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[예비보고서] 5.전압 제어 발진기 (VCO)2025.04.251. 슈미츠 회로의 특성 본 실습에서 IC로 UA741 Op amp를 이용한다. 목적은 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 확인하는 것이다. 이 때 적분기 회로에 인가되는 전압의 크기에 따라 출력 전압이 일정한 값에 도달하는 시간이 변하는 것을 이용하여 주파수를 제어한다. Large signal voltage gain 로 주어진 UA741의 반전 및 비반전 입력 단자를 virtual short로 간주할 수 있어 일반적인 적분기 회로의 구성에 ...2025.04.25
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서1 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서는 Op Amp를 이용한 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier 설계 및 구현, 측정, 평가를 다루고 있습니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 증폭기를 설계하였습니다. Inverting Amplifier와 Non-inverting Amplifier의 설계 과정, 시뮬레이션 결과, 측정 결과 등을 자세히 기술하고 있습니다. 또한 두 증폭기의 장단점을 비교하고 Summing Am...2025.05.14
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 예비보고서10 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 설계 및 측정 이 보고서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것을 목적으로 합니다. OrCAD PSPICE를 사용하여 Oscillator를 설계하고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주기를 확인합니다. 또한 feedback factor (β)와 feedback 저항 R의 영향을 분석합니다. 2. Positive ...2025.05.14
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Thevenin 등가회로 구현 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였습니다. Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 무부하 상태에서 단자 사이의 전압을 측정하여 Vth를 구하고, 10kΩ 저항을 연결했을 때 전압이 줄어든 것을 이용하여 Rth를 계산하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 주파수가 2kHz인 센서의 출력을 증폭하여 1Vpp의 출력을 내는 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 회로, PSPICE 출력파형...2025.01.27
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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 3 Voltage Regulator 설계2025.05.011. 전자회로설계실습 이 보고서는 중앙대학교 전자회로설계실습 수업의 예비보고서입니다. 학생은 Voltage Regulator 회로를 설계하고 PSPICE 시뮬레이션을 수행했습니다. 설계 과정에서 부하 저항, 변압기 권선비, 커패시터 값 등을 계산하고 시뮬레이션 결과를 분석했습니다. 2. 전압 조절기 설계 이 보고서에서는 5 kΩ 부하에 4.4 V의 직류 전압과 0.9 V 이하의 리플 전압을 공급하도록 전압 조절기 회로를 설계했습니다. 변압기 권선비, 커패시터 값, 주파수 등을 계산하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 결과를 확인했습니...2025.05.01
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 6 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.011. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 Early effect를 무시한 상태에서 overall voltage gain 식을 이용하여 부하 저항 RL에 최대 전력이 전달되도록 RC를 결정하는 방법, gm을 구하는 방법, 바이어스 전압 및 전류를 계산하는 방법, 입력 저항 Rin을 구하는 방법, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 그리고 입력 저항 추가를 통한 선형성...2025.05.01
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.011. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계에서는 그림 1의 Current Source 회로를 이용하여 IREF = 10 mA인 전류원을 설계하는 것이 목표입니다. 이를 위해 (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 활용하여 (1/2)kn'(W/L)을 구하고, (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 M2의 VGS와 R1 값을 계산합니다. (C) M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 구하고, (D) OrCAD로 IO = ...2025.05.01
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압 분배 바이어스 회로 전압 분배 바이어스 회로는 트랜지스터의 동작 점을 안정적으로 설정하며, 안정적인 증폭기 성능을 제공하는 역할을 한다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전류와 컬렉터 전류를 제어하여 증폭기가 안정적으로 작동하도록 한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 전압 분배기와 에미터 저항을 사용하여 트랜지스터의 바이어스를 안정적으로 설정하고, 이를 통해 증폭기의 동작을 안정화한다. 베이스 전압, 컬렉터 ...2025.01.29
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