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트렌지스터 증폭2024.11.111. 트랜지스터의 특성 1.1. 트랜지스터의 3가지 영역 트랜지스터의 3가지 영역은 차단영역, 활성영역, 포화영역이다. 차단영역에서는 트랜지스터 베이스-이미터 전압(VBE)이 0.6V 이하로 작아 트랜지스터가 차단되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서 콜렉터 전압(VCE)이 전원전압(VCC)에 가깝게 유지된다. 활성영역에서는 VBE가 약 0.6V 부근으로 증폭작용이 이루어진다. 이때 VCE는 일정한 범위 내에서 변한다. 포화영역에서는 VBE가 0.6V를 넘어 트랜지스터가 완전히 켜져 VCE가 거의 0V에 가깝게 된다. 이 영역에서 트...2024.11.11
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전자공학부 면접2024.09.141. 반도체 및 전자소자 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 전기전도도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서, 그의 전기저항률 즉 비저항이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체(P형 반도체 or N형 반도체)로 나뉘어진다. 진성 반도체는 도체와 부도체 사이의 중간적 성질을 갖는 물질로서 최외각에 4개의 가전자를 갖는 4가 원소들이다. 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)과 같은 순도가 매우 높은 반도체를 진성 반도체라 한다. 진성 반도체는 평상시에...2024.09.14
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출력 단 회로2025.04.171. 실험 개요 1.1. 실험 목적 본 실험은 BJT를 이용하여 다양한 출력단 회로를 설계하고 그 특성을 분석하는 것이다. 구체적으로 Class-A, Class-B, Class-AB 출력단 회로를 구성하고 각각의 입출력 전압 관계, 전력 특성, 효율 등을 측정 및 시뮬레이션을 통해 비교 분석하고자 한다. 이를 통해 출력단 증폭기의 동작 원리와 특성을 이해하고자 한다. BJT 출력단 회로의 설계와 특성 분석을 위해 입력-출력 전압 관계, 전력 소모, 효율 등을 실험과 시뮬레이션을 통해 확인하였다. Class-A, Class-B, ...2025.04.17
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전자회로 텀프2025.04.201. 서론 전자회로 텀프 프로젝트는 전자회로 실험 및 설계 수업에서 배운 다양한 이론과 실습 내용을 종합적으로 적용하여 실제 작품을 제작하는 활동이다. 본 보고서에서는 세 개의 세부 주제인 '전자회로 실험', '전자 피아노', '오디오 믹서 회로 설계'를 통해 학습한 개념과 기술을 구현하고자 한다. 각 주제에서는 실험 준비와 과정, 관련 이론, 시뮬레이션과 실험 결과 분석 등을 상세히 설명할 것이다. 이를 통해 전자회로 설계에 대한 이해도를 높이고 실무 능력을 배양할 수 있을 것이다. 2. 전자회로 실험 2.1. 실험 부품 및 기...2025.04.20
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트랜지스터 MOSFET의 작동원리2025.04.251. 서론 1.1. CMOS 이미지 센서의 원리 CMOS 이미지 센서는 CMOS를 이용한 고체 촬상 소자이다. CMOS는 PMOS와 NMOS 트랜지스터를 가지고 구현하며, 이를 통해 저 전력을 실현할 수 있다. 따라서 CIS는 이러한 CMOS 기술을 이용한 화상 정보 감지기이다. CIS는 CMOS를 사용함으로써 수율이 매우 높고, 공정 개선이 용이하며 이미 다른 제품들에도 같이 사용되기 때문에 규모의 경제를 실현할 수 있다는 장점이 있다. 또한 CMOS의 특징 중 하나였던 전력 소모가 매우 작다는 점 또한 CIS의 장점이 된다. ...2025.04.25
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common emitter amplifier 주파수 특성 레포트써줘2025.05.021. 서론 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용되며, 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 교류와 직류 전압을 측정하고, 부하 동작과 무부하 동작 조건에서 전압 이득(Av), 입력 임피던스(Zi), 출력 임피던스(Zo)의 측정값을 구할 것이다. 이를 통해 공통 이미터 증폭기의 특성을 이해할 수 있다. [] 2. 실험 목적 공통 이미터 증폭기의 교류와 직류 전압 특성 분석 공통 이...2025.05.02
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bjt 귀환2025.05.061. 서 론 1.1. BJT의 개념 및 특성 BJT(Bipolar Junction Transistor)는 전자부품 중 하나로, 두 개의 PN 접합(기저, 이미터) 사이에 제3의 PN 접합(콜렉터)을 갖는 3단자 능동소자이다. BJT는 입력 전류의 변화에 따라 출력 전압이나 전류가 크게 증폭되는 특성을 갖고 있어, 증폭기, 스위칭 회로 등 다양한 전자회로에 널리 사용된다. BJT는 NPN형과 PNP형 두 가지 종류가 있는데, NPN형 BJT에서는 다수 캐리어가 전자이고 PNP형 BJT에서는 다수 캐리어가 정공이다. BJT 내부의...2025.05.06
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트랜지스터의 작동원리2025.06.051. 트랜지스터의 작동원리 1.1. 다이오드의 작동원리와 종류 다이오드는 진공관(또는 방전관) 다이오드와 반도체 다이오드가 있다. 진공관 다이오드는 양극(陽極:anode)이 음극(陰極:cathode)에 대하여 매우 큰 음전압(陰電壓)을 갖게 되면 전압파괴 현상이 일어나서 진공용기 속에서 공간을 통하여 방전을 일으키거나 용기의 벽(壁)을 따라 방전하며, 음극으로부터 방출된 열전자(熱電子)에 의한 전자전류가 흐르는 특성을 가지고 있다. 반도체 다이오드는 게르마늄이나 실리콘[비소]과 같은 반도체 결정표면에 텅스텐 또는 백금합금과 같은 ...2025.06.05
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조선대 메카트로닉스설계 기말고사 족보 모음2025.06.101. 조선대학교 메카트로닉스설계 기말고사 족보 1.1. 하모닉 드라이버 하모닉 드라이버는 금속의 탄성역학을 응용한 것이다. 하모닉 드라이버는 wave generator, flexspline, Circular spline으로 구성되어 있다. 하모닉 드라이버는 로봇용 감속기로 개발되었으며, 매우 큰 감속비(1/30-1/320)를 얻을 수 있다. 예를 들어 톱니수가 80개면 1/80의 감속비를 얻을 수 있다. 또한 하모닉 드라이버는 백래시(lost motion)가 없는 특징이 있다. 하모닉 드라이버는 금속의 탄성역학을 응용한 것으로,...2025.06.10
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예비보고서2024.09.101. 반도체의 기본 개념 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)보다는 낮고 애자, 유리 같은 부도체보다는 높은 물질이다. 반도체는 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 따라 전도도가 변화하는 특성을 가지고 있다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 첨가하여 만든다. 반도체는 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 제작하는데 사용된다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하지만, 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체와 도체와는 다른 특성을 가지고...2024.09.10
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