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[A+]건국대 전기전자기초실험1 3주차 결과보고서2025.01.151. 온도에 따른 전기저항의 변화 본 실험에서는 온도에 따라 전기저항의 크기가 변화하는 것을 실험적으로 확인하고자 한다. 입력 전압이 증가하면 전류도 증가할 것이며 이에 따라 저항이 변화한다. 이러한 현상은 온도와 관련이 있다. 대부분의 물질은 온도가 상승함에 전기 저항이 증가한다. 따라서 주어진 전압 또는 전류에서 저항이 온도에 따라 변화한다. 2. 등가저항을 이용한 등가회로 본 실험에서는 여러 개의 저항으로 이루어진 회로의 등가저항을 이론적으로 계산하고 실제 회로의 간략화된 등가회로를 구성하여 그 차이점을 실험적으로 알아보고 원...2025.01.15
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6주차 예비 보고서 4장 테브냉 및 노튼의 정리 (2)2025.05.011. 테브냉의 정리 테브냉의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에서 회로 내의 임의의 두 단자 A, B를 선택하고 이 단자에 대하여 외부에서 보았을 때 등가적으로 하나의 전압원 V_TH와 직렬로 연결된 하나의 저항 R_TH로 대치할 수 있다는 것이다. 여기서 등가전압 V_TH는 주어진 회로망의 단자 A, B를 개방했을 때의 단자 A, B에 나타나는 전압과 같고, 등가저항 R_TH는 주어진 회로망의 모든 전원을 제거하고 단자 A, B에서 회로망 쪽으로 본 저항과 같다. 2. 노튼의 정리 노튼의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에...2025.05.01
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기초 회로 실험 제 25장 테브닌 정리(결과레포트)2025.01.171. 테브닌 정리 이번 장에서는 테브닌 정리라는 이론을 통해 테브닌 등가전압 Vth와 테브닌 등가저항 Rth가 이론적으로 맞는지를 실험을 통해 확인하였고, 테브닌 정리가 성립한다는 것을 확인할 수 있었다. 실제 저항, 전압, 전류 값들을 측정하고 계산한 결과, 측정값과 계산값이 유사한 것을 통해 테브닌 정리가 성립함을 보였다. 또한 복잡한 회로를 테브닌 정리를 통해 간단한 등가회로로 변환할 수 있어 회로 분석에 유용하게 사용될 수 있다는 것을 알 수 있었다. 1. 테브닌 정리 테브닌 정리는 복잡한 수학적 개념을 다루는 주제입니다. ...2025.01.17
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A+ / 전자공학실험 레포트/ pn접합 다이오드2025.05.131. 다이오드 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변하는 비선형 소자이다. 다이오드의 기호는 그림1-1과 같이 나타낼 수 있다. 이상적인 다이오드의 경우 그림 1-3과 같이 두 가지 동작 영역으로 나뉘며, 순방향 바이어스의 경우 저항이 0, 역방향 바이어스의 경우 저항이 무한대이다. 하지만 실제 PN접합 다이오드는 그림 1-4와 같은 전류-전압 특성을 지닌다. 2. 순방향 바이어스 다이오드의 음극보다 양극의 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양단 사이의 전압 강하는 없으며 양극에서...2025.05.13
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 4장 연습문제 풀이2025.01.021. 바이폴라 접합 트랜지스터의 포화 및 차단 특성 1. 트랜지스터가 포화되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 일정 값 이상이 되어야 한다. 포화가 되기 위한 베이스-에미터 전압의 최소값은 약 0.7V이다. 2. 트랜지스터가 차단되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 0.7V 미만이 되어야 한다. 3. 트랜지스터의 포화 및 차단 특성을 분석하기 위해 KVL(Kirchhoff's Voltage Law)을 적용하여 관련 수식을 도출할 수 있다. 2. 트랜지스터의 등가 회로 및 파라미터 계산 4. 트랜지스터의 등가 회로를 이용하여 컬렉터-에미...2025.01.02
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기초 회로 실험 제 25장 테브닌 정리(예비레포트)2025.01.171. 테브닌 정리 테브닌 정리는 임의의 선형 2단자 회로에서 직렬회로인 테브닌 등가전압과 테브닌의 등가 저항으로 대체 가능하다는 정리입니다. 테브닌 등가전압은 부하 저항을 제거했을 때 양단에 걸리는 전압이고, 테브닌의 등가 저항은 전압원을 단락 시킨 상태에서 개방된 부하의 양 단자의 합성 저항값입니다. 이를 통해 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 표현할 수 있습니다. 2. 테브닌 정리를 이용한 비평형 브리지 회로 해석 비평형 브리지 회로에서 테브닌 정리를 이용하면 등가회로를 보다 쉽게 구할 수 있습니다. 부하 저항을 제거한 상태에서의...2025.01.17
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테브난 정리 실험2025.05.161. 테브난 정리 테브난 정리(Thevenin's Theorem)는 복잡한 회로의 전압/전류를 쉽게 구할 수 있는 방법입니다. 전원이 포함된 회로망을 등가전압과 직렬 연결된 등가저항 형태의 등가회로로 만들 수 있습니다. 이를 위해 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단자로 만들고, 단자 간에 나타나는 전압을 등가전압(VTh)으로, 전원을 제거하고 단자 쪽에서 바라본 저항을 등가저항(RTh)으로 구합니다. 이렇게 구한 VTh와 RTh를 직렬로 연결하여 테브난 등가회로를 만들 수 있습니다. 2. 테브난 정리 실험 이 실...2025.05.16
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 11장 연습문제 풀이2025.01.021. 연산증폭기의 응용회로 1. 그림 11-22에서 연산증폭기의 반전(-) 입력전압은 ±Vd 차동전압을 무시할 수 있으므로 연산증폭기의 비반전(+) 입력전압 또한 ±Vd이다. 따라서 출력전압 Vo는 ±Vd ± Vref이다. 2. 이 비교기는 히스테리시스와 제너제한을 가지며, 양단 전압은 항상 ±Vref이다. 3. 연산증폭기의 반전(-) 입력전압은 ±Vd 차동전압을 무시할 수 있으므로 연산증폭기의 비반전(+) 입력전압 또한 ±Vd이다. 4. 시정수 RC에 따른 출력 파형의 변화율을 설명하고 있다. 5. 그림 11-25에서 R1, R2...2025.01.02
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