"저온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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"저온플라즈마" 검색결과 541-560 / 1,028건

핵융합 에너지

use cold plasma to radiate light and create images.예를 들면, 저온 플라즈마를 이용하여 평판 스크린 텔레비전(plasma display ... 들은 전자기와 전자계를 통하여 플라즈마를 제어하는 방법을 배웠습니다.Welders have long used searing-hot plasmas to weld metals. But ... 가.플라즈마를 물리학적으로 정의하여 접근하면 원래 이름이 뜻하는 바와 같이 혼돈스러울 만큼 학문적으로 복잡한 연구의 대상이며, 플라즈마는 매일 떠오르는 태양, 밤하늘의 무수한 별

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 68페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.12.07

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ellipsometry에 대한 조사 레포트.

있다. 시편이 대기중이 아니라 진공, 플라즈마, 산이나 염기 등의 용액 속에 놓여 있더라도 일단 빛이 투과할 수 있으면 측정이 가능하다. 또한 고온이나 극저온에서의 측정도 가능

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.08

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[환경]질소산화물&질소산화물처리기술의정의&처리기술의종류&질소산화물에 관한 모든것^-^

발생을 억제한 후, 로의 상부(저온영역)에서 필요한 공기를 충분히 공급하여 완전연소가 이루어지도록 하는 방법 10∼20%의 저감효율을 얻을 수 있고 특히 석탄연소시 높은 효율 ... 이 없이 내 반응 - 800 이하의 저온영역에서는 체류시간이 증가할수록 처리효율이 증가하는 경향을 보임.환원제의 화학양론비(NSR) - NSR이 높을수록 NO의 처리효율이 증가, 일반 ... 제거 효율850∼1000℃200∼400℃적용온도 범위고온 조건하에서 암모니아 또는 요소를 분무하여 NOx를 환원함촉매존재하에서 암모니아를 분무 저온에서 NOx를 N2와 H2O

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| 리포트 | 52페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.10

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진공 결과보고서

주입확산 펌프터보분자 펌프흡착 펌프저온냉각 펌프이온 펌프크라이오 펌프승화 펌프초고진공Ultra High Vacuum10-7Torr∼10-10Torr전자현미경Plasma 발생기표면연구재료분석터보분자 펌프저온냉각 펌프크라이오 펌프게터 펌프

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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evaporator의 원리 및 이론

Evaporator목차1. 진공의 기초 2. Evaporation 3. Plasma Assisted E-beam Evaporation 4. 분석- 대기압보다 낮은 압력의 기체 ... DC Magnetron ReactiveReactive Cathodic arc3. Plasma Assisted E-beam Evaporation각종 증착장비의 특성비교3 ... . Plasma Assisted E-beam EvaporationEvaporation 증착시 문제점3. Plasma Assisted E-beam Evaporation증착방법에 따른 굴절

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| 리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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CVD의 증착과정과 종류와분류 그리고 CVD의 장단점과 매커니즘

변화에 따른 우선방위의 변화한다.PECVD(plasma enhanced Chemical Vapor Deposition)1. 플라즈마물질의 제 4 상태로써 중성자가 포함된 이온 ... 에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다 ... 에 따 의한 Energy로 반응를 유도③ PE CVD (Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition)반응로(Chamber)의 진공도가 저압이

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| 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.04

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cvd

, 플라즈마는 예를 들어 저온 플라즈마라도 물질 제 4의 상이라 부리울 정도로 고온상태로 추측되기 때문에. 화학적으로 매우 활성이고, 플라즈마 중에서 박막을 구성하는 물질이 석출 ... 는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절 ... 속도, 기체 압력, 기판 바이어스 등)에 따라서 우선방위가 변하면 이에 따라 박막의 물성이 크게 변화하는 것으로 알려져 있다. 아래 결과는 저온 열화학 증착법으로 제조한 TiN 박막

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| 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

가 plasma를 통과하면서 ion화 되어 Sputter와 같이 높은 energy 를 가지며 코팅되기 때문에 박막의 접착력도좋다. 기판의 온도가 낮은 저온 process이므로 생산 ... 으로 종래의 진공증착이나 습식도금에 비하여 밀착력이 50-100배 뛰어나며 방전에 의한 활성화 효과로 균일한 화합물막을 얻을수 있다. 저온공정으로 후처리가 필요치 않고 증착속도가 크 ... induction heating - PECVD (Plasma Enhanced CVD) : rf(13.56MHz) or microwave(2.45GHz) - PCVD (Photo

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| 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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[공학]플라즈마의 첨단기술 응용분야

를 갖는 초고온 핵융합 플라즈마로 크게 구별할 수 있다.이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(plasma etch) 및 ... □ 응용 기술▶ 플라즈마는 수만도 정도의 온도와 109 ~ 1010 /㎤의 밀도를 갖는 저온 글로우 방전 플라즈마와 수천만도 이상의 온도와 1013 ~ 1014 /㎤ 의 밀도 ... 의 미세화, 저온화의 필요성 때문에 플라즈마 공정이 종래의 공정을 대체하고 있으며, 경우에 따라서는 플라즈마만이 제공할 수 있는 물질이나 환경을 이용하기 위한 응용분야가 점점 더

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| 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.23

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pvd 실험 보고서

은 비용이 든다.장치에 대한 원리와 방법(1)여기법(열,플라즈마,광)열화학반응에서 고체를 합성하는 것이 가장 광의의 CVD법이다.프로세스의 저 온화를 꾀하는 것을 제 1의 목적 ... 으로해서 반응을 고속전자나 광에의해 여기한 것이 각각 Plasma CVD,Laser CVD이다. 이것들은 물론 반응소과정중의 전자충돌이나 광흡수에의한 라지칼이나 이온의 발생,분자의 여기 ... 할 것, 독성이나 폭발의 위험성이 적은 것이 먼저 이용된다. 원료로서는 수소화물, 할로겐화물, 유기금속화합물이 쓰여진다. 박막의 고품질화, 증착온도의 저온화, 증착속도의 향상

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| 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.03

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Sputter Deposition

를 연결이용하면 플라즈마가 target 표면의 매우 가까운 곳에 유지되어 근처 지역에서 플라즈마 밀도가 높아지게 되므로 이온화 율이 증가한다.(2) plasma를 가두었을 때의 장점 ... density, electron temperature, plasma potential을 조사예) 플라즈마 전압이 anode보다 약 2～10V 더 positive하다고 가정(예상 ... 보다 훨씬 작기 때문에, 플라즈마 중에서의 전자의 이동도는 이온의 이동도보다 크다. 따라서, 플라즈마에 밖에서 자장이 가해지면 전자만이 가속되고 이온은 그 만큼 가속되지 않는다.1

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| 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.02

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pvd와 cvd

에 의해 여너지가 높은 플라즈마 상태를 만들어 이 상태하에서 반응가스의 화학결합을 저온에서 분해하여 활성화시켜 입자간의 반응에 의해 CVD막을 형성하는 기술이다. 이 RF글로우 방 ... 모재의 표면에 충돌하면서 증착되는 방법Ion Plating Process코팅될 물질을 어떤 방법에 의해 기화시키고, 이 기화된 원자를 Plasma 내에서 이온화 시킨 다음, 모재 ... 보다 최근 전기방전 플라즈마 활성화에 의해 보다 낮은 기판온도에서 증착 될 수 있어 예로, 실란(silane)으로부터 10~35m/0 수소가 고체 도금층에 남아 결합된 채로 비정질

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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미래에너지-신재생 에너지와 발전차액지원제도

오(광합성 직·간접, 협기발효, 과합성 발효 등) 화석 수증기개질(상용화 되어 있음) 플라즈마 개질(반응기, 플랜트 건설) →미국 상용화 - 고온열분해(이론정립, 촉매, 반응기 ... ) →미국 개발단계 정제 고순도 수소 제조(PSA, MH이용 등) →선진국 기술확립 저장 물리적 기체저장(상용화 되어 있음) - 액체저장(저장용기, 극저온 연구 등) →독일 상용화

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| 리포트 | 50페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.01.24

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증착기를 이용한 반도체 공정

하고 있는 반면에 PECVD는 플라즈마를 이용함으로서 그 만큼 열에너지를 줄일 수 있게 되어 저온에서 박막을 형성할 수 있다. 이러한 장점 때문에 고온에서 사용못하던 폴리머 기판등 ... )과 증발(Evaporation)으로 나눌 수 있습니다. 증발은 증착할 물질을 기화하는데 있어서 열에너지를 이용하는 방법인 반면, 스퍼터링은 플라즈마를 형성한 다른 기체의 운동에너지 ... 를 이온화시키기도 하고 기구 자체가 복잡해지는 단점이 있습니다.③ Sputtering스퍼터링은 진공 중에서 불활성 기체 (Ar, Kr, Xe 등)를 Plasma 방전을 이용하여 양이온

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.21

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식물의학3A)식물병의전염원과 병원체의전염방법과 바이러스병의 식물저항성설명0k

파이토플라즈마(phytoplasma) 등이 있으며 그 특성은 다음과 같다(1) 진 균(곰팡이)진균은 영양기관과 생식기관을 가진다. 영양기관은 실모양의 균사체(mycelium)로 되 ... 하는 것이다발병에 영향을 미치는 여러 기상환경 요인 중 가장 크게 작용하는 것은 온도, 습도 및 일광 조건이다. 따라서 이른 봄의 저온다습이나 생육기의 저온다습과 고온 다습한 조건

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| 리포트 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.03.19

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[플라즈마공학]ICP(Inductively Coupled Plasma)

ICP 란 무엇인가?전압과 플라즈마의 관계전압과 플라즈마 밀도 관계ICP 의 특징특 징저온, 저 전자밀도의 영역이 형성되어 도너츠 형태의 구성이 가능자기장의 움직임을 제어하여 원 ... 들의 증발 때문에 Plasma를 유지하기 어려움석영관 내부에 도전성 물질의 코팅시 전력 전달이 되지 않아 플라즈마를 유지할 수 없다단 점대형화의 적용이 힘들다 → 석영관의 기계 ... ICP (Inductively Coupled Plasma)IndexPlasma 란 무엇인가?ICP란 무엇인가?ICP 의 특징ICP의 응용참고문헌Plasma 란 무엇인가?정

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| 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.27

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[신소재공학]플라즈마(palsma)

플라즈마의 비교저온(비평형) 플라즈마(Cold or Non-epuilibrium Plasma)열(평형) 플라즈마(Thermal or Epuilibrium Plasma)주 발생원 ... 에서우리 일상에서 플라즈마 현상에 가장 가까운 현상은 바로 형광등이다. 이외에 번개, 극지방의 오로라, 태양 내부 등이 플라즈마 상태다. 산업적으로 사용되는 플라즈마는 저온 플라즈마 ... 와 열 플라즈마로 나눌 수 있는데 저온 플라즈마의 경우 반도체 제조 공정에서 가장 널리 사용되고 있으며, 열 플라즈마는 절단, 용사(溶射)에 응용하고 있다.표. 저온 플라즈마와 열

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.25

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[공학]【A+】반도체공정기술[단위공정]

Spreading Resistance) 이용법 등.[7] 이온 주입법 (Ion Implantation) ① 저온 공정② 저농도 조절 가능 (profile control)③ 접합 깊이 조절 가능 ... + 2H2OSiH4 + O2 → SiO2 + 2H22PH3 + 4O2 → P2O5 + 3H2OC) PECVD (Plasma Enhanced CVD)① PECVD : 전계에 의해 전자 ... .③ 장점 : 저온 (400℃ 이하)에서 증착 공정 수행; 고온 공정 시의 증발, 용융, out-diffusion, 화학 반응 등 감소④ 단점 : 생성가스의 탈착이 원활하지 못해 순수

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| 리포트 | 28페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.15

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LED 시장 . Package 투자비용 ,Chip제조공정 , 특허현황

Sapphire 기판 Metal (Al, Cu, CuW ) 기판 개발 中열 추출 효율 up 격자 결함 downMOCVD 사용저온 버퍼층 성장 기술 적용(300℃ ↓) 생산성 향상(Loading ... OsramLumiLEDPhillipsCree소결하여 활성화 하는 공정- Plasma 열처리 방식 적용 900oC 20초 처리 RTP장비 사용P-Ohmic 전극 형성P극용 Ni/Au 전극형성은 N극 형성과 동일한 방법 ... Epoxy 사용경화Ag Epoxy를 경화 하여 Chip을 경화 시킴180oC 2시간 경화Plasma 세척Chip의 이물이나 얼룩을 제거 하여 wire bonding 후 발생되는 접촉 저항

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| 리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.28

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박막증착

.2 레이져 증착기② 플라즈마 화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)플라즈마 CVD는 열 CVD에 비해서 저온에서 합성시킬 수 있 ... 를 박막이나 분말로 석출시키는 방법이다.Fig.2.1 Deposition이러한 화학 반응을 일으키기 위해 가해주는 에너지원에 따라 열 CVD, 플라즈마 CVD, 유기금속화합물 CVD 등 ... 가스를 채워넣어 압력을 500Torr 정도로 유지한다. 그래파이트 타게트에서 기화된 탄소클러스터들은 저온으로 냉각되어 있는 Cu collector에서 흡착되어 응축된다.Fig.2

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.27

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