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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.171. 전류 미러 회로 집적회로에서 공통의 정전류원으로 생성된 기준 전류를 복사하여 각 회로에 일정 전류를 공급하는 회로. NPN 또는 PNP 트랜지스터 사용 여부와 부하저항 위치에 따라 전류 싱크형과 전류 소스형으로 구분된다. 두 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(VBE)이 동등하면 에미터 전류와 콜렉터 전류도 같아져 전류가 복사되는 원리로 동작한다. 2. JFET 전류원 JFET를 이용한 전류원 회로로, 부하저항(RL) 값을 변경하며 드레인-소스 간 전압(VDS)과 부하전류(IRL)를 측정하는 실험. 51Ω에서 20Ω, 82Ω, 1...2025.11.17
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서강대학교 22년도 전자회로실험 7주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기 이번 실험에서는 BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기의 동작을 확인하였습니다. A급 증폭기는 트랜지스터가 360도 동안 순방향 바이어스되어 전류가 흐르는 증폭기 방식입니다. 실험을 통해 A급 증폭기의 입출력 특성을 확인할 수 있었습니다. 2. 푸시풀 전력 증폭기 푸시풀 증폭기는 npn과 pnp BJT를 이용한 두 개의 에미터 팔로어가 결합된 증폭기입니다. 입력 신호의 범위에 따라 npn 또는 pnp가 턴온되어 gain이 1에 가까운 팔로잉 동작을 하게 됩니다. 실험을 통해 푸시풀 증폭기...2025.01.12
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달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로 실험2025.11.171. 달링턴 회로 2개 이상의 트랜지스터를 직결하여 사용하는 복합 회로로, pnp 또는 npn형 트랜지스터 2개를 조합시켜 1개의 등가 트랜지스터로 만드는 접속 방법이다. 전류 증폭률은 2개 트랜지스터의 곱으로 되어 매우 커진다. 직결형 컬렉터 접지 회로로도 불리며, 특성이 개선되어 고감도의 직류 증폭기, 고입력 저항 증폭기, 전력 증폭기 등에 사용된다. 2. 캐스코드 회로 초단에 이미터 접지 증폭 회로, 다음 단에 베이스 접지 증폭 회로를 종속으로 접속한 증폭 회로이다. 출력 임피던스가 커질 뿐만 아니라 높은 이득을 갖는 증폭기로...2025.11.17
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다단 증폭기 RC 결합기 실험2025.11.171. JFET (접합형 전계효과 트랜지스터) JFET는 3개의 단자를 가진 반도체로 PNP 및 NPN 트랜지스터와 달리 게이트, 드레인, 소스 단자로 구성된다. 교류 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 가지며, 단일 트랜지스터 증폭기를 종속 연결하여 다단 증폭기를 구성할 수 있다. 2. 다단 증폭기 설계 및 특성 두 개의 JFET 트랜지스터를 RC 결합기로 연결하여 다단 증폭기를 구성한다. IDSS와 VP를 측정하여 직류 바이어스를 계산하고, 공통 소스 회로의 전압 이득을 구한다. 실험에서 VDD=+20V, RG...2025.11.17
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A급 및 B급 전력 증폭기 실험2025.11.171. A급 전력 증폭기 A급 바이어스 증폭기는 컬렉터 전류의 선형영역 중앙 근처에 동작점이 설정되어 입력전류의 전체 주기가 왜곡 없이 증폭된다. 선형성이 잘 유지되지만 입력전류에 무관하게 바이어스 전류가 항상 흐르므로 DC전력소비가 커서 전력 효율이 낮다. 최대 효율이 25%를 넘지 못하며 주로 아주 작은 부하 전력이 요구되는 응용 분야에만 사용된다. 2. B급 전력 증폭기 B급 바이어스 증폭기는 트랜지스터의 차단점에 동작점이 설정되어 입력전류의 양의 반 주기만 증폭된다. 상보형 푸시풀 구조를 이용하여 전체 주기의 신호를 얻을 수 ...2025.11.17
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 특성 실험을 통해 BJT 소자의 특성을 이해하고 확인하였습니다. Early Effect(Base width modulation)로 인해 C-B 접합의 Reverse bias 크기 변화에 따라 Collector 전류가 변화하는 것을 확인하였습니다. 이는 이상적인 트랜지스터 동작에서 벗어나는 것으로, 변화된 Base 폭을 고려하여 Gain 값을 다시 계산할 수 있습니다. Early Effect를 고려한 BJT 전류원 Modeling을 통해 실제 BJT의 동작 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. BJT의 I-V 특성 ...2025.01.12
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