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인천대 축전기2024.10.241. 개요 1.1. 실험 목적 축전기의 양단에 인가되는 전압에 따라 그 충전량이 변하는 것을 실험으로 확인하고 축전기의 용량 시상수(Capacitive time constant)가 어떠한 조건에 따라 달라지는지 확인하는 것이 이번 실험의 목적이다. 1.2. 실험 개요 축전기의 양단에 인가되는 전압에 따라 그 충전량이 변하는 것을 실험으로 확인하고, 축전기의 용량 시상수(Capacitive time constant)가 어떠한 조건에 따라 달라지는지 확인하는 것이 실험의 개요이다. 구체적으로는 축전기의 양단에 인가되는 전압과 충전량의...2024.10.24
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반도체공정설계2024.10.081. MOSFET 설계 1.1. 개요 본 설계의 중점은 공정변수에 따라 소자의 특성변화를 확인하는 것이 아닌 공정변수를 바꿈으로써 소자의 특성을 최적화 하는 것을 중점으로 하였다. 이때 기준으로 잡은 소자의 특성은 수업시간에 했던 LDD 구조를 갖는 n-채널 MOSFET이다. MOSFET의 특성을 비교할 수 있는 대표적인 것은 드레인 전류와 문턱전압으로 드레인 전류가 높아질수록, 문턱전압이 낮아질수록 소자특성이 좋아짐을 의미한다. 그에 따라 드레인 전류를 높이기 위해 채널길이와 high doping 양을 공정변수로 잡았고 문턱전압...2024.10.08
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고체저항과 액체저항2024.11.041. 개요 1.1. 실험 목적 실험의 목적은 전기 회로에서 사용되는 고체저항의 색깔 띠별 표시 저항값과 실험을 통해 측정한 저항값이 일치하는지 확인하고, 소금물을 이용한 액체저항과 소금 농도의 관계를 알아보며, 액체저항과 고체저항, 다이오드 간의 유사점과 차이점을 규명하는 것이다." 1.2. 실험 내용 및 배경 실험 내용 및 배경은 다음과 같다. 이번 실험의 목적은 고체저항과 액체저항의 특성을 이해하고, 소금물의 농도와 액체저항 사이의 관계를 알아보며, 고체저항, 액체저항, 다이오드 간의 유사점과 차이점을 규명하는 것이다. ...2024.11.04
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TCAD2024.11.301. 서론 1.1. 구성 요소 구성 요소는 목표 설정, 분석, 설계, 평가로 이루어져 있다. 목표 설정에서는 NMOS 구조를 설계하여 VD=0.1V일 때 Vth값을 5V로 도출해내고, VD=1V일 때 ID> 5X10^-5가 되도록 설계하는 것이다. 분석에서는 Substrate Doping Concentration, Source/Drain Doping Profile, Oxide 두께, Gate 선폭을 설계 변수로 두어 NMOS의 특성 및 목표에 부합하는 최적화된 변수를 선출하여 분석한다. 설계에서는 T-CAD 시뮬레이션인...2024.11.30
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반도체 다이오드의 특성2024.12.011. 반도체 다이오드의 특성 1.1. 다이오드의 순방향 및 역방향 특성 다이오드의 순방향 및 역방향 특성은 다음과 같다. 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체가 접합된 소자로, 전류가 한 방향으로만 흐르는 정류 작용을 하는 특성이 있다. 순방향 바이어스의 경우, p형 반도체 쪽의 정공과 n형 반도체 쪽의 전자가 접합면으로 이동하여 전류가 잘 흐르게 된다. 반면에 역방향 바이어스의 경우, p형과 n형 반도체 사이에 결핍층이 생겨 전류의 흐름이 차단된다. 순방향으로 전압을 가하면, 문턱전압을 넘어서면 전류가 급격히 증가한다. 실리...2024.12.01
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기초회로실험 5. 직렬및2025.04.011. 실험 목적 직렬 및 병렬 다이오드 구조 실험의 목적은 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정하는 것이다. 직렬 회로에서는 전류가 흐르는 길이 하나이므로 회로 상에 흐르는 전류는 일정하다. 하지만 각 저항 당 걸리는 전압 값이 다르다. 저항이 클수록 전압이 커지며, 전압과 저항은 비례한다. 병렬 회로에서는 전류가 흐르는 길이 나뉘지만 저항을 통과하기 위해 가해지는 전압은 일정하다. 하지만 저항 값이 다르므로 전압이 가해지면 전류의 값 역시 달라진다. 전압이 같기 때...2025.04.01
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