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서강대학교 고급전자회로실험 레포트2024.10.051. MOSFET 바이어스 회로 및 차동 증폭기 1.1. 정전류원 회로 1.1.1. 전류 변화에 따른 바이어스 전압 측정 실험에서는 정전류원 회로에서 전류 변화에 따른 게이트 전압 VbG의 변화를 측정하였다. 정전류원 회로는 MOSFET에 일정한 전류를 공급하는 역할을 하며, 바이어스 회로의 기본 구성요소이다. 실험에서는 MOSFET의 드레인 전압 VX를 6V로 고정하고, 기준 저항 RREF를 50Ω에서 450Ω까지 변화시키면서 기준 전류 IREF를 측정하였다. 그 결과, IREF가 약 20mA가 되는 RREF 값은 200Ω인...2024.10.05
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sms결과보고서 작성하기2024.11.191. MOSFET 소스 팔로어와 MOSFET 다단 증폭기 1.1. 소스 팔로어의 이론 및 특성 소스 팔로어의 이론 및 특성은 다음과 같다. 소스 팔로어는 게이트와 드레인이 서로 연결되어 있는 MOSFET 회로로, 입력 전압이 출력 전압과 거의 동일하게 유지되는 특성을 가진다. 즉, 유효 전압 이득이 1에 가깝다. 소스 팔로어의 이론적인 전압 이득은 1/gm으로 계산된다. 여기서 gm은 트랜지스터의 전압 이득비로, 드레인 전류와 게이트-소스 전압의 비율을 나타낸다. 일반적으로 gm은 작은 값을 가지므로, 소스 팔로어의 전압 이...2024.11.19
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소신호 소스 공통2024.10.301. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험 1.1. 실험 개요 1.1.1. 실험 목적 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험의 목적은 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석하는 것이다. 구체적으로 이번 실험에서는 JFET이 아닌 MOSFET에 대한 원리와 이론 내용을 알아보도록 하겠다. 1.1.2. 실험 원리 1.1.2.1. 소신호 소스 공통 교류 증폭기 소신호 소스 공통 교류 증폭...2024.10.30
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저주파 통과 필터 회로 결과보고서2024.11.011. 실험 목적 및 이론 1.1. 실험 목적 1.1.1. OP-AMP를 이용한 필터회로의 동작원리 이해 OP-AMP를 이용한 필터회로는 능동 필터의 한 종류로, 연산증폭기(OP-AMP)와 저항 및 커패시터로 구성된다. OP-AMP의 특성인 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 활용하여 필터 특성을 구현한다. OP-AMP 필터회로는 입력신호를 OP-AMP의 (+)단자에 연결하고, (-)단자에는 적절한 RC 네트워크를 연결하여 구성한다. RC 네트워크는 주파수에 따른 임피던스 변화를 통해 필터 특성을 발생시킨다. 저역 ...2024.11.01
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PP^T2024.11.061. 연산 증폭기를 이용한 미분기와 적분기 1.1. 실험목적 연산 증폭기를 이용한 미분기와 적분기 실험의 목적은 다음과 같다. 첫째, 연산증폭기를 이용한 미적분기의 동작특성을 이해하는 것이다. 연산증폭기는 입력전압을 증폭하여 출력전압으로 나타내는 회로로, 이를 이용한 미분기와 적분기의 동작을 파악하고자 한다. 미분기는 입력전압을 미분하여 출력으로 내보내고, 적분기는 입력전압을 적분하여 출력으로 내보내는 특성을 지니고 있다. 이러한 연산증폭기 기반의 미분기와 적분기 회로의 동작 특성을 이해하는 것이 실험의 첫 번째 목적이다. 둘...2024.11.06
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소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 fet 교류증폭기 실험2024.11.061. 소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기 1.1. 실험 개요 소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기 실험의 개요는 다음과 같다. 본 실험에서는 소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고, 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 교류증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 실험적으로 분석하는 것을 목적으로 한다. 이번 실험에서는 JFET 대신 MOSFET에 대한 원리와 이론 내용을 중점적으로 다루도록 한다. 1.2. 실험원리 1....2024.11.06
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트렌지스터 증폭2024.11.111. 트랜지스터의 특성 1.1. 트랜지스터의 3가지 영역 트랜지스터의 3가지 영역은 차단영역, 활성영역, 포화영역이다. 차단영역에서는 트랜지스터 베이스-이미터 전압(VBE)이 0.6V 이하로 작아 트랜지스터가 차단되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서 콜렉터 전압(VCE)이 전원전압(VCC)에 가깝게 유지된다. 활성영역에서는 VBE가 약 0.6V 부근으로 증폭작용이 이루어진다. 이때 VCE는 일정한 범위 내에서 변한다. 포화영역에서는 VBE가 0.6V를 넘어 트랜지스터가 완전히 켜져 VCE가 거의 0V에 가깝게 된다. 이 영역에서 트...2024.11.11
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J-fet 증폭기2024.11.111. FET 증폭기 1.1. 결과 1.1.1. 회로실험 결과 회로실험 결과는 다음과 같다. 표24-1에 나타난 바와 같이 입력전압이 97.65 mV일 때 출력전압이 395.14 mV로, 전압이득(Av)은 4.04 [V/V]로 측정되었다. 표24-2를 통해 부하저항 RD가 4.7 kΩ일 때 출력전압이 711.99 mV로, 전압이득(Av)이 7.29 [V/V]임을 확인하였다. 또한 RD가 680 Ω일 때 출력전압은 128.77 mV이고 전압이득(Av)은 1.31 [V/V]로 나타났다. 표24-3에서는 게이트 저항 RG가 1...2024.11.11
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교류증폭기의 주파수 응답특성2024.10.251. 교류증폭기의 주파수 응답특성 1.1. 실험 목적 캐패시터 결합 교류증폭기의 전압이득과 위상지연이 저주파 영역 및 고주파 영역에서 어떤 영향을 받는지 실험을 통해 고찰하는 것이 이 실험의 목적이다. 저주파 영역에서는 결합 및 바이패스 캐패시터들의 영향으로 인해 증폭기의 주파수 응답이 변화하고, 고주파 영역에서는 트랜지스터의 내부 기생 캐패시턴스가 주파수 응답에 영향을 미치기 때문이다. 따라서 이 실험을 통해 교류증폭기의 전체 주파수 응답 특성을 파악할 수 있을 것이다. 1.2. 이론 1.2.1. 교류증폭기의 주파수 응답 1...2024.10.25
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소오스 팔로워2024.10.281. 소오스 팔로워 증폭기 1.1. 실험 개요 이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 하나인 소오스 팔로워 증폭기에 대해 실험하고자 한다. 소오스 팔로워 증폭기는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는데 자주 사용되는 회로이다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 특히 소오스 팔로워의 전압 이득이 1에 가깝다는 특성을 확인하고, 이를 전압 버퍼로써 활용하는 방법에 대해 알아볼 예정이다. 1.2. 실험 기자재 ...2024.10.28
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