1. Gate via Patterning IGZO TFT 제작의 첫 번째 단계로, 게이트 전극으로 사용할 Si를 측정에서 접촉할 수 있도록 만드는 공정입니다. 웨이퍼 세척 후 포토리소그래피를 통해 원하는 패턴을 형성합니다. 기판의 유기물과 불순물을 제거하고, 산소플라즈마로 표면 반응성을 향상시킨 후, 포지티브 포토레지스트를 코팅하고 마스크를 이용한 노광 공정을 거칩니다. 2. Wafer Cleaning 반도체 기판 표면의 유기물, 불순물, 금속이온 등을 제거하는 전처리 공정입니다. 아세톤과 이소프로필알코올을 이용한 초음파 세척으로 ...