총 16개
-
mosfet2024.09.091. MOSFET 개요 1.1. MOSFET 정의 MOSFET은 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 약자로, 전계 효과를 이용하여 전류를 조절할 수 있는 전자 소자이다. MOSFET은 게이트(Gate), 소스(Source), 드레인(Drain), 그리고 기판(Substrate)의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압에 따라 소스와 드레인 사이의 전류를 조절할 수 있는 특성을 가진다. MOSFET은 다양한 전자 회로에서 증폭기, 스위치...2024.09.09
-
반도체공정2024.09.281. 반도체 공정 개요 1.1. 웨이퍼 제조 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 자른 원판이다. 이 중에서도 실리콘(Si)을 주로 사용하는데, 그 이유는 실리콘이 자연계에서 흔하고 경제적이며 인체에 무해하기 때문이다. 실리콘 웨이퍼를 제조하는 과정은 다음과 같다. 먼저 폴리실리콘(Poly Silicon)이라는 실리콘 원료를 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만든다. 이를 초크랄스키(Czochralski, CZ) 방식으로 단결정 기둥인 잉곳(Ingot)...2024.09.28
-
기초회로실험 결과보고서2024.09.251. 기초회로 실험 1.1. 실험 목적 이 실험의 목적은 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인하는 것이다. 또한, 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 키르히호프의 법칙을 실험적으로 확인하는 것이다. 즉, 이 실험을 통해 옴의 법칙, 다이오드의 전기적 특성, 키르히호프의 법칙 등 기초 전기회로에 대한 이해를 높이고자 하는 것이 실험의 주된 목적이라 할 수 있다. 1.2. 관련 이론 1.2.1....2024.09.25
-
인천대 물리실험 정류실험2024.11.181. 정류회로 실험 1.1. 다이오드 특성 실험 1.1.1. 다이오드와 저항기 연결 다이오드와 저항기 연결 실험에서는 1k Ω 저항기와 다이오드를 이용한 직렬회로를 구성하여 동작 특성을 확인하였다. 이때 채널 A에는 다이오드에 걸리는 전압을, 채널 B에는 저항기에 걸리는 전압을 각각 연결하였다. Scope를 이용하여 Output Voltage, 저항기 전압, 다이오드 전압을 확인한 결과, 진폭이 가장 큰 순서대로 Output Voltage, 저항기 전압, 다이오드 전압이었다. 이는 다이오드에 걸리는 문턱전압(약 0.654 V)...2024.11.18
-
MOSFET 증가형2024.11.121. 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 1.1. 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호는 다음과 같다. 증가형 MOSFET는 p형 기판 위에 제조되는데, 여기서 p형 기판은 소자(집적 회로인 경우에는 모든 회로)의 지지대 역할을 하는 단결정 실리콘 웨이퍼이다. 고농도로 도핑된 두 개의 n영역이 기판에 만들어져 있는데, 이 영역이 소스(source)와 드레인(drain) 영역이다. 기판의 표면 위에는 전기적인 절연 특성이 양호한 얇은 이산화 실리콘(SiO2) 층이 ...2024.11.12
-
전자회로실험 13장2024.11.041. JFET 바이어스 회로 조 1.1. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로는 게이트-소스 전압(Vgs)이 독립적인 직류 전원에 의해 결정되는 경우를 말한다. 즉, Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 Shockley 방정식으로 표현되는 전달 특성곡선과 만나게 된다. 고정 바이어스 회로에서는 Vgs가 독립된 직류 전원에 의해 결정된다. 따라서 Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 전달 특성곡선과 만나게 된다. 이렇게 만나는 지점이 JFET의 직류 동작점이 된다. 고정 바이어스 회로의 경우, Vgs가 일정하게 유지되기 때문에 ...2024.11.04
-
기초회로실험 보고서2024.10.131. 기초회로 실험 1.1. 실험 목적 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인하는 것이 실험의 목적이다. 또한, 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 키르히호프의 법칙을 실험적으로 확인하는 것이 이번 실험의 목적이다. 1.2. 실험 방법 1.2.1. 옴의 법칙 실험 옴의 법칙 실험은 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하는 실험이다. 실험 방...2024.10.13
-
기초회로실험2025.03.201. 기초회로실험 1.1. 실험 목적 전압을 변화시켜 옴의 법칙이 성립하는지 확인하고, 반도체 다이오드의 순방향과 역방향 특성을 측정하여 그 특성을 확인하며, Kirchhoff 법칙을 이용하여 여러 개의 저항과 전압이 연결된 회로를 분석하는 것이 이번 기초회로실험의 목적이다. 제공된 문서를 토대로 옴의 법칙과 다이오드의 순방향 및 역방향 특성, Kirchhoff 법칙을 실험을 통해 확인하였다. 실험을 통해 전압이 변화함에 따라 전류가 변화하는 옴의 법칙이 성립함을 확인하였고, 다이오드의 경우 순방향으로는 전류가 잘 흐르지만 역방...2025.03.20
-
Tcad2025.01.301. 서론 1.1. TCAD 시뮬레이션 TCAD 시뮬레이션은 반도체 공정·소자 현상에 대한 모델링을 기반으로 제품의 특성을 예측하는 기반기술로, 새로운 반도체를 만들 때 생산라인에 적용하기 전에 시뮬레이션을 돌려 미리 확인할 수 있다. 본 연구에서는 TCAD 시뮬레이션을 활용하여 PN junction 다이오드의 특성을 분석하였다. 먼저 온도에 따른 PN junction 다이오드 특성 변화를 확인하였다. 온도가 높을수록 다이오드의 문턱전압이 낮아지는 것을 확인하였는데, 이는 열전압의 감소에 따른 것이다. 또한 Germanium(G...2025.01.30
-
전자회로설계실습 opamp2025.03.051. 서론 1.1. 실험 목적 R_{L}=100 Ω, R_{bias}=1k Ω, V_{cc}=12V인 경우, Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험한다. 이를 통해 Push-Pull 증폭기의 설계 시 고려해야 할 사항들을 파악할 수 있다. Classic Push-Pull Amplifier 회로에 대해 시뮬레이션을 수행하여 입출력 Transfer Characteristic 특성을 분석한다. 그 결과 입력전압의 절대값이 특...2025.03.05
1 / 2
