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"저온플라즈마" 검색결과 501-520 / 1,028건

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    박막증착 개론
    emiconductorglossary.com/default.asp?searchterm=ECR+plasmawww.engadgethd.com/category/plasma/2. 주변에서 볼 수 있는 플라즈마 ... 등의 제품손상을 막아준다.출처: www.dt.co.kr/contents.htm?article7) 음식물 쓰레기 처리기광촉매 +저온플라즈마로 구성되어 있으며 온도 및 에너지 제약 ... 에서 박의 큰 단점 중 하나는 증착속도가 느려서 생산성이 떨어진다는 것이다. sputtering 공정에서의 증착속도는 타겟의 sputtering 속도와 직결되며 이는 플라즈마의 밀도
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.26
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    소독, 멸균, 봉합사
    (Plasma gas sterilization)① 가스 플라즈마는 액체, 고체, 기체와 마찬가지로 물질의 상태중 하나이다. 가스플라즈마 는 전기를 띤 입자를 만들고, 가스분자를 흥분 ... 장 수준의 소독방법으로 호흡치료기구나 마취기구에 주로 사용된다.저온살균의 단점으로는 해당 물품의 살균 표준화가 되어 있지 않다는 것이다. 저온살균은 높은 수준의 소독을 위해서 세척 ... 멸균, EO 가스 멸균, 건열 멸균, 액체 화학제를 이용한 멸균, 저온살균법 등이 있다.1. 열을 이용한 멸균1) 고압 증기멸균(Steam sterilization)이 방법은 멸균법
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.16
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    반도체 공정
    를 주입하고 열, 플라스마등의 에너지 주입에 따른 화학반응 장점 여러 종류 막성장 가능 저온성장 가능 Step Coverage 우수안정화가 높아 표면에 모임고농도저농도CVD ... Undercut이 발생 건식식각(Dry Etching) 반응가스를 Chamber에 넣어 Plasma를 형성시켜 막을 식각 식각 제어력이 높음 선택성 저하, 불순물에 의한 오염, X ... 하고자 하는 막을 물리적인 방법으로 웨이퍼 위에 증착 Sputtering법, Evaporation법 저온공정 Step Coverage 문제(Evaporation)진공상태에서 형성
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    | 리포트 | 50페이지 | 5,500원 | 등록일 2011.03.31
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    박막증착 장비의 종류 및 원리, GaN LED
    에 플라즈마나 빛에너지도 사용되며 이런 경우는 플라즈마 (Plasma) CVD 또는 광(Photo) CVD 라고 합니다. 이러한 CVD는 현재 상업적으로 이용되는 박막제조 기술 중 가장 ... 는 플라즈마를 이용함으서 그 만큼 열에너지를 줄일 수 있게 되어 저온에서 박막을 형성할 수 있습니다. 이러한 장점으로 SiO2, SiNx, amorphous silicon등을 낮 ... 는 화학적 기상도금 또는 화학증착이라고 하는 고순도 고품질의 박막을 형성하는 기술로 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(Vapor)과 고온에서 가열된 도금할 고체와의 접촉으로 고온분해
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.30
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    CNT의 특성과 응용
    Chemical Vapor Deposition)(5) 레이저 증착법(laser vaporization)(6) 플라즈마화학기상증착법(PlasmaEnhancedChemicalVapor ... 되고 있다. CVD법은 열 CVD법, DC 플라즈마 CVD법, RF 플라즈마 CVD법, 마이크로파 플라즈마 CVD법으로 구분할 수 있다. 이러한 CVD 방법은 기존의 전기방전법 ... 적 저온으로 유지되고 탄소나노튜브의 합성이 이루어지는 제 2온도 영역은 고온으로 유지된다. 제 1온도 영역은 탄화가스를 분해할 수 없지만 촉매금속을 기화시키기에 충분한 비교적 저온
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    | 리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.04
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    탄소나노튜브
    의 SWNT 합성이 가능· 플라즈마 화학기상증착법 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장점: 열CVD보다 저온에서 탄소나노튜브의 합성이 가능 ... 나노튜브의 수율을 떨어뜨림.또한 전류는 안정된 플라즈마를 유지할 수 있는 범위 내에서 가능한 한 낮은 값을 갖는 것이 좋음.· 레이저 증착법 (Laser vaporization ... 플라즈마 방식: 방전 공간을 전극 사이에 끼우고 전극에 인가되는 고주파 전계에 의하여 글로우 방전을 발생시키는 방법평형 평판형이 가장 일반적인 전극 구조이며 큰 면적의 것도 비교
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.23
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    박막제조
    1000도를 상회하는 고온을 요구한다. CVD법으로 증착할 때 물질에 따로 다소 저온도 가능하지만 이 저온이란 것도 CVD에서는 500도 정도를 저온이라고 지칭한다. 반면에 PVD ... 체 : Cu(Dimethyl Amini-2-propoxide)고체, 갈색계통의 파우더대응반응물 : H* (수소플라즈마)150Wattwafer : SiO2(3000Å)/Si(100 ... 였지만 막상 그려보니 그렇게 복잡하지만은 않았다. 한가지 아쉬운 점은 반응기 내에서 일어나는 반응들을 직접 볼 수 없고 설명만 들을 수 있다는 것이었다. 플라즈마가 일어나는 반응기
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    | 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.30
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  • 자료 표지
    무균법의 원칙/멸균&소독의 개념/멸균 방법 및 종류
    의 소독에 이용한다.4) Sterrad소독원으로 과산화수소()를 사용하여 42~48℃의 저온으로 75분 안에 멸균이 완료되며, 플라즈마 형태의 ... 을 이용하여 저온 멸균 처리하는 장비이다.Telescope, light cable, CCD camera, microinstrument, arthroscope set, 각종 tube 등
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.01 | 수정일 2017.10.10
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  • 자료 표지
    myasthenia gravis
    할 수 있다. 예방접종, 월경, 고온이나 저온 노출로 인해 일시적으로 근육 약화가 나타날 수 있다.-10세 이전이나 60세 이후의 발병은 드물고, 20~30세 사이에서 가장 많이 ... %Monocyte6.15.27.91.7~8.0%Atypicallymphocyte0000%Immature cell0000%Plasma cell0000%Nucleated RBC0000/100
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.26 | 수정일 2016.02.10
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  • 자료 표지
    플라즈마반응기를 이용한 TiO2박막증착법
    ………………………………………………35.광촉매 박막 제조 기술 소개 ……………………………………………46.플라즈마 화학증착(Plasma CVD) ………………………………………7Ⅱ.결과 값 비교 ... 으로 도포어 있다. 현재 반도체 생산공정에 활용되고 있는 플라즈마는 비평형 플라즈마로서 전자에너지는 크지만 이온과 중성자에 에너지가 낮아서 기체의 평균온도가 낮기 때문에 저온(cold ... ) 플라즈마라고도 한다. 저온 플라즈마에서의 전자의 에너지는 0.1eV(11,600?), 이온이나 기체 성분의 에너지는 0.025~0.05eV 정도의 크기를 갖는다. 전자와 이온의 크
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    | 리포트 | 27페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.03.27
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    Ellipsometry
    어서의 융통성시편이 대기중이 아니라 진공, 플라즈마, 산이나 염기 등의 용액 속에 놓여 있더라도 일단 빛이 투과할 수 있으면 측정이 가능.또한 고온이나 극저온에서의 측정도 가능2. 측정
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    | 리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.02.14
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    박막재료의 표면처리 및 PR 제거
    하면 이해하기가 쉬울 것이다.이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD ... plasma ashing) - 플라즈마 ashing 장치를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 ... 모양 관찰 - 광학 현미경 사용5. 실험 이론(1) 플라즈마(Plasma)대부분의 물질들은 네가지 상태, 즉 고체, 액체, 기체 및 플라즈마 상태로 존재한다.이 모든 상태
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    | 리포트 | 18페이지 | 15,000원 | 등록일 2007.12.12
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  • 자료 표지
    제3장 박막 트랜지스터(TFT)
    ) 조를 사용플라즈마 화학기상성장법 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD) 을 이용 - n + a-Si, SiNx 를 동시에 적층 ... 의 장점 대면적 증착이 잘됨 . 저온에서 증착이 가능 . 좋은 경계 성질을 유지하며 다른 물질과의 이형 경계를 만들기 쉬움 , 여러 공정을 고안하고 사용할 수 있는 다양성 줌 ... ), 반도체와 절연체는 플라즈마를 이용하는 건식식각 (dry etching) 을 이용 . PR 박리 (strip) 남은 PR 을 용제를 이용하여 제거 . 검사 공정 완료 후 이상
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    | 리포트 | 43페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.10.22
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    열 공학, 연료의 특성
    을 올릴 수 있는 기술로 현재 개발이 진행괴고 있다. 이 MHD발전은 직접 전기를 얻으며 열효율을 50%이상까지 가능하며, 가스 플라즈마에 의한 방식으로 액체금속을 사용해서 발전 ... energy)은 극저온에서 기화잠열의 용어로서 일반적으로 최근에 관심과 사용이 급증되는 에너지 변환 방식이다. 천연가스는 1kG당 200 kcal 상당의 냉열을 가지고 있 ... 다. 그리고 섭씨 영하 161도의 저온의 액체로 수입해서 액체 상태로 저장하지만 수송하여 사용 시 액체를 기화시킬 때 잠열이 필요하며, 액체 천연가스(LNG)가 기화할 때 발생하는 냉열
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    | 리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.07.03
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    ICP원리 및 이론
    가 플라즈마(Plasma)와 같이 고온의 들뜨기 열(Excitation source)일 때 원자가 전자가는 에너지 준위가 매우 높은 들뜬 상태까지 올라가게 된다. 이와 같이 플라즈마 ... 적으로 통과되는 온도는 들뜨기 온도로서 플라즈마 부위에 따른 온도는 4,350~10,000℃ 이다. 저온의 기체(에어로졸)가 들어가는 플라즈마 중심부는 유도코일로부터 멀수록 그리고 ... 선을 원자선이고 이온의 들뜬 상태에서 방출되는 선을 이온선으로 분리한다. 플라즈마와 같이 높은 에너지의 들뜨기 원에서는 이온선의 세기가 원자선 보다 매우 강하며 미량분석 시 검량선
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.21
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    의료화학실험 혈당측정
    에서 섬유소원(피브리노겐)을 제거한 것이 혈청이다. 혈청 성분 중 면역과 관계가 있는 것을 γ-글로불린이며 이 속에 항체가 있다.혈장(Plasma)투명한 중성의 액체로 담황색을 띤다 ... . 혈액을 원심분리 시키거나 응고방지제를 저온(약 0oC)에 방치해 두면 위쪽에는 혈장이 아래쪽에는 혈구 등의 유형성분으로 나누어 진다. 이 경우 혈장이 차지하는 비율은 남녀
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    | 리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.25
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    스퍼터링(sputtering)
    을 인가하면(㎠당 1W정도), 증착하고자 하는 기판과 Target 사이에 Plasma가 발생한다. 이러한 Plasma내에는 고출력 직류전류계에 의해 Ar가스 기체가 양이온으로 이온 ... 작기 때문에, 플라즈마 중에서의 전자의 이동도는 이온의 이동도보다 크다. 따라서, 플라즈마에 밖에서 자장이 가해지면 전자만이 가속되고 이온은 그 만큼 가속되지 않는다.4 ... 표면에서 기체원자의 탈착 등이 발생하며, target에서는 비정질화, 이온침투, 화합물 형성, cascade 발생, 국부적 가열, 점결함이 생성된다.플라즈마를 유지하는데 가장 중요
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18
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    분광광도계의 종류와 스펙트럼 측정법
    용접한 것이다. 이 때 한 쪽의 용접점을 고온접점이라 하고 다른 쪽을 저온접점이라 하낟. 고온접점에 적외선이 입사하면 접점의 온도가 상승한다. 고온접점이 저온접점보다 온도가 높 ... 를 흘려 주면서 유도코일에 들뜸전원으로 부터의 고주파전력을 공급하여 토치위에 플라즈마를 생성시킨다. 플라즈마가 안정된 다음 시료도입부로부터 분무기를 통하여 시료용액을 플라즈마에 도입
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.02
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    산화,확산,주입
    Implantation Merit 확산 공정 이온 주입 공정 Merit B E C D A 우수한 도펀트 균일성 이 온 농도 정확한 제어 도펀트 침투 깊이 제어 저온 공정 (200 ... Current (dose) monitor Plasma electron flood chamber Argon gas inlet Electron emission Chamber wall + S N
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    | 리포트 | 69페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
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    인수공통감염병과 야생동물
    스퍼길루스증, 크립토코커스병, 전염성림프관염, 리노스포리듐증, 윤선, 스포로츠리쿰증, 히스토플라즈마병, 황선④ 원충 및 기생충성 인수공통전염병- 원충 : 사르코시스트병 ... 다. 가축을 대상으로 예방 접종을 실시하고 우유같은 유제품을 저온 살균한다. 고기와 내장 등은 완전히 익혀 먹으면 안전한 것으로 알려져 있고 불완전하게 익혀먹거나 날것으로 먹 을 때
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.12.21
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