소개글
"hall effect"에 대한 내용입니다.
목차
1. Hall Effect 실험
1.1. 실험 목적
1.2. Hall Effect의 원리
1.2.1. 반도체의 종류
1.2.2. 전하 운반자
1.2.3. 로렌츠 힘과 플레밍의 법칙
1.2.4. 홀 효과와 홀 계수
1.3. 실험 방법
1.4. 실험 결과 및 분석
1.4.1. 실험 데이터
1.4.2. 실험 고찰
2. 참고 문헌
본문내용
1. Hall Effect 실험
1.1. 실험 목적
Negative Type과 Positive Type의 홀 전압을 측정하여 Hall mobility, Carrier concentration, Hall coefficient의 값을 직접 구해봄으로써 N-type과 P-type의 차이점을 살펴보고 Hall effect의 원리를 이해하는 것이 이번 실험의 목적이다. 반도체의 종류에는 N-type과 P-type이 있는데, N-type의 경우 전하 운반자가 자유 전자인 반면 P-type은 양공이 전하를 운반한다. 자기장에 놓인 고체에 자기장의 방향과 수직인 전류가 흐를 시 고체 내부에 전기장이 형성되는 홀 효과는 전자 이동도, 자기장, 전하 운반자 밀도 등을 측정할 때 유용하게 활용된다. 따라서 이번 실험을 통해 N-type과 P-type 반도체의 홀 전압 측정 결과를 바탕으로 각 반도체의 특징과 차이점을 알아보고자 한다.
1.2. Hall Effect의 원리
1.2.1. 반도체의 종류
반도체는 도체와 부도체의 중간적인 성질을 가지는 물질로, 전기적 성질이 외부 조건에 따라 변화할 수 있다. 반도체의 종류에는 크게 내인성 반도체(intrinsic semiconductor)와 외인성 반도체(extrinsic semiconductor)가 있다.
내인성 반도체는 순수한 반도체 물질로 이루어져 있으며, 전자와 정공의 농도가 같다. 대표적으로 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)이 있다. 이들 물질은 열이나 빛 에너지에 의해 전자가 원자가 띠에서 전도 띠로 여기되어 전기가 흐를 수 있게 된다.
외인성 반도체는 불순물을 첨가하여 전하 운반자의 종류와 농도를 조절한 반도체이다. 외인성 반도체는 다시 n형 반도체와 p형 반도체로 구분된다. n형 반도체는 반도체 물질에 5족 원소(예: 인, 비소 등)를 첨가하여 전자가 과잉으로 존재하는 반도체이고, p형 반도체는 3족 원소(예: 붕소, 인듐 등)를 첨가하여 정공이 과잉으로 존재하는 반도체이다. n형 반도체에서는 전자가 다수 운반자이고, p형 반도체에서는 정공이 다수 운반자이다.
외...
참고 자료
CLARLES KITTEL, Introduction to Solid State Physics, TEXTBOOKS
WILLIAM D. CALLISTER, JR, 재료과학과 공학, WILEY
Alan Giambattista, 대학물리학, Mc Graw hill
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WILLIAM D. CALLISTER, JR, 재료과학과 공학, WILEY
R.S. Popovic, Hall Effect Devices, IOP
Daniel R. Bès, Quantum Mechanics: A Modern and Concise Introductory Course, Springer
