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반도체 공정2024.10.201. 반도체 제조 공정 개요 1.1. 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조 공정은 반도체 제품 생산의 첫 번째 단계로, 실리콘을 단결정으로 성장시켜 얇게 슬라이싱한 웨이퍼를 제작하는 과정이다. 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등의 반도체 물질을 단결정 기둥(ingot)으로 성장시킨 뒤, 적당한 두께로 얇게 절단한 원판을 말한다. 실리콘을 사용하는 이유는 자연계에서 흔하게 발견되고, 경제적으로 저렴하며, 인체에 무해하기 때문이다. 이러한 웨이퍼 제조 공정은 크게 폴리실리콘 잉곳 제조, 웨이퍼 슬라이싱, 웨이퍼 표면...2024.10.20
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반도체 공정 장비2024.10.191. 반도체 공정 개요 1.1. 반도체 제조 공정의 이해 반도체 제조 공정의 이해는 복잡한 반도체 소자 생산 과정을 이해하는 데 필수적이다. 반도체 제조 공정은 크게 전공정과 후공정으로 나누어지며, 전공정에는 웨이퍼 준비, 산화, 노광, 식각, 증착 및 이온주입, 배선 공정 등이 포함된다. 먼저, 웨이퍼 준비 공정에서는 실리콘 잉곳을 얇게 슬라이싱하여 원형의 웨이퍼 기판을 만든다. 이후 세척 및 화학적 처리를 통해 웨이퍼의 표면을 깨끗하고 균일하게 준비한다. 다음으로 산화 공정에서는 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막(SiO2)을...2024.10.19
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반도체 최신동향2024.10.301. 반도체 기술 동향 1.1. 실리콘 IC 공정 1.1.1. MOS 오늘날 대부분의 반도체 제품은 디지털 특성을 가지고 있으며 CMOS(complementary metal oxide semiconductor)로 생산된다. CMOS는 비교적 낮은 전력소모와 대량생산에서 기인한 저가격 등의 장점을 지닌다. CMOS는 셀룰러폰이나 기타 무선 제품 내의 기저대역 처리 기능에 독점적으로 사용되고 있다. CMOS 기술의 핵심은 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터이다. MOS 트랜지스터는 금속-절연체-반도체...2024.10.30
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반도체공정실습2024.11.071. 반도체 공정 실습 1.1. 웨이퍼 준비 1.1.1. 웨이퍼의 종류 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)로 나뉜다. 채널의 종류, 도핑 타입, 도핑 농도에 따라 저항 특성이 달라지며 결정 방향에 따라 면밀도 차이로 인해 특성이 변화한다. 예를 들어 (1 1 1) 방향의 웨이퍼는 (0 0 1) 방향에 비해 면밀도가 더 높아 전자의 이동도가 좋다. 이처럼 웨이퍼의 결정 방향은 소자의 성능에 중요한 영향을 미치므로, 공정 시 이를 고려해야 한다. 1.1.2. 웨이퍼 클리닝 공정 웨이퍼 클...2024.11.07
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실리콘 집적회로 공정기술2024.10.161. 반도체 기본 공정 기술 1.1. 웨이퍼 웨이퍼는 반도체 직접 회로를 만드는 주요재료로 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게 썬 원판모양의 판을 말한다. 대부분의 웨이퍼는 실리콘으로 만들어지며, 실리콘은 안정적으로 얻을 수 있는 재료이고 환경적으로 우수한 장점이 있다. 실리콘은 원가가 저렴하고 특성이 우수하며 열에도 강하다. 하지만 고출력이 필요한 전력 반도체의 경우 실리콘만으로는 출력이 부족하거나 반도체의 크기가 너무 커질 수 있기 때문에 탄화규소 또는...2024.10.16
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