1. ALD (Atomic Layer Deposition) 공정 개요 ALD는 다양한 기재 위에 금속 전구체와 반응 가스를 교차적으로 주입하여 자가 제한 표면 반응(Self-limiting surface reaction)에 의해 박막을 층별로 성장시키는 진공기상증착 방법입니다. 복잡한 3차원 구조 기재 위에서도 매우 균일한 두께의 박막을 얻을 수 있으며, 기체상 반응이 없고 순차적 단계로 진행됩니다. 장점으로는 입자와 핀홀이 없고 정밀한 두께 제어, 저온 공정, 우수한 박막 품질을 제공합니다. 2. ALD의 장단점 및 특성 ALD의...