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수학탐구보고서2024.08.301. 지구자기장과 원환면의 수학적 탐구 1.1. 주제 선정 배경 및 목적 영어독해와 작문시간에 지구의 여러 가지 북극에 대한 지문을 배우다가 지문에서 언급 된 자북극이 무엇인지 고민을 하게 되었다. 다양한 인터넷 자료와 관련 서적들을 통해 알아보니 현재 우리가 배우고 있는 지구과학의 '가까워지는 우주'중 천체 단원과 관련이 있다는 사실을 알게 되었다. 지구과학 시간에 배웠던 내용을 바탕으로 조금 더 깊이 자북극에 대해 들어가 보니 지구를 하나의 자석으로 보았을 때 만들어지는 자기장을 발견하였다. 그 모양이 기하학적인 도형을 띄고 ...2024.08.30
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기초회로실험2024.09.251. 기초회로 실험 1.1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전류가 흐르는 도선에서 전압, 전류, 저항 간의 관계를 설명한 법칙이다. 옴의 법칙에 따르면 전류 I는 전압 V와 비례하고 저항 R과 반비례한다. 즉, V=IR의 관계가 성립한다. 이러한 옴의 법칙은 일반적인 도선에서 잘 성립하지만, 반도체나 초전도체와 같은 특수한 물질에서는 적용되지 않는다. 전압과 전류 사이의 관계가 복잡해지기 때문이다. 대표적인 예로 다이오드가 있는데, 다이오드는 순방향 바이어스에서는 옴의 법칙을 잘 따르지만 역방향 바이어스에서는 전류가 거의 흐르지 않는...2024.09.25
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이학전자실험2024.09.281. 트랜지스터의 동작 원리와 특성 1.1. 트랜지스터의 기본 구조 트랜지스터의 기본 구조는 다음과 같다. 트랜지스터는 크게 npn 트랜지스터와 pnp 트랜지스터의 두 종류가 있다. npn 트랜지스터는 n형 반도체, p형 반도체, n형 반도체가 차례로 접합된 구조이고, pnp 트랜지스터는 p형 반도체, n형 반도체, p형 반도체가 차례로 접합된 구조이다. 트랜지스터는 3개의 단자로 구성되어 있는데, 베이스(base), 컬렉터(collector), 이미터(emitter)가 그것이다. npn 트랜지스터에서 p형 반도체가 베이스 단...2024.09.28
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pt면접2024.09.271. 반도체 기초 1.1. 반도체의 정의 및 특성 반도체는 전기전도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서, 그 전기저항률이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물의 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 구분된다. 진성 반도체는 순도가 매우 높은 4족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 진성 반도체는 평상시에는 부도체와 같이 전자의 이동이 어려우나, 전기, 빛, 열 등의 자극을 받으면 공유결합을 하고 있던 소수의 전자가 튀어나와 자유전자가 되어 전류를 흐르게 한...2024.09.27
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광전자공학실험2 침입자2024.11.121. 침입자 경보기의 회로 1.1. 회로의 작동 원리 회로의 작동 원리는 다음과 같다" 1. 회로도에서 창문의 전선이 끊어졌을 때 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아진다. 이때 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울리게 된다. 2. 창문의 전선이 연결되어 있을 때는 검출 전선이 연결되어 있는 상태이다. 트랜지스터의 베이스 전압과 전지의 0V 사이에 검출 전선이 연결되어 베이스전압이 0V가 된다. 이에 따라 트랜지스터의 전위 장벽을 넘...2024.11.12
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에미터 공통 증폭기 회로 실험2024.10.151. 에미터 공통 증폭기 1.1. 에미터 공통 증폭기의 개요 에미터 공통 증폭기의 개요는 다음과 같다. 에미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 중에서 가장 널리 사용되는 것으로, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가지며 또한 높은 전압 이득과 전력 이득을 얻을 수 있다. 이는 트랜지스터의 높은 전류이득(β) 특성을 활용하여 달성되는 것이다. 에미터 공통 증폭기는 베이스-에미터 단자 사이에 입력 신호가 인가되고 컬렉터-에미터 단자 사이에 출력 신호가 얻어지는 구조이다. 이 구조에서 입력 신호의 변화는 트랜지스터의 콜렉터...2024.10.15
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전자공학실험 4장2024.10.151. BJT 기본 특성 1.1. 실험 개요 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT : Bipolar Junction Transistor)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 ...2024.10.15
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광전자공학 실험 전자회로 레포트2024.10.131. 침입자 경보기 1.1. 실험 개요 1.1.1. 실험 목적 침입자 경보기의 실험 목적은 "간단한 회로를 활용하여 침입자 경보기를 제작하고 사용된 부품들의 원리와 동작을 이해하는 것이다."라고 할 수 있다. 이 실험을 통해 트랜지스터의 작동 원리와 특성, 전압 및 전류의 흐름 등을 이해할 수 있다. 특히 NPN 트랜지스터의 동작 모드(평형, 활성, 차단, 포화) 및 베이스 전류와 콜렉터 전류의 관계를 학습할 수 있다. 또한 부저의 원리와 극성 등을 확인할 수 있다. 이러한 기본적인 전자 부품의 동작 원리를 이해하고 간단한...2024.10.13
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트렌지스터 증폭2024.11.111. 트랜지스터의 특성 1.1. 트랜지스터의 3가지 영역 트랜지스터의 3가지 영역은 차단영역, 활성영역, 포화영역이다. 차단영역에서는 트랜지스터 베이스-이미터 전압(VBE)이 0.6V 이하로 작아 트랜지스터가 차단되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서 콜렉터 전압(VCE)이 전원전압(VCC)에 가깝게 유지된다. 활성영역에서는 VBE가 약 0.6V 부근으로 증폭작용이 이루어진다. 이때 VCE는 일정한 범위 내에서 변한다. 포화영역에서는 VBE가 0.6V를 넘어 트랜지스터가 완전히 켜져 VCE가 거의 0V에 가깝게 된다. 이 영역에서 트...2024.11.11
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핵심이 보이는 전자회로 개정판2024.10.091. 반도체 개요 1.1. 반도체의 정의 전기가 반쯤 통하는 성질, 전기를 잘 통하지 않게 하는 이와 같은 것들을 부도체 또는 절연체라 하고, 전기를 잘 통하게 하는 양도체, 간단히 도체라고 한다. 그런데 이 세상에는 제작자의 의도에 의해 도체도 될 수 있고, 부도체도 될 수 있는 성질을 가진 것이 있는데 이것을 반도체라고 부른다. 반도체는 원하는 대로 저항의 크기를 조절하거나 빛을 내는 등 특별한 성능을 가질 수 있어, 전자 산업 발전의 핵심 역할을 하고 있다. 우리 주위의 모든 전자제품에는 반도체로 만든 조그마한 부품들이 들어...2024.10.09
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