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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 3주차 결과레포트2025.05.101. R회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-1에서는 20옴 저항 6개를 직, 병렬로 연결하여 등가저항을 구현하고 두 가지 방법으로 등가저항을 측정하였다. 직접 측정 방법으로는 13.2옴, 전압-전류 비 방법으로는 13.16옴을 얻었으며, 이론값 13.33옴과 비교하여 오차율 0.98%와 1.28%를 보였다. 오차의 원인으로는 측정 장비의 한계와 저항 자체의 오차 등이 지적되었다. 2. C회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-2에서는 100옴 저항과 220pF 커패시터 6개를 직, 병렬로 연결하여 RC 회로를 구현하고 주파수에 따른...2025.05.10
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[전기회로설계실습] 설계 실습 13. 발전기 원리 실험2025.05.131. 코일의 인덕턴스 측정 RL회로를 이용하여 인덕터의 인덕턴스를 측정하는 실험을 진행하였다. Oscilloscope의 curosr기능을 사용하여 저항전압이 입력전압의 63%가 되는 time constant(시정수)를 측정하였다. RL회로의 time constant tau = L over R이고, R = 10.098 [kΩ]+ 0.129[kΩ](코일 내부 저항 값)을 활용하여 L= tau R로 코일의 인덕턴스를 구한다. 그 결과 L = 116.688 [mH]이다. 2. 코일의 전압 생성 확인 Faraday's Law는 어떤 폐회로에...2025.05.13
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중앙대 전기회로설계실습 3차 예비보고서2025.04.271. 분압기(Voltage Divider) 설계 이 보고서는 부하 효과를 고려한 분압기(Voltage Divider) 설계 및 제작 과정을 다루고 있습니다. 설계 목표는 12V DC 전원을 사용하여 정격 전압 3V, 정격 전류 3mA인 IC 칩에 전력을 공급하는 것입니다. 보고서에서는 부하 효과를 고려하지 않은 잘못된 설계와 부하 효과를 고려한 현실적인 설계를 비교하고 있습니다. 현실적인 설계에서는 분압기 전류를 총 전류의 10% 정도로 설정하고, 추가 저항을 사용하여 출력 전압을 3V로 맞추는 과정을 설명하고 있습니다. 1. 분압...2025.04.27
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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아주대 A+기전실 3주차 결과보고서2025.01.121. 직렬-병렬 직류 회로 실험에서는 12V의 전압을 가하여 저항마다 흐르는 전류, 전압값을 측정하며, 키르히호프의 전압법칙과 전류 전압 분배 법칙을 확인하였다. 실험결과, R2에 흐르는 전류인 I2와 R3에 흐르는 전류 I3가 같았다. 이는 KCL을 사용하여 볼 수 있었는데 0.0046%의 작은 오차가 나왔으며 실험이 성공적으로 진행되었음을 알 수 있다. 실험을 통해 통해 IS = I1 + I2 가 성립함을 확인할 수 있었다. 따라서 병렬로 연결된 회로 내에서 직렬로 연결된 두 소자의 전류는 변하지 않기에 전류 분배 법칙이 성립함...2025.01.12
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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중앙대학교 분배 법칙 및 휘스톤 브릿지 결과 보고서2025.01.291. 전압 분배 실험을 통해 각 노드에 걸리는 전압이 저항의 변화에 따라 어떻게 분배되는지 이해하였다. 저항의 직렬 및 병렬 연결에 따른 합성저항을 이해하였다. 전압 분배 법칙을 통해 폐회로에서 전체 전압과 각 저항 양단의 전압을 구할 수 있음을 확인하였다. 2. 전류 분배 폐회로에서 전체 전류와 각 저항에 흐르는 전류를 옴의 법칙을 이용하여 구할 수 있음을 확인하였다. 접속된 저항의 수만큼 전류가 나누어진다는 전류 분배 법칙을 이해하였다. 3. 휘스톤 브릿지 휘스톤 브릿지 회로를 통해 미지의 저항을 측정하는 과정을 이해하였다. 모...2025.01.29
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중앙대 전기회로설계실습 6차 예비보고서2025.04.271. DMM을 이용한 접지 전압 측정 DMM을 교류전압측정모드(ACV)로 세팅하고, DMM의 한 단자를 220V 교류전원 power outlet(소켓) 접지에, 나머지 단자를 또 다른 220V 교류전원 접지에 연결하여 두 콘센트 사이의 전압을 측정하는 방법을 설계하였습니다. 2. 계측기의 입력 저항 및 주파수 특성 Function Generator의 출력저항은 50Ω이며, DMM의 입력저항은 보통 10MΩ, 오실로스코프의 입력저항은 보통 1MΩ입니다. 주파수에 따른 DMM의 측정값과 오실로스코프의 최대전압 측정값의 관계를 그래프로 ...2025.04.27
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전기회로설계실습 12장 예비보고서2025.01.201. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실험의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품들이 제시되어 있으며, 실험 계획서에는 다음과 같은 내용이 포함되어 있습니다: 1. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로 설계 2. R=10 kΩ, C=0.1 μF가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답 분석 3. R=10 kΩ, C=0.1 μF 직렬 회로에서 커패시터가 인덕터로 작동하는...2025.01.20
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[고려대학교 전기회로] 3~4단원 정리본2025.05.031. 직렬 연결 회로 직렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전류를 흐르게 한다. 직렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 저항값을 합한 것과 같다. 2. 병렬 연결 회로 병렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전압이 걸린다. 병렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 역수를 합한 것의 역수와 같다. 3. 전압 분배와 전류 분배 전압 분배 공식: Ui = (Ri/Req)U, 전류 분배 공식: Ii = (Req/Ri)I 4. 전압계와 전류계 측정 전압계는 측정하고자 하는 전압 요소와 병렬로 연결되고, 전류계는 측정하고자 ...2025.05.03
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