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[A+]건국대 전기전자기초실험1 3주차 결과보고서2025.01.151. 온도에 따른 전기저항의 변화 본 실험에서는 온도에 따라 전기저항의 크기가 변화하는 것을 실험적으로 확인하고자 한다. 입력 전압이 증가하면 전류도 증가할 것이며 이에 따라 저항이 변화한다. 이러한 현상은 온도와 관련이 있다. 대부분의 물질은 온도가 상승함에 전기 저항이 증가한다. 따라서 주어진 전압 또는 전류에서 저항이 온도에 따라 변화한다. 2. 등가저항을 이용한 등가회로 본 실험에서는 여러 개의 저항으로 이루어진 회로의 등가저항을 이론적으로 계산하고 실제 회로의 간략화된 등가회로를 구성하여 그 차이점을 실험적으로 알아보고 원...2025.01.15
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[기초전자실험 with pspice] 10 중첩의 원리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 중첩의 원리 중첩의 원리를 적용하는 방법을 익히고, 중첩의 원리를 실험으로 확인한다. 중첩의 원리는 '전원이 2개 이상인 선형회로에서 어떤 부품의 전압과 전류는 전원을 1 개씩 동작시킬 때 나타나는 전압 및 전류의 합이다'로 정의된다. 전원을 1개씩 동작시킨다는 것은 하나의 전원을 동작시킬 때 다른 전원은 제거하는 것이다. 전원이 2개인 회로에 중첩의 원리를 적용하는 방법은 각 전원에 따른 전류와 전압을 구한 후 더하여 실질적인 전류와 전압을 구하는 것이다. 2. 기본 회로 실험 실험 회로를 구성하고 직류전원을 인가한 후 각 ...2025.04.28
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중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.151. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하여 10.05의 값을 얻었다. DMM으로 큰 저항의 전압을 측정하는 것에 유의해야 함을 알 수 있었다. 2. RC회로의 시정수 측정 타이머를 이용하여 RC회로의 시정수를 측정하였는데 오차가 -5.68%이었다. DMM의 응답속도와 사람의 반응속도 때문에 큰 오차가 발생하였다. 이후 오실로스코프를 이용하여 시정수를 측정하였고 이론값과 정확히 일치하였다. 3. 오실로스코프 사용법 Function generator(+), 저항, 커패시터, Function generator(접지)의 순서...2025.05.15
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기초전자공학실험(서강대) - 1. 멀티미터에 의한 측정 결과 보고서2025.01.151. 저항 측정 실험을 통해 저항 값을 측정하였으며, 이론치와 측정치 간에 약간의 오차가 발생하였음을 확인하였다. 오차의 원인으로는 멀티미터 내부 건전지 소모에 따른 전압 감소로 인한 것으로 분석되었다. 0옴 조정을 통해 이러한 오차를 줄일 수 있음을 확인하였다. 2. 전압 측정 직렬 연결된 회로에서 각 저항에 걸리는 전압을 측정하였으며, 이론치와 측정치 간에 약간의 오차가 발생하였음을 확인하였다. 이는 전압계의 내부 저항과 측정 저항의 병렬 연결로 인한 것으로 분석되었다. 전압 측정 시 전압계와 전압원을 병렬로 연결해야 함을 확인...2025.01.15
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계측실험[Op-Amp를 이용한 비교기 구성]2025.01.121. 연산증폭기를 이용한 비교기 구성 이 실험에서는 연산증폭기(Op-Amp)를 이용하여 비교기 회로를 구성하고 그 작동 원리를 이해하는 것이 목적입니다. 비교기는 두 개의 입력 신호를 비교하여 출력 신호를 생성하는 회로로, 연산증폭기의 특성을 이용하여 구현할 수 있습니다. 실험에서는 입력 신호로 +13V와 -13V를 사용하고, 발광 다이오드와 멀티미터를 통해 출력 신호를 관찰합니다. 또한 반전 입력 단자와 비반전 입력 단자에 각각 +13V와 -13V를 인가하여 비교기 회로의 동작을 확인합니다. 1. 연산증폭기를 이용한 비교기 구성 ...2025.01.12
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서72025.01.171. RC 회로의 시정수 측정 이 보고서는 전기회로 설계실습의 일환으로 RC 회로의 시정수를 측정하는 방법을 설계하고 실험한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 DMM의 내부 저항 측정, RC 시정수 측정, RC 회로의 충전 및 방전 특성 관찰 등이 포함되어 있습니다. 실험 과정에서 발생한 오차 원인을 분석하고 개선 방안을 제시하고 있습니다. 1. RC 회로의 시정수 측정 RC 회로의 시정수 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한 개념입니다. 시정수는 RC 회로의 과도 응답 특성을 결정하는 핵심 요소로, 회로의 동작 특성을 이해...2025.01.17
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전자회로설계실습 5번 결과보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로, 부하가 BJTd 인버터에 연결된 LED구동회로, MOSFET를 이용한 LED구동회로 등 3가지 회로를 구현하고 각 회로의 동작을 분석하였습니다. 회로 구현 과정에서 발생한 오차와 그 원인을 분석하였으며, MOSFET의 동작 원리와 RG의 역할 등을...2025.01.20
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테브난 정리 실험2025.05.161. 테브난 정리 테브난 정리(Thevenin's Theorem)는 복잡한 회로의 전압/전류를 쉽게 구할 수 있는 방법입니다. 전원이 포함된 회로망을 등가전압과 직렬 연결된 등가저항 형태의 등가회로로 만들 수 있습니다. 이를 위해 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단자로 만들고, 단자 간에 나타나는 전압을 등가전압(VTh)으로, 전원을 제거하고 단자 쪽에서 바라본 저항을 등가저항(RTh)으로 구합니다. 이렇게 구한 VTh와 RTh를 직렬로 연결하여 테브난 등가회로를 만들 수 있습니다. 2. 테브난 정리 실험 이 실...2025.05.16
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전기회로설계실습 예비보고서82025.05.151. RL 회로의 과도응답(Transient Response) 이 실습의 목적은 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품이 제시되어 있으며, 3.0에서 time constant가 10 μs인 RL 직렬회로를 설계하는 방법이 설명되어 있습니다. 3.1에서는 회로의 저항 값을 계산하고, 사각파 주파수를 결정하며, 저항과 인덕터의 예상 전압 파형을 그래프로 제시하고 있습니다. 3.2에서는 오실로스코프 설정에 대해 설명하고 있으며, 3.3과 3.4에서는 저항 전압 ...2025.05.15
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전기회로설계실습 6. 계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법설계2025.01.211. DMM의 기능 및 입력저항 측정 DMM의 기능스위치를 저항측정모드로 맞추고 단자 사이의 저항을 측정한다. DMM의 입력저항은 10MΩ이다. 2. Function Generator의 출력저항 및 출력파형 특성 Function Generator의 출력저항은 50Ω이며, 출력파형은 정현파이다. DMM으로 측정한 실효값은 이다. 3. 오실로스코프의 입력저항 및 측정 방법 오실로스코프의 입력저항은 일반적으로 1MΩ이며, 일부 고가의 오실로스코프에서는 50Ω의 저항을 가진다. 오실로스코프로 Function Generator의 출력파형을 ...2025.01.21
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