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Wheatstone Bridge를 이용한 미지저항 측정2025.01.141. Wheatstone Bridge Wheatstone Bridge는 미지의 저항을 측정하는 데 사용되는 전기 회로 장치입니다. 이 실험에서는 Wheatstone Bridge를 사용하여 다양한 저항값을 가진 미지저항을 측정하고 분석하였습니다. 실험 과정에서 기지저항과 미지저항의 값을 멀티미터로 측정하고, Wheatstone Bridge의 저항선 길이를 이용하여 미지저항 값을 계산하였습니다. 오차 분석을 통해 버니어 캘리퍼스 사용의 어려움과 멀티미터 저항값 차이에 따른 오차 발생 원인을 확인하였습니다. 1. Wheatstone Br...2025.01.14
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직류회로 예비레포트2025.05.041. 옴의 법칙 옴의 법칙은 일정온도에서 금속도체의 두 점 사이의 전위차와 전류의 비는 일정함을 의미한다. 이 일정한 비를 두 점 사이의 전기저항 R이라고 하며 단위는 Ω이다. 따라서 도체의 양 끝 사이의 전위차가 ΔV이고 전류가 I이면 옴의 법칙은 ΔV = IR 로 나타낼 수 있다. 2. 직렬 연결 직렬 연결에서는 모든 저항체에 같은 전류 I가 흐른다. 또한 직렬로 연결하는 저항의 수가 늘어날수록 합성 저항은 커지며 합성 저항은 각각의 저항보다 크다. 또 한 각 저항에 걸리는 전압의 총합은 전체 전압과 같다. 3. 병렬 연결 병렬...2025.05.04
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_13 휘트스톤 브리지(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 미지 저항의 크기를, 그 값을 알고 있는 표준저항과 정확하게 비교할 수 있기 때문에 계측 응용에 주로 사용되는 회로이다. 미지 저항값은 주로 스트레인 게이지 같은 변화기를 나타내게 되는데 이것은 자극받으면 저항값이 아주 작게 변한다. 2. 테브낭 정리와 부하저항 테브낭 정리를 사용하여 브리지의 부하저항에 흐르는 전류를 구할 수 있다. 부하저항을 제거하고 전압 원을 단락시켜서 테브낭 저항을 구한다. 이때 전압 원이 단락되면서 저항들이 병렬 연결되는 것을 알 수 있다. 테브낭 전압은 부하가 없을 ...2025.05.13
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 2 (AC)2025.05.031. IEEE 윤리헌장 IEEE 윤리헌장의 정신에 입각하여 보고서를 작성하였음을 서약하였다. IEEE 윤리헌장은 기술이 삶의 질에 미치는 중요성을 인정하고, 전문직으로서의 책임감을 가지고 최고의 윤리적이고 전문적인 행동을 하겠다는 내용을 담고 있다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프를 사용하여 정현파 신호의 진폭, 주파수, 주기 등을 측정하는 방법을 학습하였다. 수직 감도와 수평 감도를 조절하여 신호 파형을 관찰하고 분석하는 방법을 익혔다. 3. 저항 측정 저항기 Rs에 흐르는 전류와 전압을 측정하여 저항 R의 값을 계산하였다....2025.05.03
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휘트스톤 브릿지 실험 레포트2025.05.011. 전도도 및 비저항 측정 전도도(또는 비저항)은 물질의 전기적 성질을 나타내는 중요한 정보를 제공합니다. 이를 실험적으로 결정하기 위해서는 먼저 저항을 정확하게 측정해야 하며, 이를 위해 휘트스톤 브릿지가 종종 사용됩니다. 본 실험에서는 휘트스톤 브릿지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하는 것이 목적입니다. 2. 휘트스톤 브릿지 구조 및 사용법 휘트스톤 브릿지는 저항을 정확하게 측정하기 위해 사용되는 장치입니다. 본 실험에서는 휘트스톤 브릿지의 구조와 사용법을 익히는 것이 중요한 목표 중 하나입니다. 실...2025.05.01
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전기및디지털회로실험 실험4 결과보고서2025.01.121. 옴의 법칙 실험을 통해 직류회로에서 옴의 법칙이 성립함을 확인하였다. 전압과 전류를 측정하여 저항값을 계산하였고, 예상값과 실제 측정값 간에 약간의 오차가 있었지만 전반적으로 옴의 법칙이 잘 적용되는 것을 확인할 수 있었다. 전류계 내부의 저항과 기판 상의 물리적인 접촉 요소 등이 오차의 원인으로 작용한 것으로 보인다. 2. 직렬 및 병렬 회로 직렬 회로와 병렬 회로를 구성하여 전압, 전류, 저항 양단 전압을 측정하였다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차율은 비교적 작았으며, 회로의 형태를 변경해도 측정값이 일치하는 것을 확인할...2025.01.12
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 결과보고서 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계 결과 보고서2025.05.031. 저항 값 분포 실험 결과, 대부분의 저항값이 9.8kΩ에 있으며 정확히 10kΩ이거나 10kΩ를 초과하는 저항은 없었다. 최대 오차율은 2.3%로 허용 오차범위인 5%내에 모두 측정되었다. 저항 값의 분포는 9.7kΩ에 26.6%인 8개, 9.8kΩ에 70%인 21개, 9.9kΩ에 3.33%인 1개로 나타났다. 2. 전압 및 전류 측정 이 부분에 대한 내용은 제공되지 않았습니다. 1. 주제2: 전압 및 전류 측정 전압과 전류 측정은 전자 회로 분석에 있어 필수적인 요소입니다. 정확한 전압 및 전류 측정을 통해 회로의 동작 상태...2025.05.03
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고려대학교_전기회로 실험2_ 저항측정 보고서2025.05.021. 저항 측정 이 실험의 목적은 디지털 멀티미터를 사용하여 저항기의 저항을 측정하는 방법을 익히고, 탄소 피막 4색 및 5색 저항의 규격을 판독하는 방법을 배우는 것입니다. 실험을 통해 간단한 전기회로의 요소와 개념을 이해할 수 있으며, 측정값과 표시값의 차이를 비교하여 오차 원인을 분석할 수 있습니다. 2. 4색 저항 실험 4색 저항 실험에서는 4가지 색띠를 이용하여 저항 규격을 나타내는 방법을 배웁니다. 실험 결과, 오차율이 모두 허용 오차범위 내에 있고 작게 나오면서 안정적인 결과가 나왔습니다. 이는 실험 전에 도선의 저항을...2025.05.02
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면저항 결과 보고서2025.05.101. 면저항 면저항의 개념을 알고, 직접 면저항을 측정해 봄으로써 면저항을 측정하는 이유와 면저항을 줄일 수 있는 방법을 연구하였습니다. 면저항은 단위면적당 저항으로, 4-point probe 방법을 이용하여 측정할 수 있습니다. 비저항과 전기전도율 등 면저항과 관련된 개념들을 이해하고 실험을 통해 ITO, FTO, 실리콘 웨이퍼의 면저항 특성을 분석하였습니다. 2. ITO (Indium Tin Oxide) ITO는 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)을 첨가하여 전기전도성을 높인 투명 전도막입니다. 고전도율이며 가시광선 영역...2025.05.10
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테브난 정리 실험2025.05.161. 테브난 정리 테브난 정리(Thevenin's Theorem)는 복잡한 회로의 전압/전류를 쉽게 구할 수 있는 방법입니다. 전원이 포함된 회로망을 등가전압과 직렬 연결된 등가저항 형태의 등가회로로 만들 수 있습니다. 이를 위해 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단자로 만들고, 단자 간에 나타나는 전압을 등가전압(VTh)으로, 전원을 제거하고 단자 쪽에서 바라본 저항을 등가저항(RTh)으로 구합니다. 이렇게 구한 VTh와 RTh를 직렬로 연결하여 테브난 등가회로를 만들 수 있습니다. 2. 테브난 정리 실험 이 실...2025.05.16
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