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반도체 공정 장비2024.10.191. 반도체 공정 개요 1.1. 반도체 제조 공정의 이해 반도체 제조 공정의 이해는 복잡한 반도체 소자 생산 과정을 이해하는 데 필수적이다. 반도체 제조 공정은 크게 전공정과 후공정으로 나누어지며, 전공정에는 웨이퍼 준비, 산화, 노광, 식각, 증착 및 이온주입, 배선 공정 등이 포함된다. 먼저, 웨이퍼 준비 공정에서는 실리콘 잉곳을 얇게 슬라이싱하여 원형의 웨이퍼 기판을 만든다. 이후 세척 및 화학적 처리를 통해 웨이퍼의 표면을 깨끗하고 균일하게 준비한다. 다음으로 산화 공정에서는 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막(SiO2)을...2024.10.19
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반도체 최신동향2024.10.301. 반도체 기술 동향 1.1. 실리콘 IC 공정 1.1.1. MOS 오늘날 대부분의 반도체 제품은 디지털 특성을 가지고 있으며 CMOS(complementary metal oxide semiconductor)로 생산된다. CMOS는 비교적 낮은 전력소모와 대량생산에서 기인한 저가격 등의 장점을 지닌다. CMOS는 셀룰러폰이나 기타 무선 제품 내의 기저대역 처리 기능에 독점적으로 사용되고 있다. CMOS 기술의 핵심은 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터이다. MOS 트랜지스터는 금속-절연체-반도체...2024.10.30
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실리콘 집적회로 공정기술2024.10.161. 반도체 기본 공정 기술 1.1. 웨이퍼 웨이퍼는 반도체 직접 회로를 만드는 주요재료로 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게 썬 원판모양의 판을 말한다. 대부분의 웨이퍼는 실리콘으로 만들어지며, 실리콘은 안정적으로 얻을 수 있는 재료이고 환경적으로 우수한 장점이 있다. 실리콘은 원가가 저렴하고 특성이 우수하며 열에도 강하다. 하지만 고출력이 필요한 전력 반도체의 경우 실리콘만으로는 출력이 부족하거나 반도체의 크기가 너무 커질 수 있기 때문에 탄화규소 또는...2024.10.16
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광운대2024.09.211. 반도체 공정 1.1. Front End Process 1.1.1. 웨이퍼 및 재료 실리콘 웨이퍼 기판은 반도체 공정에서 가장 기본적이고 중요한 재료로, 트랜지스터와 메모리 소자 등을 제작하는 기반이 된다. 반도체 산업의 발전과 더불어 웨이퍼의 크기와 집적도가 지속적으로 증가해 왔다. 2000년대 초반까지는 200mm 웨이퍼가 주로 사용되었으나, 현재는 300mm 웨이퍼가 가장 보편적이며 450mm 웨이퍼 개발도 진행되고 있다. 웨이퍼의 기본 제조 방식은 Czochralski (CZ) 방법으로, 고순도 실리콘 잉곳을 성장...2024.09.21
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반도체 공정 수율 개선2024.09.021. 반도체 제조 공정의 이해 1.1. 웨이퍼 공정 1.1.1. 웨이퍼 제조 및 특징 웨이퍼는 반도체 제조에 사용되는 얇고 원반 형태의 실리콘 기판이다. 웨이퍼는 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 여러 단계의 가공 과정을 거쳐 생산된다. 먼저 고순도의 실리콘 원료를 용융시켜 단결정 실리콘 잉곳을 제조한다. 이 잉곳은 지름이 약 30cm에 달하며 길이가 1미터까지 도달한다. 그 다음으로 잉곳을 절단하여 원형의 웨이퍼 형태로 만들어낸다. 잉곳 절단 시 최대한 얇게 자르는 것이 중요한데, 이는 웨이퍼의 가공성과 직결되기 때문이다....2024.09.02
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