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"전전설A+" 검색결과 1-20 / 758건

[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험2_예비

으로 구한 출력신호의 식은 다음과 같다.R, L, C에 각각 200, 10^(-3), 10^(-7)을 넣어 해를 구하자.경계조건을 이용하여 A와 B를 구하자.PSpice를 통해 파형 ... 에 각각 200, 10^(-3), 10^(-7)을 넣어 해를 구하자.경계조건을 이용하여 A와 B를 구하자.PSpice를 통해 파형을 그려보자.: 빨간색 파형, : 초록색 파형예비보고서 ... 2개커패시터 : 0.1F 2개인덕터 : 1mH 2개참고문헌Raymond A. Serway, John W. Jewett, 『대학물리학Ⅱ』, 북스힐(2019)Irwin, 『Engineering Circuit Analysis』, WILEY(2015)실험 교안, pdf

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험3_예비

(Operational Amplifier : 연산 증폭기)란, 고입력 저항, 저출력 저항, 높은 개방 이득 (오픈 루프 게인)이 특징이며, +입력단자와 -입력단자간 전압차를 증폭시키는 기능을 지닌 ... 므로 으로 Virtual short 상태가 된다. 하지만, 현실에서는 A가 유한한 값을 가지기 때문에, Voltage offset이 존재하여 input bios current가 있 ... : 초록색V2 : 빨간색V3 : 보라색Vout : 노란색 = V1 + V2 + V32의 입력 신호를 subtract하는 회로를 operational amplifier를 사용

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험4_예비

)Power Supply ( X 2 )실험에 필요한 소자 목록을 작성하시오.브레드보드저항 : 1k 6개가변 저항 100 1개Ua741 : 3개참고문헌Raymond A

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험12_예비

하시오.BJT : Q2N3904 1개저항 : 1030kΩ 1개, 1kΩ 1개, 5k 1개, 7k 1개커패시터 : 10uF 2개참고문헌Raymond A. Serway, John W

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험2_결과

전자전기컴퓨터공학 설계 및 실험 Ⅲ[실험2. RLC 회로]결과레포트날짜: 2024.03.22.학번:이름:목차Ⅰ. 서론실험 목적배경 이론Ⅱ. 실험 장비 및 실험 방법실험 순서실험 장비Ⅲ. 실험결과실험1실험2Ⅳ. 토론데이터 분석시사점Ⅴ. 결론Ⅵ. 참고문헌서론 (Introd..

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험7_결과

전자전기컴퓨터공학 설계 및 실험 Ⅲ[실험7. Diode Circuit](Rectifier Circuit Design)결과레포트날짜: 2024.05.03.학번:이름:목차Ⅰ. 서론실험 목적배경 이론Ⅱ. 실험 장비 및 실험 방법실험 순서실험 장비Ⅲ. 실험결과실험1실험2Ⅳ. ..

리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험8_결과

1.실험 목적가)MOSFET의 동작원리 이해나)MOSFET 설계 및 동작 검증2.배경이론가)실험 이론１)MOSFET①Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor의 약자②대부분 Enhancement type N-channel을..

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험10_결과

MOSFET Amplifier with a Small Time-varying Signal 1) 에서 시간에 따라 변하는 작은 신호를 게이트에 인가하면 위와 같은 출력 특성 ... 할 필요가 있다. 또한, 보다 정밀한 장비와 조건을 통해 실험의 정확도를 높여 추가 실험이 필요하다. 참고 문헌 (Reference) Raymond A. Serway, John W

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험12_결과

1. 실험 목적가) BJT 트랜지스터를 사용하여 Voltage follow circuit 회로설계나) 동작 검증2. 배경이론가) 실험 이론１) BJTBJT는 Bipolar Junction Transistor의 약자로, 전자(electron)와 정공(hole)이라는 두 ..

리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10 | 수정일 2025.03.18

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험5_예비

& Methods)실험 순서실험1ua741의 Pin Diagram에 맞게 +Vcc 및 -Vcc에 +15V, -15V 인가실험2조건에 맞는 회로를 설계전달함수를 통해 주파수의 크기특성, 위상특성 ... 참고문헌Raymond A. Serway, John W. Jewett, 『대학물리학Ⅱ』, 북스힐(2019)Irwin, 『Engineering Circuit Analysis』, WILEY(2015)실험 교안, pdf

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험6_예비

과 같다.다이오드 전압은 다음과 같다.전류는 다음과 같다.Exponential Model을 사용하였을 때 (I_S=10^(-14)A, n=1)관계식은 다음과 같다., 에서 이 ... 므로, 적용하면 다음과 같다.KVL을 적용하면 다음과 같다.연립하면 다음과 같다.따라서, 전류는 다음과 같다.예비보고서2다음과 같은 2개의 diode 회로에 대하여 입력으로 -10~ ... 다.Forward Bias: 다이오드에 걸리는 전압이 약 +5V로 유지된다.2-2`회로 설계시뮬레이션 파형Clamp Circuit는 Diode의 방향에 따라 Shift 되는 방향이 달라진다

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험7_예비

4002 : 10개전선참고문헌Raymond A. Serway, John W. Jewett, 『대학물리학Ⅱ』, 북스힐(2019)Irwin, 『Engineering Circuit

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험8_예비

-> 가 0V~10V로 증가할 때 전류 변화를 Simulation1-21-3Threshold Voltage, VV일 때 A예비보고서2실험에 필요한 장비 목록을 작성하시오.컴퓨터Power ... Supply멀티미터실험에 필요한 소자 목록을 작성하시오.브레드보드N-channel MOSFET : 2n7000 1개참고문헌Raymond A. Serway, John W

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험9_예비

으로, P형 실리콘 기판에 소스와 드레인이 N+로 도핑된 구조를 가진다. 게이트에 임계 전압(Threshold Voltage)보다 높은 전압을 가하면, 소스와 드레인 사이에 전류 ... 와 드레인이 P+로 도핑된 구조를 가진다. 게이트에 임계 전압보다 낮은 전압을 가하면, 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르게 된다. 반대로, 게이트 전압이 임계 전압보다 높으면 전류 ... =0 Theta=0 Kappa=0.2 Vmax=0 Xj=0+ Tox=2u Uo=600 Phi=.6 Kp=1.073u W=.12 L=2u Rs=20m Vto=1.73+ Rd

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험10_예비

하여 MOSFET이 선형 영역(Linear Region)에 도달하면, 게이트 전압의 변화에 따른 출력 전압의 변화가 감소한다.The MOSFET Amplifier with a Small ... Vmax=0 Xj=0+ Tox=2u Uo=600 Phi=.6 Kp=1.073u W=.12 L=2u Rs=20m Vto=1.73+ Rd=.5489 Rds=48MEG Cgso=73.61p ... Cgdo=6.487p Cbd=74.46p Mj=.5+ Pb=.8 Fc=.5 Rg=546.2 Is=10f N=1 Rb=1m)회로설계에비보고서 22-12-2RG1 = 6.559M2

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험11_예비

Raymond A. Serway, John W. Jewett, 『대학물리학Ⅱ』, 북스힐(2019)Irwin, 『Engineering Circuit Analysis』, WILEY(2015

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험4_결과

면서, Voltage Gain을 조정할 수 있다.참고 문헌 (Reference)Raymond A. Serway, John W. Jewett, 『대학물리학Ⅱ』, 북스힐(2019

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10 | 수정일 2025.03.18

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험4_결과

토론가) 결과 분석１) 실험1-1은 다른 진폭을 갖는 두 입력전압에 대해서, 실험 1-2는 같은 진폭을 갖는 두 입력전압에 대해서 OP Amp의 출력 신호를 측정하는 것이다. 실험 1-1의 결과, 오차 2.56%가 나타나였고, 실험 1-2의 결과, 오차 4.76%가 나..

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험9_결과

을 받으면 0을 출력 NMOS NMOS는 N형 MOSFET으로, P형 실리콘 기판에 소스와 드레인이 N+로 도핑된 구조를 가진다. 게이트에 임계 전압(Threshold ... 다. PMOS PMOS는 P형 MOSFET으로, N형 실리콘 기판에 소스와 드레인이 P+로 도핑된 구조를 가진다. 게이트에 임계 전압보다 낮은 전압을 가하면, 소스와 드레인 사이에 전류

리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험11_결과

1.실험 목적가)BJT 트랜지스터를 사용하여 Voltage follow circuit 회로설계나)동작 검증2.배경이론가)실험 이론１)BJT BJT는 Bipolar Junction Transistor의 약자로, 전자(electron)와 정공(hole)이라는 두 가지 타입..

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.10 | 수정일 2025.03.19

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