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TR 2N3904를 이용한 TR output 특성

실험 제목 : TR 2N3904를 이용한 TR output 특성1. 실험목적2N3904를 이용해 회로를 구성하여 출력특성곡선을 나타내고I _{B} 와V _{BE} 의 관계를 이해한다.2. 실험?실습 사용기기 및 재료① TR 2N3904(General Purpose Transister)② 탄소피막저항(100[㏀] 1/4[W] J(5%), 100[Ω] 1/4[W] J(5%))③ 가변저항 10[㏀] (AS0315) 2개④ 브레드보드(WISH BOARD no.28)⑤ 직류전원장치(DIGITAL 사 DRP-303D 50/60[Hz])⑥ 점프선⑦ 디지털 멀티미터(MASTECH 사 my68 AUTO-RANGE DDM)3. 실험 실습 관련이론[TR 2N3904] [TR 2N3904 핀아웃]2N3904는 범용 저전력 증폭 또는 스위칭 어플리케이션에 사용되는 일반적인 NPN 바이폴라 접합 트 렌지스터이다. 2N3904의 타입은 motorola semiconductor에 의해 1960년 중반에 상호 보완적인 PNP 2N3906과 함께 등록되었으며 플라스틱 TO-92 케이스가 금속 캔을 대신하여 상당한 성능과 비용 개선 을 나타냈다. 이것은 저전류 및 전력, 중간 전압으로 설계되었으며 중간 속도로 작동할 수 있다.2N3904는 가격이 저렴하고, 널리 사용할 수 있으며 실험장치 및 전자취미 활동가들이 사용할 수 있을 만큼 충분히 튼튼하다. 리드가 아래쪽을 가리키도록 한 상태에서 평평한 쪽을 볼 때, 아래에서 나오는 세 개의 와이어가 왼쪽에서부터 오른쪽으로 이미터, 베이스, 콜렉터 이다. 일부 제조업체는 금형 부품에 “EBD”를 표시하지만, 모든 제조업체는 “2N3904”인 부품에 대해 이러한 연결부를 반드시 가져야 한다.2N3904는 10[mA]의 콜렉터 전류에서 100의 최소 베타 또는 전류이득을 갖는 300[mA]의 전이 주파수를 갖는 200[mA], 40[V], 625[mW] 트렌지스터 이다.4. 실험순서 및 방법(1) 지급된 재료를 사용하여 [그림 1]의 회로를 구성한다.[그림 1] 실험회로(2) 직류전원장치를 24[V]로 맞춘 후I _{B} 의 전류값을 R1가변저항을 조절하면서 0[㎂]로 맞추고V _{BB} 를 디지털 멀티미터로 측정하여 기록한다.(3) 실험 결과표에 나와있는V _{CE}의 값을 R2가변저항을 조절하면서 맞춘 후V _{CC},V _{RB},I _{C},V _{RC} 값을측정한 후 표에 기록하고 이론치를 계산해서 기록한다.(4)I _{B} 를 각각 10[㎂], 20[㎂], 30[㎂], 40[㎂], 50[㎂]로 맞추고 (2)~(3)번을 반복한다.(5) 디지털 멀티미터를 이용하여 2N3904의 증폭률을 측정한다.5. 실험 결과 및 분석-V _{BB} `=`0[V]``,``I _{B} =`0[㎂]측정V _{CE}[V]12631.510.50.40.30.20.10측정V _{CC}[V]12.36.043.041.490.9590.5410.430.2960.1870.090이론V _{RB}[V]00000000000측정V _{RB}[㎷]0.20.20.20.20.20.20.20.20.20.20이론I _{C}[㎃]00000000000측정I _{C}[㎂]0.10.10.10.10.10.10.10.10.10.10이론V _{RC}[V]00000000000측정V _{RC}[㎷]0.10.10.10.10.10.10.10.10.10.10이론I _{B}[㎃]00000000000이론 β*************00*************00100측정 β3*************03*************0340-V _{BB} `=`1.683[V]``,``I _{B} =`10[㎂]측정V _{CE}[V]12631.510.50.40.30.20.10측정V _{CC}[V]12.36.463.471.8601.3880.8610.7820.6530.5250.2270.0023이론V _{RB}[V]11111111111측정V _{RB}[V]1.0301.0271.091.0821.0801.0801.0801.0801.0861.111.2이론I _{C}[㎃]11111111110측정I _{C}[㎃]3.63.473.583.513.493.463.463.443.231.190이론V _{RC}[V]11111111110측정V _{RC}[V]0.3600.3470.3530.3480.3440.3420.3400.3390.3190.1170이론I _{B}[㎂]*************010101010이론 β*************00*************00100측정 β3*************03*************0340-V _{BB} `=`2.59[V]``,``I _{B} =`20[㎂]측정V _{CE}[V]12631.510.50.40.30.20.10측정V _{CC}[V]13.026.643.842.171.691.1331.0050.9100.7520.2920이론V _{RB}[V]22222222222측정V _{RB}[V]1.91.891.8861.8821.8801.8791.8791.8781.8801.91.889이론I _{C}[㎃]22222222220측정I _{C}[㎃]7.06.526.336.176.126.046.005.925.441.880이론V _{RC}[V]22222222220측정V _{RC}[V]0.70.6440.6290.6110.6050.5960.5930.5850.5370.1860이론I _{B}[㎂]*************020202020이론 β*************00*************00100측정 β3*************03*************0340-V _{BB} `=`3.78[V]``,``I _{B} =`30[㎂]측정V _{CE}[V]12631.510.50.40.30.20.10측정V _{CC}[V]13.17.134.162.551.9921.4521.3431.1970.9540.4040이론V _{RB}[V]33333333333측정V _{RB}[V]3.143.103.083.083.083.083.083.083.083.113.19이론I _{C}[㎃]33333333330측정I _{C}[㎃]11.7810.7310.279.959.829.629.429.027.723.010이론V _{RC}[V]33333333330측정V _{RC}[V]1.1891.0731.0160.9850.9720.9490.930.890.7620.2970이론I _{B}[㎂]*************030303030이론 β*************00*************00100측정 β3*************03*************0340-V _{BB} `=`4.82[V]``,``I _{B} =`40[㎂]측정V _{CE}[V]12631.510.50.40.30.20.10측정V _{CC}[V]13.77.964.552.962.341.7971.5821.4431.2390.5050이론V _{RB}[V]44444444444측정V _{RB}[V]4.194.154.134.124.114.114.114.104.104.0884.10이론I _{C}[㎃]44444444440측정I _{C}[㎃]16.4416.1213.913.1513.0012.6512.0011.4210.384.010이론V _{RC}[V]44444444440측정V _{RC}[V]1.661.5171.3831.3071.2841.2451.1821.1271.0220.3960이론I _{B}[㎂]4040404040404040404040이론 β*************00*************00100측정 β3*************03*************0340-V _{BB} `=`5.82[V]``,``I _{B} =`50[㎂]측정V _{CE}[V]12631.510.50.40.30.20.10측정V _{CC}[V]13.788.135.153.352.582.031.8251.6221.4720.5340이론V _{RB}[V]55555555555측정V _{RB}[V]5.165.145.125.115.105.105.095.105.105.135.11이론I _{C}[㎃]55555555550측정I _{C}[㎃]20.2618.9217.4916.6016.1015.0114.3213.4312.604.330이론V _{RC}[V]55555555550측정V _{RC}[V]1.9401.8841.7361.6451.5871.4751.4091.3221.2400.4280이론I _{B}[㎂]5050505050505050505050이론 β*************00*************00100측정 β3*************03*************0340·I _{B} = {V _{RB}} over {R _{B}}·I _{C} = beta I _{B}·V _{RC} =I _{C} R _{C}[2N3904 출력특성곡선]I _{B}가 0일 때는 그래프가 관찰되지 않았고 측정값도 측정되지 않았다.표에 제시된I _{B}=10[㎂]부터 측정값을 볼 수 있었는데 표에는V _{CE}가 0.1[V]에서 0.2[V]로 올라갈 때I _{C}값이 급격하게 올라갔고 0.4[V] 이후의 측정값은 조금씩 올라가는 것을 관찰할 수 있었다.I _{B}값이 높을수록 y축(I _{C})의 높이가 높아졌다.[DMM을 이용하여 2N3904의 증폭률을 측정한 값]데이터시트에서 2N3904의 증폭률의 최대값은 300[hFE] 이다. 그러나 디지털 멀티미터를 이용한 측정값은 데이터시트값보다 좀 더 높은 337[hFE]가 측정이 됐다.

공학/기술| 2019.09.30| 5페이지| 1,000원| 조회(115)

전자, 전기, 전자회로실험, 전기전자, 전기전자실험

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공통 컬렉터 증폭기(이미터 플로어)

실험 제목 : 공통 컬렉터 증폭기(이미터 플로어)1. 실험목적2N3904를 이용해 공통 컬렉터 증폭기(이미터 플로어)를 구성하여 출력파형을 관측하고 이해한다.2. 실험?실습 사용기기 및 재료① TR 2N3904(General Purpose Transister)② 탄소피막저항(68[Ω] 1/4[W] J(5%), 100[Ω] 1/4[W] J(5%), 1[㏀] 1/4[W] J(5%) 2개, 22[㏀] 1/4[W] J(5%), 27[㏀] 1/4[W] J(5%) )③ 전해콘덴서(EC 25[V] 2.2[㎌] , EC 25[V] 100[㎌])④ 브레드보드(WISH BOARD no.28)⑤ 직류전원장치(DIGITAL 사 DRP-303D 50/60[Hz])⑥ 점프선⑦ 디지털 멀티미터(MASTECH 사 my68 AUTO-RANGE DDM)⑧ 오실로스코프(Protek 5202E 200MHz 1GS/s)⑨ 함수발생기(RIGOL DG1022 2Channel 20MHz 100MSa/s)3. 실험 실습 관련이론[CC 증폭기]3.1 공통 컬렉터 증폭기· 컬렉터를 입출력 단자에 공통(교류 접지)으로 한 BJT 소신호 증폭기- 입력은 베이스를 통하고, 출력은 이미터 단자에서 얻어짐· 공통 컬렉터 구조는 이미터 플로어 라도도 한다.- 베이스 입력 전압의 변화가 곧바로 이미터 출력 전압에 그대로 전달되므로 이에 따라, 이미터 플로워 라고 불린다.3.1.1 공통 컬렉터 증폭기의 특징· 입출력 파형이 일치한다.- 입력이 증가/감소 하면, 출력도 증가/감소 (즉, 입력 및 출력 전압 변화가 같은 방향을 따름)· 전압이득A _{v} ` image `1 - 양수(+)이나 1 보다는 작음 (0 PREC A _{v} LEQ 1)- 1을 넘지 않는 전압이득을 가지므로, 전압 증폭기로써는 쓰이지 않으나, 회로 출력단에서 부하 구동기로 쓰임새가 있다.· 높은 입력 임피던스, 작은 출력 임피던스를 갖음- 증폭기 출력과 많은 전류를 필요로 하는 작은 저항의 부하 간에 구동기로 사용하면 유용· 전류 이득A _{i} `=`( beta +1) SUCC 1· 전력 이득A _{p} =A _{v} A _{i} `=` beta +1>13.1.2 공통 컬렉터 증폭기의 주요 용도· 소신호 증폭기, 대신호 증폭기 모두에 사용 가능- 보편적인 A급 증폭기 형태에 많이 쓰임4. 실험순서 및 방법(1) 지급된 재료를 사용하여 [그림 1]의 회로를 구성한다.[그림 1] 실험회로(2) 직류전원장치를 15[V]로 맞춘 후 함수발생기도 7V _{p-p}로 맟추고 5[㎑]로 맞춘다.(3) 오실로스코프로 입력파형과 출력파형을 관측하고 츨력파형의 일그러짐을 관측한 후V _{B} ,V _{E} , 의 전압값을 디지털 멀티미터로 측정하고 계산값을 표1에 기록한다.(4)I _{E},r _{e} '를 각각 계산한 후 표2에 기록한다.(5) 부하저항R _{L}을 각각 1[㏀], 100[㏀], 68[㏀]을 사용하고 오실로스코프 파형을 관측하여V _{i`n},V _{out}, 전압이득을 구하고 계산값을 표3에 기록한다.5. 실험 결과 및 분석파라미터측청된 값계산된 값오차V _{B}7.99[V]8.26[V]3.26[%]V _{E}7.39[V]7.56[V]2.24[%][표 1]직류 베이스 무신호 동작전압 :V _{B} =( {R _{2}} over {R _{1} +R _{2}} )V _{CC}직류 이미터 무신호 동작전압 :V _{E} =V _{B} -V _{BE}파라미터값I _{E}(계산된 값)7.56[㎃]r _{e} '(계산된 값)3.3[Ω][표 2]직류 이미터 무신호 동작전류 :I _{E} = {V _{E}} over {R _{E}}교류 이미터저항(정상적인 실온에서) :r _{e} ' CONG {25㎷} over {I _{E}}부하저항V _{`i`n}V _{out}측정된 이득계산된 이득% 오차1[㏀]200[㎷]198[㎷]0.990.993배0.3[%]100[Ω]200[㎷]196[㎷]0.980.965배1.55[%]68[Ω]200[㎷]196[㎷]0.980.95배3.16[%][표 3]베이스와 이미터간 전압이득 :A _{v} = {V _{out}} over {V _{i`n}} = {R _{E} PVER R _{L}} over {(R _{E} PVER R _{L} )+r _{e} prime }

공학/기술| 2019.09.30| 5페이지| 1,000원| 조회(220)

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TR 2N3904를 이용한 TR input 특성

1. 실험목적2N3904를 이용해 회로를 구성하여 입력특성곡선을 나타내고 와 의 관계를 이해한다.2. 실험․실습 사용기기 및 재료① TR 2N3904(General Purpose Transister)② 탄소피막저항(100[㏀] 1/4[W] J(5%))③ 가변저항 10[㏀] (AS0315) 2개④ 브레드보드(WISH BOARD no.28)⑤ 직류전원장치(DIGITAL 사 DRP-303D 50/60[Hz])⑥ 점프선⑦ 디지털 멀티미터(MASTECH 사 my68 AUTO-RANGE DDM)

공학/기술| 2019.09.30| 3페이지| 1,000원| 조회(106)

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아두이노와 LED를 이용하여하트모양 LED점등하기

1. 과제목표주어진 과제의 복잡한 회로를 구성하면서 브래드보드를 유동적으로 사용할 수 있는 능력을 기르고, 아두이노의 핀번호를 익히고 코드를 입력하여 프로그래밍의 구조와 규칙을 이해하고 다수 LED점등 코드와 점등유지 코드 두가지 코드를 응용하여 자신만의 패턴대로 켜고 끄는 하트모양 다수 LED점등 코드를 만들어 코드가 정상적으로 작동되는지 관찰한다.2. 회로도[회로도(AUTODESK TINKERCAD)][회로도(orCAD)]3.코드int ledPins[] = {2,3,4,5,6,7,8,9,10,11};#define buttonPin 12int buttonState = 0;int lastButtonState = 0;int buttonPushCounter = 0;void setup() {for(int i=0; i= 0; i--) {digitalWrite(ledPins[i], LOW);delay(delayTime);}for(int i = 9; i >= 0; i--) {digitalWrite(ledPins[i], HIGH);delay(delayTime);}} else {for(int i = 9; i >= 0; i--) {digitalWrite(ledPins[i], LOW);}}}다수LED점등 코드에 점등유지 코드를 넣어서 응용했고 버튼을 누르면 LED패턴이 하트를 정면으로 본 기준으로 하트 윗부분 들어간 부분의 LED부터 켜져서 맨 아래 LED까지 순서대로 켜지고 켜진 순서대로 꺼지는 패턴으로 LED가 켜지고 꺼진다.버튼을 누르면 LED전체가 꺼진다.

공학/기술| 2019.09.30| 3페이지| 1,000원| 조회(219)

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TR 2N3904를 이용한 TR 바이어스 실험

실험 제목 : TR 2N3904를 이용한 TR 바이어스 실험1. 실험목적2N3904를 이용해 바이어스 회로를 구성하여 첨두치를 측정하고 계산값과 비교하여 바이어스 회로를 이해한다.2. 실험?실습 사용기기 및 재료① TR 2N3904(General Purpose Transister)② 탄소피막저항(2.2[㏁] 1/4[W] J(5%), 6.8[㏀] 1/4[W] J(5%), 1[㏀] 1/4[W] J(5%), 100[㏀] 1/4[W] J(5%),10[㏀] 1/4[W] J(5%), 22[㏀] 1/4[W] J(5%), 3.3[㏀] 1/4[W] J(5%))③ 브레드보드(WISH BOARD no.28)④ 직류전원장치(DIGITAL 사 DRP-303D 50/60[Hz])⑤ 점프선⑥ 디지털 멀티미터(MASTECH 사 my68 AUTO-RANGE DDM)3. 실험 실습 관련이론3.1 트랜지스터 바이어스의 종류- 베이스 바이어스(고정 바이어스)- 전압분배 바이어스- 컬렉터 귀환 바이어스3.2 베이스 바이어스베이스 바이어스 혹은 고정 바이어스 라고 부른다. 단일의 전력원이 콜렉터와 베이스에 사용된다.- 장점 : · 베이스 저항(R _{B})을 바꿈으로써 작동영역 안에는 작동지점을 얼마든지 바꿀 수 있다는 장점 이 있다.· 소자 몇 개로 구성할 수 있다.- 단점 : · 콜렉터 전류는 온도나 전원의 공급 전압에 의해 바뀌므로 일정하지 않게 된다. 그러므로 작동 지점이 볼안정하게 된다.·V _{BE} 가 변하면I _{B}도 같이 변하게 된다. 그러므로I _{E}도 다같이 변하게 된다. 이것이 결국 이득값을 변하게 한다.용도 : 위에 나와있는 단점들 때문에 고정 바이어스는 선형회로에서 잘 사용되지 않는다.(트랜지스터 를 전류원으로 쓰는 회로 등) 그 대신, 트랜지스터가 스위치로 사용되는 회로에 자주 사용된 다.3.3 전압 분배 바이어스전압 분배라는 것은 외부저항R _{1} 과R _{2}를 사용하는 것이다. 저항R _{2}에 걸리는 전압은 이미터 접합 에서 순방향 바이어스이다. 저항R _{1}과R _{2}를 잘 선택함에 따라, 트랜지스터의 작동점을beta 에 무관하게 만들 수 있다. 이 회로에서, 전압 분배기는 베이스 전압을 베이스 전류에 관계없이 고정시키는 역할을 한다. 하지만 베이스 전압이 고정되어 있어도 컬렉터 전류는 온도 등에 따라 바뀌게 된다. 그러므로Q점을 안정화 시키기 위해 이 회로에서 베이스 전압은 다음과 같이 주어진다.- 장점 : · 다른 회로들과 다르게 DC전압만이 필요하다.· 작동점이beta 의 변화에 거의 무관하다.· 작동점이 온도의 변화에 거의 무관하다.- 단점 : · 이 회로에서,I _{C}를beta 에 무관하게 유지시키기 위해서는 다음 조건을 충족시켜야 한다.R _{2}

공학/기술| 2019.09.30| 5페이지| 1,000원| 조회(103)

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B급 푸쉬풀 이미터 폴로어 전력증폭기

실험 제목 : B급 푸쉬풀 이미터 폴로어 전력증폭기1. 실험목적NPN형 트랜지스터와 PNP형 트랜지스터를 이용해 B급 푸쉬풀 이미터 폴로어 전력증폭기를 구성하고 파형을 관측하여 동작을 이해한다.2. 실험?실습 사용기기 및 재료① TR 2N3904(General Purpose Transister)② TR 2N3906③ 실리콘 다이오드(1N4148 2개)④ 탄소피막저항(100[Ω] 1/4[W] J(5%), 1[㏀] 1/4[W] J(5%) 3개, 10[㏀] 1/4[W] J(5%), 100[㏀] 1/4[W] J(5%) 2개)⑤ 전해콘덴서(EC 25[V] 2.2[㎌] 2개, EC 25[V] 100[㎌])⑥ 브레드보드(WISH BOARD no.28)⑦ 직류전원장치(DIGITAL 사 DRP-303D 50/60[Hz])⑧ 점프선⑨ 디지털 멀티미터(MASTECH 사 my68 AUTO-RANGE DDM)⑩ 오실로스코프(Protek 5202E 200MHz 1GS/s)⑪ 함수발생기(RIGOL DG1022 2Channel 20MHz 100MSa/s)3. 실험 실습 관련이론[상보형 TR 푸시풀 회로의 동작]B급 풀시풀 이미터 폴로어 전력증폭기는 한 쌍의 상보형 트랜지스터(NPN형과 PNP형)로 되어 있고 각 각은 차단점에 바이어스 되어있다. 결과적으로 각 트랜지스터가 순방향 바이어스 되게 한다. 그러므로 교차 왜곡이 발생한다. 교차왜곡을 방지하기 위해 두 트랜지스터는 Q점의 상태가 약간 순방향 바이어 스 되어 각 트랜지스터가 실질적으로 약간 차단점 전에 바이어스 되어야 하는데 이 때 발생되는 소량 의 젼류를 티클전류라 부른다. 실제로 A급이나 B급 동작이 아닌 AB급 동작이지만 이러한 상황을 나 타내기 위해 B급이라는 용어가 자주 사용된다. 화로가 복잡하지만 B급 푸시풀 증폭기는 대략 78%까 지의 효율을 얻을 수 있는데 이것은 변압기로 결합되지 않은 유사한 A급 증폭기보다 3배가 크다.[B급 증폭기의 교차 일그러짐]또한 B급 증폭기의 단점은 직류 베이스 전압이 0일 때 TR이 도통 하려면 입력신호 전압이 장벽전압보다 커야 되므로 일정 구간에서 출력이 나타나지 않는 구간이 존재한다. 이를 보정하기 위해 베이스측에 일정한 전압을 걸어주는데 보통 저항이나 다이오드를 사용한다. 그러나 quicient 상태에서 전력을 소모시키고 회로의 크기를 크게하는 단점이 있다.4. 실험순서 및 방법(1) 지급된 재료를 사용하여 [그림 1]의 회로를 구성한다.[그림 1] 실험회로(2) 직류전원장치를 8[V]로 맞춘 후 함수발생기도 7V _{p-p}로 맟추고 5[㎑]로 맞춘다.(3) 오실로스코프로 입력파형과 출력파형을 관측하고 츨력파형의 일그러짐을 관측한 후V _{BE`1} ,V _{BE`2} ,V _{E} ,B _{B1`},V _{B`2} ,V _{E} 의 전압값을 디지털 멀티미터로 측정하고 표1에 기록한다.(4)R _{2} 와R _{3}의 저항을 준비된 다이오드로 교체하여 오실로스코프로 입력파형과 출력파형을 관측한 후 일그러짐이 제거된 출력파형을 관측한다.(5) 오실로스코프의 파형으로V _{0(r`m rm s) it}측정값을 계산하고 디지털 멀티미터로I _{CC} 값을 측정한 후 표2에 기록한다.5. 실험 결과 및 분석파라미터측정값V _{BE`1}0.539[V]V _{BE`2}0.562[V]V _{E}4.09[V]V _{B`1}4.62[V]V _{B`2}3.47[V]V _{E}4.1[V][표 1]파라미터측정된 값V _{0(r`ms)}2.2[V]I _{CC}1.11[㎃]파라미터이론값P _{0(r`ms)}4.8[㎽]P _{DC}8.88[㎽]eta 54.5[%][표 2]RMS 출력(부하시) 전력 :P _{0(r`ms)} = {[V _{0(r`ms)} ] ^{2}} over {R _{L}}증폭기에 공급된 직류전력 :P _{DC} =V _{CC} I _{CC}증폭기의 백분율 효율 :

공학/기술| 2019.09.30| 5페이지| 1,000원| 조회(103)

전자, 전기, 전자회로실험, 전기전자, 전기전자실험

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아두이노와 LED를 이용한 소리크기 표시기 평가D별로예요

소리 크기 표시기1.과제 개요소리 크기에 따라 LED가 점등되는(소리 크기에 따라 점등 LED 수가 변함) 소리 크기 표시기를 만들었다. 먼저 마이크 센서 모듈이 가진 아날로그와 디지털신호중 아날로그신호를 이용하여 회로를 결선하고 코드를 짰다. 아날로그신호 A0로 들어오는 전압을 읽어 그 크기를 sensorValue라는 변수에 저장했다. 그리고 모든 LED를 꺼두고 sensorValue에 값에 따라 크기를 나누어if문을 사용해 LED가 1개, 2개, 3개, 4개씩 켜지게 코드를 짰다.2. 회로도3.코드int sssSensorA0 = A0;#define buttonPin 2int buttonState = 0;int lastButtonState = 0;int buttonPushCounter = 0;int led[4] = {3, 4, 5, 6};int val;volatile int state = LOW;void setup(){Serial.begin(9600);pinMode(sssSensorA0, INPUT);pinMode(buttonPin, INPUT);for (int i = 0; i < 4; i++) {pinMode(led[i], OUTPUT);}attachInterrupt(0, Duyong, RISING);}void loop(){val = analogRead(sssSensorA0);buttonState = digitalRead(buttonPin);Serial.println(val);delay(100);for(int i = 0; i

공학/기술| 2019.09.30| 4페이지| 1,000원| 조회(196)

C언어, 전자, JAVA, 프로그래밍, 전기, 전기전자, 아두이노

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프로세싱으로 절차지향 프로그래밍과 객체지향 프로그래밍으로 얼굴 그리기

REPORT절차지향 프로그래밍과 객체지향 프로그래밍으로얼굴 그리기1. 절차지향 프로그래밍을 이용한 얼굴그리기1)스케치 작성float x, y;color c1, c2, c3;int a, b, c, d, e, f;void setup() {size(600, 300);x = 100;y = 100;c1 = color(#FFE3B5);c2 = color(0, 0, 0);c3 = color(255,255,255);}void draw() {background(255);a = 70;b = 90;c = 45;d = 70;e = 20;f = 5;myFace(x, y, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x*2, y, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x*3, y, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x*4, y, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x*5, y, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x, y*2, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x*2, y*2, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x*3, y*2, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x*4, y*2, a, b, c, d, e, f, c1);myFace(x*5, y*2, a, b, c, d, e, f, c1);}void myFace(float x, float y, int a, int b, int c, int d, int e, int f, color c1) {noStroke();fill(c1);ellipseMode(CENTER);ellipse(x,y,a,b);stroke(0);strokeWeight(1);smooth();line(x-a/6, y+b/4, x+a/6, y+b/4);line(x, y+f, x-2, y+15);line(x-2, y+15, x, y+15);fill(c2);arc(x, y-b/8, d, d, radians(180), radians(360));noStroke();fill(c3);rectMode(CENTER);rect(x-a/5, y, e, f);rect(x+a/5, y, e, f);strokeWeight(5);stroke(0);point(x-a/5, y);point(x+a/5, y);}2)실행화면중심점을 변수x,y로 줬고 피부와 눈의 흰자, 머리색 총 3개의 색 변수를 줬고 나머지 총 6개의 변수를 줘서 얼굴을 그렸다.x,y를 제외한 나머지 변수는 위치가 바뀌어도 고정되여야 하기 때문에 중심축인 x,y만 바꿔서10개를 만들어 얼굴이 10개가 나오게 실행했다.2. 객체지향 프로그레밍을 이용한 얼굴그리기2) 스케치 작성Face myFace1, myFace2, myFace3, myFace4, myFace5, myFace6, myFace7, myFace8, myFace9, myFace10;void setup() {size(600,300);myFace1 = new Face(100, 100, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace2 = new Face(200, 100, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace3 = new Face(300, 100, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace4 = new Face(400, 100, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace5 = new Face(500, 100, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace6 = new Face(100, 200, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace7 = new Face(200, 200, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace8 = new Face(300, 200, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace9 = new Face(400, 200, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));myFace10 = new Face(500, 200, 70, 90, 45, 70, 20, 5, color(#FFE3B5));}void draw() {background(255);myFace1.display();myFace2.display();myFace3.display();myFace4.display();myFace5.display();myFace6.display();myFace7.display();myFace8.display();myFace9.display();myFace10.display();}class Face{color c1;float x;float y;int a;int b;int c;int d;int e;int f;Face(float tempX, float tempY, int tempA, int tempB, int tempC, int tempD, int tempE, int tempF, color tempC1) {c1 = tempC1;x = tempX;y = tempY;a = tempA;b = tempB;c = tempC;d = tempD;e = tempE;f = tempF;}void display() {noStroke();fill(c1);ellipseMode(CENTER);ellipse(x, y, a, b);stroke(0);strokeWeight(1);line(x-a/6, y+b/4, x+a/6, y+b/4);line(x, y+f, x-2,y+15);line(x-2, y+15, x, y+15);fill(0,0,0);arc(x, y-b/8, d, d, radians(180), radians(360));noStroke();fill(255, 255, 255);rectMode(CENTER);rect(x-a/5, y, e, f);rect(x+a/5, y, e, f);strokeWeight(5);stroke(0);point(x-a/5, y);point(x+a/5, y);}}2)실행화면객체지향 프로그래밍도 절차지향과 동일한 실행화면이 나온다.절차지향과 차이점은 전역변수에서 지역변수로 바꾼 것과 display의 변수는 동일하지만절차지향에선 변수의 값에 대입을 했는데 여기선 Face함수에 직접 정수나 실수 값을 할당해야 한다.

공학/기술| 2019.09.30| 7페이지| 1,000원| 조회(205)

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미분기 적분기 결과보고서

실험 제목 : 연산증폭기를 이용한 미분기와 적분기1. 실험목적연산증폭기를 이용해 미분기와 적분기의 회로동작을 알아본다.2. 배경2.1 미분기신호에 대한 미분 연산을 전기 회로적으로 수행하는 회로- 입력 신호 파형의 시간 변화율에 비례하여 출력을 발생한다.2.2 적분기신호에 대한 적분 연산을 전기 회로적으로 수행하는 회로- 입력 신호 파형의 시간 변화율에 비례하여 출력을 발생한다.3. 실험실습 사용기기 및 재료① 741 연산증폭기 1개② 저항 (10[㏀] 1/4[W] J(5%) 2개 , 2.2[㏀] 1/4[W] J(5%) , 22[㏀] 1/4[W] J(5%) , 100[㏀] 1/4[W] J(5%))③ 전해콘덴서(EC 50[V] 0.0022[㎌] 2개, EC 50[V] 0.0047[㎌])④ 직류전원장치⑤ 디지털 멀티미터⑥ 오실로스코프4. 실험순서 및 방법(1) 그림과 같이 실험회로를 구성한다.[실험 회로 - 미분기][실험 회로 ? 적분기](2) 미분기 주파수 400[hz]와 첨두값 전압 0.5[V], 적분기 주파수 10[Khz]와 첨두값 전압 0.5[V]로 맞춘다.(3) 각각 입력단자와 출력단자에 오실로스코프 스코프를 접촉한 후 입력신호와 출력신호를 관찰한다.(4) 회로를 적분기로 다시 구성한 후 실험을 반복한다.(5) 미분기와 적분기를 각각 구형파 사인파 삼각파로 바꿔가면서 실험을 반복한다.5. 실험 결과5.1 미분기[미분기 시뮬레이션][1[khz] 구형파] [1[khz] 사인파][1[khz] 삼각파]삼각파는 시뮬레이션과 비슷하게 나왔고 구형파 입력파형을 줬을 때 출력파형이 y축으로 무한대로 증가하는 파형이 나왔고 사인파를 줬을 때 그대로 사인파가 나왔다.

공학/기술| 2019.09.30| 3페이지| 1,000원| 조회(339)

전자, 전자회로, 보고서, 실험보고서, orcad, 전기, 전자회로실험, 전기전자, p..

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반전,비반전증폭기 결과보고서

실험 제목 : 연산증폭기를 이용한 반전/비반전 증폭기1. 실험목적연산증폭기를 이용해 반전증폭기와 비반전증폭기의 회로의 동작을 알아본다.2. 실험실습 사용기기 및 재료① 741 연산증폭기 1개② 저항 (1[㏀] 1/4[W] J(5%), 10[㏀] 1/4[W] J(5%), 47[㏀] 1/4[W] J(5%), 100[㏀] 1/4[W] J(5%))③ 직류전원장치④ 디지털 멀티미터⑤ 오실로스코프3. 실험순서 및 방법(1) 그림과 같이 실험회로를 구성한다.[실험 회로 - 반전증폭기][실험 회로 ? 비반전증폭기](2) 주파수 500[hz]와 첨두값 전압 0.5[V]로 맞춘다.(3) 각각 입력단자와 출력단자에 오실로스코프 스코프를 접촉한 후 입력신호와 출력신호를 관찰한다.(4)R _{f}를 각각 1[㏀], 10[㏀], 47[㏀], 100[㏀]으로 바꾼후 (3)번의 실험을 반복한다.(5) 비반전증폭기의 실험 회로를 구성한 후 (2)~(4)번의 실험을 반복한다4. 실험 결과5.1 반전 증폭기[ 10[㏀](시뮬레이션) ][10[㏀](실험)] [1[㏀](실험)][47[㏀](실험)] [100[㏀](실험)]A _{v} =- {R _{f}} over {R _{i}}{V _{out}} over {V _{i`n}}R _{f}1[㏀]10[㏀]47[㏀]100[㏀]A _{v}-0.2-2-5-6.755.2 비반전증폭기(시뮬레이션)[ 10[㏀](시뮬레이션) ][10[㏀](실험)] [1[㏀](실험)][47[㏀](실험)] [100[㏀](실험)]R _{f}값이R _{i}보다 커질수록 출력전압파형이 입력전압파형보다 더 커지는 것을 확인할 수 있었다.A _{v} =1+ {R _{f}} over {R _{i}}{V _{out}} over {V _{i`n}}

공학/기술| 2019.09.30| 3페이지| 1,000원| 조회(245)

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