터들은 서로 전하를 채워주는(충전) 전류가 같고, 전체 커패시턴스는 줄어든다. 병...2025.05.13
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 20 커패시터2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에는 전하(electric charge)가 모이게 된다. 이렇게 전하를 저장하는 능력이 커패시터의 기본 성질이다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 즉, 커패...2025.05.13
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기초회로실험 1주차 예비보고서 - R, L, C 소자의 이해2025.01.041. 저항 저항은 물질의 이동을 억제하는 소자로, 값이 클수록 전자의 이동이 어렵다. 저항의 단위는 옴(Ω)이며, 저항 R은 물질의 고유저항률 ρ, 길이 L, 단면적 S에 따라 R = ρL/S로 계산할 수 있다. 2. 커패시터 커패시터는 두 개의 도체 평판 사이에 절연물(유전체)를 채우고 평판 사이에 전압을 인가하면 평판에 전하가 모이는 회로소자이다. 커패시턴스 C는 단위 전압당 모을 수 있는 전하의 양으로, C = ε0εrS/d 로 계산할 수 있다. 커패시터는 직류용과 교류용으로 구분되며, 용량과 극성 등이 다르다. 3. 인덕터 ...2025.01.04
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클리핑과 클램핑회로 결과 레포트2025.01.281. 클리핑 회로 클리핑 회로는 인가된 교류 신호의 일부를 자르는 회로로, 저항과 다이오드의 조합으로 구성됩니다. 입력 신호가 구형파인 경우 쉽게 해석할 수 있지만, 정현파나 삼각파인 경우 입력 신호가 계속 변하므로 기본적으로 어떤 순간의 값과 직류 전원 전압의 관계에 따라 출력을 결정합니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 파형의 첨두값을 바꾸지 않고 특정 직류 전압 값만큼 이동시키는 회로입니다. 회로에 다이오드, 저항, 커패시터가 포함되어 있으며, 이동할 직류 전압 값을 조정하기 위해 별도의 직류 전원이 필요합니다. 커패시...2025.01.28
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전기회로설계실습 실습12 예비보고서2025.01.201. 저항의 고주파 특성 측정 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해한다. 위 3개의 회로에 각각 사인파를 입력하고, 주파수를 증가시키며 저항의 값을 확인한다. 그러면 3개의 회로 모두 저항의 값이 감소하는 모습으로 돌아서는 지점이 있다. 커패시터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 인덕터와 같이 행동하며, 반대로 인덕터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 커패시터와 같이 행동한다. 이것이 고주파 특성...2025.01.20
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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